集成片上光隔离器

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目前来说,光隔离器的片上集成还是集成领域的一大难题,目前已经发表的一些关于隔离器的文章都不能商用,存在着插入损耗高、工作带宽小、隔离度差、工艺困难的技术难点。

片上光隔离器基于的原理有以下几种:


一、片上集成磁光材料改变光偏振方向

      原理与分立的类似,目前商用的分立器件均是基于YIG,Bi:YIG等磁光晶体的法拉第效应实现光隔离。

集成片上光隔离器_第1张图片

(分立光隔离器原理)

二、利用磁光效应改变传播相位,相位变化再转换为强度变化。

      典型的是通过MZ干涉仪溅射YIG(石榴石)晶体来实现。

以上两种都是需要磁光材料,但磁光材料与半导体基片材料之间有很大的晶格失配,所以以上两种方式并没有很好的商用。
 

三、利用材料的非线性克尔效应

今年2月份nature photonics上的一篇文章,利用氮化硅微腔的非线性克尔效应,实现片上无磁无源隔离器。

集成片上光隔离器_第2张图片

光通过该隔离器时,会对微环进行加热,这会导致微环折射率发生变化,导致微环共振频率下降,进而使微环透射峰发生偏移;而不同传播方向的光束,在进入微环之后受到的调制效应不同,正、逆向传播的激光分别会受到SPM、XPM效应的调制作用,最终导致不同方向激光透射峰的位置不同,当正向传播光的透射率处于透射曲线的峰值时,逆向传播光的透射率则极低。

简而言之,就是加热微环使共振频率下降,不同方向的光由于受到的调制效应不同,透射率不同。

四、利用薄膜铌酸锂电光调制

微波信号相对于DFB激光器输出反向传播,反射光受到很大的相位调制,而正向传输没有,反向传播的光功率将被分散到边带上,从而极大地降低了反向光载波在其原始频率上的强度。

集成片上光隔离器_第3张图片

当然还有很多其他种方法,以上是比较常见的,新方法也层出不穷,但都没到可以商用的地步。

附录:

克尔效应:克尔效应由材料的三阶非线性磁化率引起,可被具体描述为对材料折射率的影响,能够改变光束的传播状态,一般而言,折射率会随着光强的增加而增加。这种与时间、频率等参量均显现出相关关系的折射率变化规律,同样也会引起诸如自相位调制(SPM),交叉相位调制(XPM)等效应的作用。

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