STM32L0 低功耗 比较器回差电压对单片机影响

选择低功耗具体选择哪种唤醒方式 ？ 唤醒选择  待机模式Cortex®-M7 深度睡眠模式，此时内核停止，外设也停止工作，1.2V域断电，SRAM和寄存器内容将丢失。待机模式唤醒后是重新运行程序，相当于重启，而不是在程序原来的位置继续运行。待机模式只能从WAKEUP引脚上升沿或下降沿，RTC,复位引脚，IWDG(独立看门狗) 复位唤醒。不能通过其他中断唤醒。前面睡眠模式和停止模式可以通过WAKEUP引脚的外部中断唤醒，但是待机模式不能通过外部中断唤醒。

有 外部中断  串口唤醒 中断  选择停止模式 

        程序中先失能WAKUP引脚，清除唤醒引脚标志，然后使能WAKEUP 1号管脚,即PA0.stm32F7xx WAKEUP引脚一共有五个，分别为PA0/PA2/PC1/PC13/PI8/PI11。

        待机模式中只有备份域还在工作，可以通过RTC唤醒和通过备SRAM备份数据。具体可以参考程序中STANDBY_RTC_MODE和STANDBY_BKPSRAM_MODE。这里不在详细讲解。

        修改stm32fxx_lp_modes.h头文件中的宏定义注释选择对应低功耗模式，编译程序并下载到开发板。打开串口调试助手,设置波特率为115200。按下Open746I开发板中WAKEUP按键进入低功耗模式，再次按下按键或者等待20s退出低功耗模式。

1端口设置 

GPIO_Initure.Mode = GPIO_MODE_ANALOG;

模拟输入和输出都可以，和ADC输入模式不一样的。
在cubeMX中配置，会看到一个低功耗配置选项，是否把不用的GPIO配置为模拟输入。原因是芯片上电默认GPIO是浮空输入的，在干扰和噪声环境下，内部的施密特触发器输出随机电平状态，造成功耗上升。而设置为模拟复用，施密特触发器的输出强制为0，降低功耗和噪声

2 PWR  /(PWR_CSR) 电源控制/状态寄存器PWR power control/status register 0x04
偏移地址：0x0000 0008（复位值：不通过从待机模式唤醒进行复位）APBAPB与标准的 读操作相比，读取此寄存器需要更多的  周期。

EWUP3  WKUP3 (Enable WKUP pin 3)：使能引脚1此位由软件置和清零。

0：WKUP3I/OWK 用于通用IO口 引脚上的事件不会将器件从待机模式唤醒。

1：WKUP3         引脚用于从待机模式唤醒器件并被强制下拉    上升沿触发唤醒系统。

开漏Open Drain（开集Open Collector）
开漏输出：输出端相当于三极管的集电极，要得到高电平状态需要上拉电阻才行，适合于做电流型的驱动，其吸收电流的能力相对强(一般20mA以内)。
栅极输入 0 时，NMOS 的漏极和源极导通，输出0。 
栅极输入 1 时，NMOS 不导通，漏极高阻，输出1（需要外部上拉电路，上升沿比较缓慢）。

推挽Push Pull

推挽输出：可以输出高,低电平,连接数字器件。 
栅极输入 0 时，高侧PMOS 高阻，低侧NMOS导通，输出0。 

栅极输入 1 时，高侧PMOS 导通，低侧NMOS高阻，输出1（不需要外部上拉电路，上升沿比较陡峭）

GPIO模拟配置代码示例
/* (1)使能GPIOA的外设时钟*/
/* (2)选择GPIOA引脚0上的模拟模式（00 -默认值）*/
RCC->IOPENR |= RCC_IOPENR_GPIOAEN; /* (1) */
GPIOA->MODER &= ~(GPIO_MODER_MODE0); /* (2) */

由于两管栅极工作电压极性相反，故将两管栅极相连作为输入端，两个漏极相连作为输出端，如图1(a)所示，则两管正好互为负载，处于互补工作状态。

当输入低电平(Vi=Vss)时，PMOS管导通，NMOS管截止，输出高电平，如图1(b)所示。

当输入高电平（Vi=VDD）时，PMOS管截止，NMOS管导通，输出为低电平，如图1(c)所示。

两管如单刀双掷开关一样交替工作，构成反相器（互补工作状态）

而与非门和或非门还有非门则是由CMOS来构造的。详见《数字设计原理与实践》P62

参考这个电路  R45 是接还是不接呢 ，，如果比较器正常状态输出高电平，R45 选择100K不接，这里的PMOS 。。有两个作用 一个起到导相器，另一个作用起到电路隔离作用 。。