DP83TG720RWRHARQ1汽车以太网PHY，NTHL020N120SC1 通孔 N-CH 1200V 103A（MOSFET）

DP83TG720RWRHARQ1汽车以太网PHY是一款符合IEEE 802.3bp和Open Alliance标准的汽车以太网物理层收发器。该器件通过屏蔽/屏蔽单双绞线提供传输和接收数据所需的所有物理层功能。该器件支持RGMII与MAC连接。

 

应用：
远程信息处理控制单元（TCU、TBOX）
网关和车身控制
ADAS（LIDAR、RADAR和前置摄像头）

详细描述：全，半 收发器 1/1 IEEE 802.3 36-VQFN（6x6）
类型：收发器
协议：IEEE 802.3
驱动器/接收器数：1/1
双工：全，半
数据速率：1Gbps
电压 - 供电：0.95V ~ 1.1V，2.97V ~ 3.63V
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：36-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：36-VQFN（6x6）

DP83TG720RWRHARQ1汽车以太网PHY，NTHL020N120SC1 通孔 N-CH 1200V 103A（MOSFET）— 明佳达

1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用全新技术，与硅器件相比，具有更出色的开关性能和更高的可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。这些MOSFET具有阻断电压、高速开关、低电容等特性，工作温度范围为-55°C至175°C。1200V SiC MOSFET符合汽车AEC-Q101标准和RoHS指令。这些MOSFET非常适合用于升压逆变器、充电站、直流-直流逆变器、直流-直流转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。

 

特性
• Typ。RDS(on)= 20 m
• 超低栅极电荷(QG(tot)= 203 nC)
• 电容(损耗= 260 pF)
• 100% UIL测试
• 该器件不含卤化物，符合RoHS标准，免征7a,Pb - Free 2LI(二级互连)

典型的应用
• UPS
• DC−DC转换器
• 升压逆变器

NTHL020N120SC1 通孔 N 通道 1200 V 103A（Tc） 535W（Tc） TO-247-3
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：103A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：28毫欧 @ 60A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：203 nC @ 20 V
Vgs（最大值）：+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2890 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：535W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3
封装/外壳：TO-247-3
基本产品编号：NTHL020

注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！