硬件系统工程师宝典(27)-----MOSFET、BJT搭配,干活不累

各位同学大家好,欢迎继续做客电子工程学习圈,今天我们继续来讲这本书,硬件系统工程师宝典。上篇我们说到场效应管的原理是通过“监测”栅极和源极间电压来实现控制漏极-源极之间电流的目的。今天我们来讲讲场效应管如何和BJT搭配设计控制电路。

在电路设计中,一般BJT会配合MOSFET来实现MOSFET漏极和源极之间的导通和闭合,BJT和MOSFET常用的配合有四种,分别是:NPN型BJT+增强型PMOS、PNP型BJT+增强型PMOS、NPN型BJT+增强型NMOS和PNP型BJT+增强型NMOS。

NPN型BJT+增强型PMOS

NPN型BJT+增强型PMOS适用于控制信号是高电平时,控制电路如下图所示:

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​NPN型BJT+增强型PMOS控制电路

上图电路中,PMOS的源极S接Input信号端,漏极D接电路后面的负载。一般在电源控制电路中,Input为某一电平的电源,Output是另一个需要时序控制的电源,受Enable信号控制,此电路在很多电子系统上电时序控制的电路中应用广泛。

该电路的工作流程:当Enable控制信号为低电平时,此时Q1处于关断状态,集电极和发射极处于断开状态。那么,Q1的集电极通过电阻R1上拉到Input高电平,同样U1的栅极为高电平,Vgs没有满足导通条件,PMOS此时处于关断状态,Output没有信号输出。当Enable控制信号为高电平时,三极管Q1导通,此时Q1的集电极和发射极处于导通状态。那么Q1的集电极C(也是U1的栅极G)为低电平,此时Vgs<0,此时PMOS导通,Output和Input连通。这里PMOS管导通,电源的传递方向是从源极S到漏极D,如果是NMOS管,电流方向是从漏极D流向源极S,因此,当MOS工作时,电流方向必须和体二极管相反,否则电流会直接从体二极管流过,MOS管就起不到开关作用。

电路中的R1是用来保证PMOS栅极的状态,必不可少;电路中的R4用来保证Q1在默认状态下不导通,当Enable有确定状态时,R4可去掉,若为高阻态,R4必须要有;R3用来限制基极电流(基极电流一般很小);C1和R2构成延时电路,减缓驱动MOS栅极时的瞬态电流,有效保护MOS管。

PNP型BJT+增强型PMOS

PNP型BJT+增强型PMOS适用于控制信号为低电平时。控制电路如下图所示:

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​PNP型BJT+增强型PMOS控制电路

当Enable信号为高电平时,Q2截止,Q2的发射极E和集电极C处于断开状态,此时发射极E通过R2和R1上拉到Input(高电平状态),PMOS处于关断状态。当Enable控制信号为低电平时,Q2导通,Q2的发射极E和基极B之间的二极管导通,发射极E的电平被拉低,从而使PMOS导通,电流从Input端流向Output端。

NPN型BJT+增强型NMOS

采用NPN型BJT+增强型NMOS如下图所示,为保证NMOS导通,源极S接Input端,栅极接Input+Vgs,此时可以满足NMOSFET导通,但是发现NMOS电流的方向是从源极S流向漏极D,NMOS无法起到控制作用,电流从NMOS的体二极管直接流过。因此,要对此电路进行更改。

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​NPN型BJT+增强型NMOS控制电路

电路更改后,改变输入/输出方向,如下图所示,改变输入/输出的方向,NMOS的漏极D作为信号输入,源极S作为信号的输出,但是问题是不知道Output的电平值,就不好确定栅极G的驱动电压。此时,MOSFET的驱动电压就需要一个和源极一起变化的电压,确保MOSFET正常导通。

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​更改后的NPN型BJT+增强型NMOS控制电路

PNP型BJT+增强型NMOS

采用PNP型BJT+增强型NMOS时,也要注意输入和输出的方向,不能出现NMOS管的体二极管导通状态使NMOS起不到开关作用,驱动电路如下所示:

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​PNP型BJT+增强型NMOS控制电路

对于MOS电路在电源中的应用,很多时候也会采用NMOS+PMOS的形式,如下图所示,当Enable控制端输出高电平时,Q27导通,此时NMOS的漏极D和源极S导通,电流从D流向S,那么Q26的栅极G被拉低,其栅极和源极电压Vgs=-5V<0,符合PMOS导通条件,此时Q26的源极和漏极导通,电流从+5V流向VCC5B。当Enable控制端输出低电平时,Q27截止,此时Q27漏极为高电平,从而使得Q26处于关断状态,VCC5B没有电源供给。

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​增强型NMOS+增强型PMOS控制电路

NMOS和PMOS的驱动总结

1.NMOS高端驱动:MOS管可以用来控制电源的上电时序,使一端从另一端获得电流。当电路中电流很大时,由于同性能的NMOS导通电阻小于PMOS,因此驱动电路一般采用NMOS,应用时需要确保栅极驱动电压高于源极电压。

2.NMOS低端驱动:NMOS用于低端驱动时,NMOS的源极接地,只要在栅极加载一定驱动电压,就可以驱动NMOS的漏极和源极导通了。

3.PMOS高端驱动:PMOS用于高端驱动时,源极接外接电源,漏极接后续负载,控制栅极电位为低电平时,PMOS导通,PMOS具有较大的导通电阻,价格比NMOS贵。不同于BJT管,MOS管具有正温度系数,温度升高时,导通阻抗会逐渐变大,如下图所示:

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​MOS导通电阻随温度的变化曲线

根据MOS管的这一特性适合并联电路中的均流,因此当电路中的电流很大时,一般会采用并联MOS的方法来进行分流。如下图所示为并联MOS管实现电流均衡电路。

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​并联MOS管实现的电流均衡

如上图电路,采用MOS进行电流均流,当其中一路电流大于另一路MOS中的电流时,电流大的MOS产生的热量就会多,从而引起导通阻抗的增大,减小流过的电流。MOS管之间根据电流大小的不同来反复调节,最后可实现两个MOS管之间电流的均衡。要注意两个MOS管要完全一致,散热过孔一致、布局一致、共用散热片,要确保2个MOS管工作环境一致。


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