半导体器件基础(期末模电速成)

目录

1、半导体分类

2、PN结

3、二极管

4、稳压二极管

5、三极管

6、场效应管


1、半导体分类

半导体器件基础(期末模电速成)_第1张图片

2、PN结

半导体器件基础(期末模电速成)_第2张图片

3、二极管

伏安特性:

半导体器件基础(期末模电速成)_第3张图片

我们第七版模电书上给的正向导通压降分别约为0.7和0.2V,且硅的单向导电性更好

如何确定二极管状态?

阳极电压 > 阴极电压:导通

阳极电压 < 阴极电压:截止

若未给二极管的导通压降,视为理想,为0V

4、稳压二极管

半导体器件基础(期末模电速成)_第4张图片

 要么导通(正接正),要么稳压(正接负),稳压管的稳压区是其工作在 反向击穿区

5、三极管

半导体器件基础(期末模电速成)_第5张图片

 b、c、e的三个电压中:中间的为b ,离b 近的为e ,离b 远的为c

对于硅来说:ub-ue = 0.7

对于锗来说:ub-ue = 0.3

三极管工作于放大区时:

对于NPN型有:uc>ub>ue

对于PNP型有:uc

三极管:电流放大,ic = βib,ib控制ic,电流控制型

场效应管:电压放大,iD = f(uGS),电压控制电流,电压控制型

三极管的三种状态:

放大状态:发射结正偏,集电结反偏;

饱和状态:发射结、集电结均正偏;

截止状态:发射结、集电结均反偏

如何判断正反偏?

看uP是否大于uN,大于则正偏,否则反偏。

比如NPN型中:

若ub>uc则集电结正偏;

若ub>ue则发射结正偏。

三极管工作在放大状态

内部条件:发射区掺杂浓度高,基区薄且掺杂浓度低,集电区面积大。

外部条件:发射结正偏,集电结反偏。

温度升高,三极管的反向饱和电流ICBO增大,发射结的正向导通电压UBE降低。

关于三极管内电流流向?

两入一出,NPN型:出就是指发射极流出,此时另外两个的方向与发射极相反,都流入

一入两出,PNP型:入就是指发射极流入,此时另外两个的方向与发射极相反,都流出

对于复合管同样适用

6、场效应管

半导体器件基础(期末模电速成)_第6张图片

箭头向内为N沟道,向外为P沟道

只有一根线为结型

半导体器件基础(期末模电速成)_第7张图片

两根线,第二根线断开为增强型,第二根线连接为耗尽型 

很明显重点就是三极管!

 

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