为什么旁路电容都选用0.1uf

器件特性

大电容滤去低频交流低频成分。小电容滤去高频交流成分，

 

选择高频滤波电容的主要依据是频率特性，即阻抗-频率曲线。

 

0.1uF瓷介电容（X7R）的谐振频率（阻抗曲线“谷”点频率）大约为10MHZ多，表贴的大约为16MHZ，而且阻抗也比较低（1欧姆以下量级），

 

这对在大多数低频电路都是比较合适的。再大的容量，谐振频率偏低，再小的容量，谐振阻抗偏大。

非技术因素

电子器件的一个重要选用原则就是尽量“随大流”，大家都用的，供货容易，成本也低。

 

经验法则

 

这是经过实验的，去耦电容大都选择0.1uF。

 

科普知识：

 

对于同一个电路来说。

旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除。

 

去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象，相当于滤纹波。

 

在供电电源和地之间也经常连接去耦电容，它有三个方面的作用：

 

一是作为本集成电路的蓄能电容；

 

二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；

 

三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。

 

数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压，会影响前级的正常工作。这就是耦合。

 

对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。

 

数字电路中典型的去耦电容值是0.1µF。这个电容的分布电感的典型值是5µH。 

 

0.1µF的去耦电容有5µH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，

 

也就是说，对于10MHz以 下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。 

 

1µF、10µF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。 

 

每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10µF左右。

 

最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。

 

要使用 钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1µF，100MHz取0.01µ。