FQPF27P06 P沟道增强型MOS管电压、原理、导通条件！

关于P沟道增强型功率MOSFET？

P沟道增强型功率MOSFET是一种常见的功率场效应晶体管，它主要用于功率放大和开关电路。与N沟道增强型MOSFET相比，P沟道增强型MOSFET的工作原理相反。

在P沟道增强型MOSFET中，沟道区域是由P型材料形成的。当施加正电压到晶体管栅极上时，电场会吸引正电荷到栅极下方，导致栅极上方的P沟道区域中形成一个N型的导电通道。这个导电通道连接了源极和漏极，允许电流流动。

P沟道增强型MOSFET具有以下特点：

1. 具有低导通电阻：由于导电通道中的N型区域较小，所以P沟道增强型MOSFET具有较低的导通电阻，可以实现高效率的功率放大和开关操作。
2. 高输入阻抗：由于栅极和导电通道之间存在一个绝缘层，所以P沟道增强型MOSFET具有较高的输入阻抗，可以减少输入信号的损耗。
3. 反向击穿电压高：P沟道增强型MOSFET的栅极和沟道之间的绝缘层可以承受较高的反向击穿电压，具有较好的耐压性能。

P沟道增强型MOSFET在各种应用中都有广泛的应用，例如功率放大器、开关电源、电机驱动器等。它们可以提供高性能、高效率和可靠性的功率控制解决方案。

FQPF27P06 深力科产品详情：

关于FQPF27P06 P沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术这种先进的MOSFET技术专为降低导通电阻而设计，并提供卓越性能开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关功率应用程序。

其主要优势和特点如下:

1.-17A, -60V, RDS(on)= 26mΩ（最大值）

     @VGS = -10 V, ID = -8.5A                                              

2.栅极电荷低（典型值：33nC)
3.低 Crss（典型值120pF)
4.100% 经过雪崩击穿测试
5.175°C最大结温额定值"

应用领域：

手机数码充电器  

空气净化器  

音频放大器  

双向储能  

军工不间断电源