PN结的空间电荷区与耗尽区

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  • 空间电荷区
  • 耗尽区
  • 区别

空间电荷区

PN结的空间电荷区与耗尽区_第1张图片

空间电荷区是指PN结中的一段区域,在该区域中,由于掺杂浓度很低,因此几乎没有自由载流子,同时有外加电场的作用,因此电子和空穴将被电场强迫移动,从而导致电荷的堆积和空间电荷效应的产生。

在空间电荷区中,由于缺少自由载流子,外加电场不能被屏蔽,因此电场很强,可以达到几百万伏/厘米以上。这种强电场在器件设计和应用中具有重要的意义,例如在二极管、太阳能电池等高速、高频电子器件中,空间电荷区起到了关键的作用。

空间电荷区的宽度很小,通常只有几个纳米,但其影响范围很大。当PN结处于反向偏置状态时,空间电荷区扩大,阻止了电流的流动;当PN结处于正向偏置状态时,空间电荷区缩小,允许电流流过。因此,空间电荷区的形成和变化对PN结的电学特性和器件性能有着重要的影响。

耗尽区

PN结的空间电荷区与耗尽区_第2张图片
耗尽区是指PN结中的一段区域,在该区域中,由于P型半导体和N型半导体之间的掺杂浓度不同,形成了内建电势,导致少量的自由载流子在该区域中被剥离,而形成极低的载流子浓度。

在耗尽区中,由于内建电势的作用,形成了大量的正负离子,但是它们不能自由移动,因此不会形成电流。当施加外加电压时,如果电压反向偏置,耗尽区的宽度会增加,内建电势也会增大,进一步减少耗尽区的载流子浓度;如果电压正向偏置,耗尽区的宽度会减小,内建电势也会减小,少量的自由载流子会从N型半导体向P型半导体移动,从而形成电流。

耗尽区的宽度通常是几十纳米到几百纳米之间,是PN结的关键部分。在PN结的整流、放大、开关等器件中,耗尽区起到了重要的作用。

区别

载流子类型:空间电荷区中,由于高斯-穿隧效应和热激发,会形成一些自由电子和空穴,但是自由电子和空穴数量相等,因此不会形成电流。而在耗尽区,由于PN结的内建电势,形成了大量的正负离子,但是它们不能自由移动,因此也不会形成电流。

掺杂浓度:空间电荷区的掺杂浓度很低,几乎没有自由载流子,而耗尽区的掺杂浓度高,但是在PN结中心区域,因为掺杂浓度的变化,形成了耗尽区,其中的载流子浓度非常低。

电场:空间电荷区的电场很强,因为在空间电荷区中,由于缺少自由载流子,外加电场不能被屏蔽,因此电场很强。而在耗尽区中,由于内建电势的作用,虽然存在一定的电场,但是很小。

宽度:空间电荷区的宽度很小,只有几个纳米,而耗尽区的宽度较大,数十个到数百个纳米。

功能:空间电荷区主要用于实现高速、高频的电子器件,如二极管、太阳能电池等。而耗尽区则是PN结的关键部分,可以实现半导体器件的整流、放大、开关等功能。

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