（512Mbit）MT25QL512ABB8E12-0AAT、MT25QL512ABB1EW9-0SIT串行NOR闪存【IPT015N10N5】N-CH 100V场效应管

IPT015N10N5 MOSFET场效应管采用OptiMOS™ 线性 FET，即可实现增强型 MOSFET 饱和区域内导通电阻 (RDS(on)) 与线性模式能力的出色平衡。OptiMOS™ 线性 FET 是款革命性解决方案，兼顾沟槽栅 MOSFET 的出色 RDS(on) 以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区。

该产品是电信及电池管理系统中热插拔和电熔丝（电子保险丝）等常见应用的理想之选。通过限制高浪涌电流，OptiMOS™ 线性 FET MOSFET 可避免负载受损。

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：16000 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：375W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOF-8-1
封装/外壳：8-PowerSFN
基本产品编号：IPT015

应用：
• 电信 - 热插拔控制
• 服务器 - 热插拔控制
• 电池管理(BMS) – 电池保护

 

（512Mbit）MT25QL512ABB8E12-0AAT、MT25QL512ABB1EW9-0SIT串行NOR闪存【IPT015N10N5】N-CH 100V场效应管，明佳达。

512Mbit MT25QL512ABB 串行NOR闪存可满足消费电子、工业、有线通信以及计算应用的需求。这些器件采用行业标准封装、引脚分配、命令集和芯片组兼容性，易于为各类设计所采用。这样可节省宝贵的开发时间，同时确保与现有和未来设计的兼容性。

这些串行NOR闪存具有低引脚数，简单易用，是适用于编码阴影应用的简单解决方案；只需在存储器中提供一个起始地址用于读取，然后即可在整个存储器阵列中连续地从器件输出数据。高级安全和内存保护等特性可让您高枕无忧，确保重要程序代码和敏感用户数据的安全。Micron的串行NOR闪存解决方案可满足您的任何应用需求。

特性：
• 较低密度、低引脚数（串行）
• 简单易用
• 可靠的代码和数据存储
• 快速读取和随机访问时间
• 较高的耐用性和数据保持力

MT25QL512ABB1EW9-0SIT 规格：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：512Mbit
存储器组织：64M x 8
存储器接口：SPI
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：8ms, 2.8ms
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-WDFN 裸焊盘
供应商器件封装：8-WPDFN (8x6) (MLP8)

 

MT25QL512ABB8E12-0AAT 参数：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：512Mbit
存储器组织：64M x 8
存储器接口：SPI
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：8ms, 2.8ms
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 105°C (TA)
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：24-TBGA
供应商器件封装：24-T-PBGA (6x8)

 

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