DP83TG720RWRHARQ1汽车以太网PHY,NTHL020N120SC1 通孔 N-CH 1200V 103A(MOSFET)

DP83TG720RWRHARQ1汽车以太网PHY是一款符合IEEE 802.3bp和Open Alliance标准的汽车以太网物理层收发器。该器件通过屏蔽/屏蔽单双绞线提供传输和接收数据所需的所有物理层功能。该器件支持RGMII与MAC连接。

DP83TG720RWRHARQ1汽车以太网PHY,NTHL020N120SC1 通孔 N-CH 1200V 103A(MOSFET)_第1张图片 

应用:
远程信息处理控制单元(TCU、TBOX)
网关和车身控制
ADAS(LIDAR、RADAR和前置摄像头)

详细描述:全,半 收发器 1/1 IEEE 802.3 36-VQFN(6x6)
类型:收发器
协议:IEEE 802.3
驱动器/接收器数:1/1
双工:全,半
数据速率:1Gbps
电压 - 供电:0.95V ~ 1.1V,2.97V ~ 3.63V
工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:36-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装:36-VQFN(6x6)

DP83TG720RWRHARQ1汽车以太网PHY,NTHL020N120SC1 通孔 N-CH 1200V 103A(MOSFET)— 明佳达

1200V EliteSiC(碳化硅)MOSFET采用全新技术,与硅器件相比,具有更出色的开关性能和更高的可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻,可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。这些MOSFET具有阻断电压、高速开关、低电容等特性,工作温度范围为-55°C至175°C。1200V SiC MOSFET符合汽车AEC-Q101标准和RoHS指令。这些MOSFET非常适合用于升压逆变器、充电站、直流-直流逆变器、直流-直流转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。

DP83TG720RWRHARQ1汽车以太网PHY,NTHL020N120SC1 通孔 N-CH 1200V 103A(MOSFET)_第2张图片 

特性
• Typ。RDS(on)= 20 m
• 超低栅极电荷(QG(tot)= 203 nC)
• 电容(损耗= 260 pF)
• 100% UIL测试
• 该器件不含卤化物,符合RoHS标准,免征7a,Pb - Free 2LI(二级互连)

典型的应用
• UPS
• DC−DC转换器
• 升压逆变器

NTHL020N120SC1 通孔 N 通道 1200 V 103A(Tc) 535W(Tc) TO-247-3
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):103A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28毫欧 @ 60A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):203 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+25V,-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2890 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):535W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-3
封装/外壳:TO-247-3
基本产品编号:NTHL020

注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!

你可能感兴趣的:(明佳达电子,汽车,网络,综合资源)