最新的ESD（ElectroStatic Discharge）静电介绍及其标准下载(见文尾）

最新的ESD（ElectroStatic Discharge）静电介绍及其标准下载(见本文后面）

1. ESD综述

  在 1970 年代后期，ESD 成为电子行业的一个问题。来自人的低阈值水平 ESD 事件导致设备故障和产量损失。随着业界了解到这一现象，设备设计改进和工艺变更都进行了改进，以使设备更加稳健，并使工艺更有能力处理这些设备。

  在 1980 年代和 1990 年代初期，设备工程师在经历了学习曲线之后，能够创建能够承受更高水平 ESD 应力的保护结构，从而使设备对 ESD 事件不那么敏感。设备工程师和电路设计人员都能够确定关键技术参数和设计技术，帮助他们开发出更强大的设备。然而，在 1990 年代中后期，对提高性能的要求（在 1 GHz 及更高频率下运行的设备）和设备上电路密度的增加（摩尔定律）导致传统 ESD 保护电路出现问题。这些技术不断向低于 100 nm 的特征尺寸扩展，以实现更高的密度和性能，这加剧了这种情况。随着采用亚 50 纳米技术的 IC 芯片的出现，情况变得更糟，这些芯片正在迅速投入生产。随着对高速互联网操作的需求，大型、高引脚数（> 1000 个引脚）、包含高速 SerDes (HSS) 输入/输出 (IO) 的封装设备需要以每秒 10-15 吉比特 (Gbps) 的速度运行), 介绍。这些 IO 在 22 nm 和 18 nm 技术节点上达到了 20-30 Gbps，而随着当今先进的 10 nm 和 7 nm 技术节点，56 Gbps 到 112 Gbps 的 HSS IO 更为普遍。因此，必须调整人体模型 (HBM) 和带电设备模型 (CDM) 目标水平以适应这些新的 IO 性能水平。

  我们世界的无线连接推动了射频 (RF) 应用的增加以及更高的带宽要求。在移动领域，4G LTE 使用的频段高达 5.8 GHz。随着毫米波 5G 技术的引入，FCC 分配的频段进入 28 GHz 至 60 GHz 范围。对于这些 RF 应用，ESD 保护必须与性能平衡，因为这些较高的频率无法承受信号节点上的额外电容负载。内置于 RF 引脚的任何 ESD 稳健性通常与应用的匹配网络共同设计。这几乎总是导致 HBM 和 CDM 耐受电压降低。预计随着电路性能的提高将优先于 ESD 保护级别，这些趋势将继续下去。对于未来的设备认证，HBM 和 CDM 要求需要了解这些技术趋势。

  ESD通常有3种电路模型， 它们是：

1. 人体模型（HBM）
2. 机器模型（MM）
3. 充电器件放电模型（CDM）
   机器模型（MM）不是强制要求， 因此人体模型（HBM）和充电器件放电模型（CDM）被人们更多的关注及研究。

  当然， 除了这3种主要模型， 还有其它的如

• Transmission Line Pulse (TLP)
• The Charged Strip Model（CSM）
• Charged Board Model (CBM）
• Transient Latch-Up (TLU)
• Cable Discharge
• Electrical OverStress(EOS)

下面就重点介绍人体模型（HBM)和充电器件放电模型（CDM）的基础知识及未来的发展趋势和挑战。

2. ESD基础

2.1. 人体模型（HBM）

• HBM电路模型
  
• HBM波形

• HBM波形参数要求
  

2.2. 机器模型（MM）

• MM电路模型
  
• MM波形
  
  -MM波形参数要求
  

2.3. 充电器件放电模型（CDM）

• 作用
  – 器件因感应或摩擦而带电荷；
  – 器件上的电荷藉由管脚对外放电
  

• CDM电路模型
  

• CDM波形
  
  特点：
  –上升时间极短：<400pS
  – 电流峰值极大：5~20A/500V
  – 维持时间极短：0.5~1.0nS
  – .一 般保护电路来不及动作

• CDM波形参数
  

2.4. HBM、MM及CDM波形比较

– CDM的放电速度是HBM或MM的100倍。
– CDM的峰值电流可以是HBM脉冲的40倍

3. ESD未来发展趋势

  下面提供了对半导体器件未来 ESD 阈值的估计以及对 ESD 控制实践的潜在影响。这些级别与技术和设计密切相关，需要根据电子行业的进步定期修订。本路线图中讨论的阈值估计旨在反映选定行业领导者所认为的半导体技术的流行趋势，重点是集成电路 (IC) 行业。其他主要电子行业部门也正在经历 ESD 敏感性的增加（降低 ESD 阈值）。

  ESD的阈值以未来五年阈值估计变化的“路线图”的形式呈现。这些预测旨在提供由电路性能要求和技术缩放效应驱动的未来器件保护限制的视图。它还提供了设备 (IC) 供应商和原始设备制造商 (OEM)（如用户）预期的设备 ESD 性能变化的通用视图。最后，这些趋势表明需要持续改进 ESD 控制程序和合规性。还讨论了这些趋势与过程能力的一些联系，以及其他 ESD 事件表征（系统级、带电板事件和电缆放电事件）的进展.。

3.1 人体模型 (HBM) 路线图

  HBM设计的预测（典型的最小和最大）在图1中显示。尽管从1978年到1993年，设计得到了改进，但先进的电路性能影响在90年代中期开始出现，最终降低了可实现的HBM水平。最大水平代表了技术扩展的可能性，而最小水平代表了满足电路性能需求的限制。

  下面图2显示了2010年至2025年的放大图。此外，图2显示了同一时期基于HBM控制水平的ESD控制能力，可能已经到位。重要的是，当今生产领域存在的HBM控制方法已经允许将HBM目标水平从2千伏降低到1千伏[1]。即使有这个事实上的目标，一些高性能设备可能只有100伏到200伏的阈值。在2020年的路线图中，有人建议可能有必要设置500伏的限制。

  展望2025年，除了非常高性能的IO，如224Gbps的SerDes和RF应用，不清楚HBM目标水平的再次下降是否有必要。使用ANSI/ESD S20.20 , IEC 61340-5-1 , 或JEDEC JESD625 中的限制和要求来实施改进的HBM控制将继续对降低HBM保护水平的风险起到重要作用。如图2所示，低于100伏是一个 "自定义控制 "的区域，其中非标准的特定过程控制是必要的。这些控制是非常具体的环境，可能包括，但不限于，更严格的ESD控制限制和更严格的符合性验证频率，同时进行工艺能力评估对于解决制造业中更高的性能IO风险变得更加重要。

  仔细观察图 2，与 2020 年甚至 2015 年相比，到 2025 年的 HBM 灵敏度限制的典型范围似乎几乎没有变化。虽然该范围到 2025 年可能不会发生显着变化，但在这个范围将继续变化。这是一些公司继续使用传统技术的结果，而一些公司则通过对设备中更高性能 IO 的需求继续推动技术进步。这些技术进步将归因于技术扩展和应用需求，例如 RF 和 HSS IO应用程序。

  图 3 显示了对 2025 年这种敏感度分布组合的预测。随着技术扩展和特定于应用程序的 IO 需求不断变化，此路线图更新还重新审视了当前情况。因此，2020 年的敏感性分布组合也已根据 2016 年的预测进行了修改。更仔细地观察 2020 年的敏感度分布组合，相信对 2020 年的预测有点激进。因此，2020 年的分布已在低于 500 伏的范围内进行了调整。展望2025年，预计500伏以下产品数量会小幅增加，1000伏以上产品数量将小幅减少。请注意，选择大于 1000 伏的限制作为最高级别，因为即使使用最基本的控制方法 [1]，任何满足此目标水平或更高的 HBM 设备也同样安全。此外，唯一真正值得关注的将是低于 500 伏 HBM 的底部组，其中设备的分布预计在未来五年内略有增加，主要是由于更高的性能 IO 需求。

3.2 充电设备模型 (CDM) 路线图

  技术对 CDM 的影响不仅来自所需的 IO 速度，还来自封装尺寸的影响。在给定的应力电压水平下，更大的封装将经历更高的放电电流。由于更多公司探索 2.5D 和 3D 技术，更大的封装也成为可能。尽管图表并未涵盖所有 IC 封装类型，但图 4 说明了组合 IO 设计和封装效果。随着氧化物击穿电压的降低趋于饱和，这种效应变得在某种程度上独立于从 22 nm 左右开始的技术节点，但变得更加依赖于由负载电容决定的 IO 性能需求。图 4 中采用的配色方案基于 250 伏 CDM 对生产区域安全的验证 [5]。该地图将随着包裹尺寸变得更大而改变。例如，请注意，对于今天的焊盘网格阵列 (LGA) 或球栅阵列 (BGA) 中 3000 个引脚 (~3000-3500 mm2) 或更多（对于微处理器来说并不罕见）的封装，超高速 IO 可能几乎没有达到 125 伏的 CDM 目标水平。为简单起见，此处未包括减小厚度的附加封装效应，但应注意，这也会影响器件所看到的峰值电流，而与封装面积的变化无关。在某些细分市场中，例如在移动市场领域，封装的 Z 高度对市场接受度至关重要（例如，手机、手表和笔记本电脑），这种封装减薄具有更大的影响。

  在射频领域，CDM 稳健性和射频性能之间通常存在微妙的平衡。加剧这种 CDM 敏感性的事实是，经常被 CDM 瞬变损坏的电容器广泛用于 RF 设计中的 DC 阻断、匹配网络、滤波和其他与应用功能相关的应用。用于保护这些电容器的任何电路最终都会降低线性度、插入损耗或以其他方式影响 RF 信号的完整性。随着更高带宽的 RF 应用在市场上变得越来越普遍，可实现的 CDM 性能可能会下降。

 因此，CDM 灵敏度水平（典型的最小值和最大值）的预测如图 5 所示。如图所示，当前的 CDM 目标是 250 伏，低于 2000 年代初期的 500 伏。 未来将需要 125 伏的目标，主要是由于对非常高性能 IO 的需求。

 与 HBM 预测一样，图 6 展示了 2010 年及以后 CDM 的放大图。还显示了同一时期 CDM 的 ESD 控制能力。 实施先进的 CDM 控制方法和更彻底的过程评估不仅更加重要，而且几乎已成为某些产品的强制性要求。

 仔细观察图 6 可能表明，展望 2025 年，与 2020 年甚至 2015 年相比，CDM 敏感度限值的典型范围不会有显着变化。虽然人们认为到 2025 年该范围可能不会发生显着变化 ，此范围内的产品分布可能会随着保留当今传统技术的公司组合的变化而变化。 这包括那些通过对更高性能设备的需求和通过多芯片封装（如 2.5D 和 3D）增加封装尺寸/复杂性来继续推动技术进步的人。

 图 7 首次展示了到 2025 年这种产品分布的情况。随着技术扩展/特定于应用程序的 IO/包扩展需求不断变化，此路线图更新也​​重新审视了当前情况。因此，2020 年的组合也根据 2016 年的预测进行了修改。仔细观察 2020 年的组合，人们认为 2020 年的预测有点激进。因此，2020 年的分布在低于 125 伏的范围内进行了下调。展望2025年，预计125伏以下产品数量将小幅增加，250至500伏以上和500伏以上产品数量将小幅减少。与图 3 的 HBM 组相比，CDM 分布的底部两个组更受关注。因此，到 2025 年，该行业需要继续努力（例如改进过程评估能力），以便为更多的敏感 CDM 设备做好更好的准备。

3.3 零件 ESD 阈值和系统级 ESD (IEC 61000-4-2)：无相关性

 几年来，人们普遍认为零件级 ESD（例如 HBM）是良好系统级 ESD 稳健性的预测指标或先决条件。 这种误解导致许多 OEM 对设备提出特殊的 HBM 要求，认为这会提高通过 IEC 61000-4-2 系统级测试的机会。 工业委员会白皮书 3 第 I 部分 中解决了这种误解。。 如图 8 所示，该研究表明 IEC 61000-4-2 系统级 ESD 和零件级 ESD 彼此不相关。

 在系统级别，ESD 稳健性是一个更为复杂的问题，需要更深入地了解以解决电子系统（如笔记本电脑、手机、打印机、家用电脑以及汽车和工业领域的电子系统）的 ESD 保护要求。这些系统复杂性是保护外部接口（例如通用串行总线 (USB)）与外界连接的结果。在遇到更严重的 ESD 脉冲（例如 IEC 61000-4-2 [7] 或 ISO 10605 [8] 测试方法规定的脉冲）后，此类系统可能导致硬故障或软故障。

 正如白皮书 3 第 I 部分中介绍的那样，需要一种协同设计方法。已经提出了一个基本版本（称为系统高效 ESD 设计 (SEED)），它解决了与具有直接外部接口的 IC 引脚相关的硬故障。对于更频繁报告的软（可逆）故障，需要更先进的协同设计方法。这些问题的理解和克服更具挑战性，需要将 SEED 方法扩展到其他故障机制，包括闩锁和电磁干扰 (EMI) 效应。这些挑战和方法在白皮书 3 [9] 的第二部分进行了讨论。 SEED 在行业内的采用已经开始，但由于行业最能决定如何提供所需数据和模拟事件，因此采用受到限制。预计采用 SEED 的趋势虽然比 2020 年的预期慢，但由于外部 IO 端口的风险没有改变，因此将继续增长。

 当前讨论的重点是，这些系统级故障都不会因 HBM 或 CDM 设备阈值级别的增加而得到改善或减少。因此，如图 2 和图 6 所示，HBM 和 CDM 的技术扩展效应不会对系统级 ESD 产生影响。

这次先写到这里， 下次会讲到ESD流程控制及评估， 以及测试、表征和新技术发展趋势，敬请关注！！！

标准下载

- 零件级ESD标准

1. ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017 Electrostatic Discharge Sensitivity Testing Human Body Model (HBM) -Component Level (静电放电敏感度测试 - 人体模型（HBM）- 器件级别)
2. ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018 For Electrostatic Discharge Sensitivity Testing - Charged Device Model (CDM) - Device Level (用于静电放电敏感度测试 - 带电设备模型（CDM） - 设备级别 )
3. ANSI/ESD SP5.4.1-2017 For Latch-up Sensitivity Testing of CMOS /BiCMOS Integrated Circuits - Transient Latch-up Testing - Device Level（ 用于CMOS BiCMOS集成电路的闩锁敏感度测试 - 瞬态闩锁测试 - 器件级）
4. ANSI/ESD STM 5.5.1：2016 For Electrostatic Discharge Sensitivity Testing - Transmission Line Pulse (TLP) - Device Level (用于静电放电敏感度测试–传输线脉冲（TLP）–器件级）
5. JEDEC JESD47K-2018 Stress-Test-Driven Qualification of Integrated Circuits（集成电路的应力测试驱动的鉴定）
6. JEDEC JESD78E：2016 IC Latch-Up Test(IC锁存测试)
7. JEDEC JESD94B：2015 Application Specific Qualification Using Knowledge Based Test Methodology（使用基于知识的测试方法进行特定应用资格认证）
8. JEDEC JEP155B：2018 Recommended ESD Target Level for HBM Qualification（HBM认证的推荐ESD目标水平）
9. JEDEC JESD625B - 2012 Requirements for Handling Electrostatic-Discharge-Sensitive (ESDS) Devices（处理静电放电敏感 (ESDS) 设备的要求）
10. AEC-Q100-002E：2013 Human Body Model (HBM) Electrostatic Discharge（ESD) Test(人体模型（HBM） 静电放电（ESD）测试）
11. AEC-Q100-003E：2003 Machine Model (MM) Electrostatic Discharge Test （机器型号 (MM) 静电放电测试)
12. AEC-Q100-011D：2019 Charged Device Model (CDM) Electrostatic Discharge Test （带电设备模型（CDM） 静电放电测试 ）
13. IEC 60749-26：2018 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26：Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model(HBM) - 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 26 部分：静电放电（ESD）敏感性测试 - 人体模型（HBM）
14. IEC 60749-27：2012 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 27：Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Machine model (MM) - 半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 27 部分：静电放电 (ESD) 敏感性测试 - 机器模型 (MM)
15. IEC 60749-28：2017 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28：Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - device level （半导体器件-机械和气候测试方法：静电放电（ESD）敏感性测试-带电设备模型（CDM）-零件级 ）
16. IEC 62615：2010 Electrostatic discharge sensitivity testing - Transmission line pulse {TLP) - Component level（静电放电灵敏度测试 - 传输线脉冲 (TLP) - 组件级别）
17. MIL-HDBK-263B：1994 Electrostatic Discharge Control Handbook For Protection Of Electrical And Electronic Parts, Assemblies And Equipment(静电放电控制手册，用于保护电气和电子部件、组件和设备)
18. MIL-STD-1686C：1995 Electrostatic Discharge Control Program For Protection Of Electrical And Electronic Parts, Assemblies And Equipment (Excluding Electrically Initiated Explosive Devices) - 用于保护电气和电子零件、组件和设备（不包括电引发爆炸装置）的静电放电控制程序
19. MIL-STD-883K：2018 DoD Microcircuits Test Method （美国防部微电子测试方法标准-包含HBM）-3015.7
20. MIL-STD-883L：2019 美国防部微电子测试方法标准 - 包含6份最新英文电子版标准文件(包含HBM)-3015.7.rar
21. EIAJ ED-4701/300：2001 Environmental and endurance test methods for semiconductor devices(Stress test I) - 半导体器件的环境和耐久性试验方法（应力试验 I）
22. EIAJ ED-4701/300-3：2006 Environmental and endurance test methods for semiconductor devices(Stress test I)-Amendment 3（半导体器件的环境和耐久性测试方法（压力测试 I）-修正案 3）

- 系统级/产品级ESD标准

23. 实用的ESD管理手册+程序+表格 - 总共11份文件.rar
24. ESD培训资料（SGS_ADLINK以及基于S20.20的讲解和体系建立）- 共5份有价值的中文PDF/PPT文件.rar
25. Electrostatic Discharge (ESD) Knowledge Training（静电放电（ESD）知识培训）- 中英文版（28页）.pptx
26. 三份国标（GB 12158-2006/GBT 39587-2020/SJT 11587-2016）ESD中文标准.rar
27. GJB 3007A-2009 防静电工作区技术要求 -完整中文版（11页）
    ANSI/ESD
28. Search And Retrieval Index To EOS-ESD Symposium Proceedings 1979 To 2020-1979 年至 2020 年 EOS-ESD 研讨会论文集的搜索和检索索引
29. ESD ADV1.0-2017 for Electrostatic Discharge - Terminology - Glossary （静电放电 - 术语 - 词汇表)
30. ANSI/ESD S1.1-2013 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Wrist Straps（用于保护静电放电敏感物品 - 腕带）
31. ANSI/ESD S541-2018 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Packaging Materials （用于保护静电放电敏感物品 - 包装材料）
32. ANSI/ESD S6.1-2014 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Grounding (用于保护静电放电敏感物品 - 接地)
33. ANSI/ESD S8.1-2017 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Symbols - ESD Awareness（用于保护静电放电敏感物品 - 符号 - ESD 意识）
34. ANSI/ESD S20.20-2014 For the Development of an Electrostatic Discharge Control Program for Protection of Electrical and Electronic Parts, Assemblies and Equipment (Excluding Electrically Initiated Explosive Devices)- 用于制定保护电气和电子部件、组件和设备的静电放电控制方案。
35. ANSI(ESD)S20.20-2014- 用于制定保护电气和电子部件、组件和设备的静电放电控制方案 - 完整中文版（19页)
36. ANSI/ESD SP3.3-2016 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Periodic Verification of Air Ionizers(用于保护静电放电敏感物品 - 空气离子发生器的定期验证)
37. ANSI/ESD SP3.4-2016 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Periodic Verification of Air Ionizer Performance Using a Small Test Fixture(用于保护静电放电敏感物品 - 使用小型测试夹具定期验证空气离子发生器的性能)
38. ANSI/ESD STM2.1-2018 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Garments - Resistive Characterization(用于保护易受静电影响的物品 - 服装 - 电阻特性分析)
39. ANSI/ESD STM3.1-2015 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Ionization(用于保护易受静电影响的物品–电离)
40. ANSI/ESD STM4.1-2017 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Worksurfaces - Resistance Measurements (Including Shelving and Mobile Equipment) - 用于保护静电放电敏感物品 - 工作台面 - 电阻测量（包括搁架和移动设备）
41. ANSI/ESD STM4.2-2012 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - ESD Protective Worksurfaces - Charge Dissipation Characteristics(用于保护易受静电放电的物品 - ESD 保护工作台面 - 电荷耗散特性)
42. ANSI/ESD STM9.1-2014 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Footwear - Resistive Characterization(excluding foot grounders) - 用于静电放电敏感物品的保护 - 鞋类 - 电阻特性（不包括脚接地器）
43. ANSI/ESD STM12.1-2013 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Seating - Resistance Measurements (用于保护静电放电敏感物品 - 座椅 - 电阻测量)
44. ANSI/ESD STM97.1-2015 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Footwear Flooring System - Resistance Measurement in Combination with a Person(用于静电放电敏感物品的保护 - 鞋类地板系统 - 与人相结合的电阻测量)
45. ANSI/ESD STM97.2-2016 For the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items - Footwear Flooring System - Voltage Measurement in Combination with a Person(用于静电放电敏感物品的保护 - 鞋类地板系统 - 与人结合的电压测量)
46. ESD TR20.20-2016 Handbook for the Development of an Electrostatic Discharge Control Program for the Protection of Electronic Parts, Assemblies, and Equipment (用于保护电子零件、组件和设备的静电放电控制程序开发手册)
47. ESD TR53-01-18 for the Protection of Electrostatic Discharge Susceptible Items -Compliance Verification of BSD Protective Equipment and Materials（用于静电放电敏感物品的保护 - BSD 防护设备和材料的合规性验证)
    ANSI/IEEE 标准
48. ANSI C63.14-2014 Dictionary of Electromagnetic Compatibility (EMC) including Electromagnetic Environmental Effects (E3) - 包括电磁环境影响 (E3) 的电磁兼容性 (EMC)的词典
49. ANSI C63.16-2016 Guide for Electrostatic Discharge Test Methodologies and Acceptance Criteria for Electronic Equipment (电子设备静电放电测试方法和验收标准指南)
    JEDEC标准
50. JEP161：2011 System Level ESD Part 1：Common Misconceptions and Recommended Basic Approaches（系统级ESD第一部分：常见的误解和推荐的基本方法）
51. JEP162A-01 System Level ESD Part II：Implementation of Effective ESD Robust Designs （系统级ESD第二部分：有效ESD稳健设计的实施 ）
    IEC 标准
52. IEC 61000-4-2：2008 Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 4-2：Testing and measurement techniques - Electrostatic discharge immunity test（ 电磁兼容性（EMC）–第4-2部分：测试和测量技术–静电放电抗扰度测试 ）
53. IEC 61000-6-1：2016 Electromagnetic compatibility (EMC) - Part 6-1：Generic standards - Immunity standard for residential, commercial and light-industrial environments（电磁兼容性 (EMC) - 第 6-1 部分：通用标准 - 住宅、商业和轻工业环境的抗扰度标准）
54. IEC TR 61340-1：2020 Electrostatics - Part 1：Electrostatic phenomena - Principles and measurements (静电学 - 第 1 部分：静电现象 - 原理和测量)
55. IEC 61340-2-1：2015 Electrostatics - Part 2-1：Measurement methods - Ability of materials and products to dissipate static electric charge（静电学 - 第 2-1 部分：测量方法 - 材料和产品消散静电荷的能力）
56. IEC TR 61340-2-2：2000 Electrostatics - Part 2-2：Measurement methods - Measurement of chargeability（静电学–第2-2部分：测量方法–电荷量的测量）
57. IEC 61340-2-3：2016 Electrostatics - Part 2-3：Methods of test for determining the resistance and resistivity of solid materials used to avoid electrostatic charge accumulation（静电学 - 第 2-3 部分：确定用于避免静电荷积累的固体材料的电阻和电阻率的测试方法）
58. IEC 61340-5-1：2016 Electrostatics - Part 5-1：Protection of electronic devices from electrostatic phenomena - General requirements（静电 - 第 5-1 部分：保护电子设备免受静电现象影响 - 一般要求）
59. IEC 61340-4-1：2015 Electrostatics - Part 4-1：Standard test methods for specific applications - Electrical resistance of floor coverings and installed floors(静电 - 第 4-1 部分：特定应用的标准测试方法 - 地板覆盖物和已安装地板的电阻)
60. IEC TS 61340-4-2：2013 Electrostatics - Part 4-2：Standard test methods for specific applications - Electrostatic properties of garments（静电 - 第 4-2 部分：特定应用的标准测试方法 - 服装的静电性能）
61. IEC 61340-4-3：2017 Electrostatics - Part 4-3：Standard test methods for specific applications - Footwear (静电 - 第 4-3 部分：特定应用的标准测试方法 - 鞋类)
62. IEC 61340-4-4：2018 Electrostatics - Part 4-4：Standard test methods for specific applications - Electrostatic classification of flexible intermediate bulk containers (FIBC) - 静电 - 第 4-4 部分：特定应用的标准测试方法 - 柔性中间散装容器 (FIBC) 的静电分类
63. IEC 61340-4-5：2018 Electrostatics - Part 4-5：Standard test methods for specific applications - Methods for characterizing the electrostatic protection of footwear and flooring in combination with a person（静电 - 第 4-5 部分：特定应用的标准测试方法 - 表征鞋类和地板与人结合的静电防护的方法）
64. IEC 61340-4-6：2015 Electrostatics - Part 4-6：Standard test methods for specific applications - Wrist straps（静电 - 第 4-6 部分：特定应用的标准测试方法 - 腕带）
65. IEC 61340-4-7：2017 Electrostatics - Part 4-7：Standard test methods for specific applications - Ionization（静电 - 第 4-7 部分：特定应用的标准测试方法 - 电离）
66. IEC 61340-4-8：2014 Electrostatics - Part 4-8：Standard test methods for specific applications - Electrostatic discharge shielding - Bags（静电 - 第 4-8 部分：特定应用的标准测试方法 - 静电放电屏蔽 - 袋）
67. IEC 61340-4-9：2016 Electrostatics - Part 4-9：Standard test methods for specific applications - Garments （静电 - 第 4-9 部分：特定应用的标准测试方法 - 服装）
68. IEC TR 61340-5-2：2018 Electrostatics - Part 5-2：Protection of electronic devices from electrostatic phenomena - User guide （静电 - 第 5-2 部分：保护电子设备免受静电现象影响 - 用户指南）
69. IEC 61340-5-3：2015 Electrostatic：Protection of electronic devices from electrostatic phenomena-Properties and requirements classification for packaging intended for electrostatic discharge sensitive devices（静电：保护电子设备免受静电现象的影响-用于静电放电敏感设备的包装的性能和要求分类）
70. IEC TR 61340-5-4：2019 Electrostatics - Part 5-4：Protection of electronic devices from electrostatic phenomena - Compliance verification （静电 - 第 5-4 部分：保护电子设备免受静电现象影响 - 合规性验证）
71. IEC TR 61340-5-5：2018 Electrostatics - Part 5-5：Protection of electronic devices from electrostatic phenomena - Packaging systems used in electronic manufacturing （静电 - 第 5-5 部分：保护电子设备免受静电现象影响 - 电子制造中使用的封装系统）
72. IEC 61340-6-1：2018 Electrostatics - Part 6-1：Electrostatic control for healthcare - General requirements for facilities （静电 - 第 6-1 部分：医疗保健的静电控制 - 设施的一般要求）
    ISO 标准
73. ISO 10605：2008 + AMD1：2014 Road vehicles - Test methods for electrical disturbances from electrostatic discharge （道路车辆 - 静电放电造成的电气干扰的测试方法 ）
    SAE 标准
74. SAE J551-15：2020 Vehicle Electromagnetic Immunity - Electrostatic Discharge (ESD) -车辆电磁抗扰性 - 静电放电 (ESD)
75. SAE J1113/13：2015 Electromagnetic Compatibility Measurement Procedure for Vehicle Components - Part 13：Immunity to Electrostatic Discharge（车辆部件的电磁兼容性测量程序 - 第 13 部分：抗静电放电 ）

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