ROM RAM FLASH的异同点

1. 存储器分类

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SRAM主要用在cache上,DRAM主要用在DDR上,也就是内存上

2. ROM

PROM:一次可编程存储器,它的存储阵列由带金属熔丝的二极管构成
EPROM:光可擦除可编程存储器,它的存储阵列由SIMOS管构成
E2PROM:电可擦除可编程存储器,存储单元有Float MOS管构成
FLASH:擦除和写入是分开进行的,由快闪叠栅MOS管构成,比如U盘
ROM主要是用里存储电脑的一些出厂设置信息

3. 硬盘

硬盘分为两种,一种是机械硬盘(HDD),一种是固态硬盘(SSD),机械硬盘主要用的是磁性材料,和RAM ROM等半导体存储介质有着本质上的不同,但是固态硬盘(SSD)用到的颗粒也是基于NAND FLASH技术。

4. NOR Flash和 NAND flash的区别

  1. flash在写入之前必须先擦除才行。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。
  2. NAND的写入速度更快,集成度更高,价格更便宜。NOR的读取速度快,能够直接在NOR FLASH上运行程序
    相同点:
  3. 都是非易失性存储介质,也就是说掉电不会丢失内容
  4. 在写入前都需要进行擦除
    不同点:


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