使用STM32的SPI控制器,对外部的W25X16 FLASH(2M字节)芯片进行操作。以下为逻辑分析仪抓取的时序。
以下是该FLASH芯片的命令表。
1、 1、读取器件ID。
先拉低片选信号CS,再发送命令0XAB,再发送三个字节的dummy。读取第四个字节数据,数据就是device ID。最后拉高CS,结束一次操作。
以下是发送命令0XAB放大的图。可以看出CLK空闲状态是高电平(CPOL = 1),偶数边沿为采样时刻(CPHA = 1)。
2、 2、读取jedec标准ID
先拉低片选信号CS,再发送命令0X9f,读取三个数据。最后拉高CS,结束一次操作。
第一个数据:生产厂商
第二个数据:存储器类型
第三个数据:容量
3、 3、 写使能
Flash在写数据,擦除,写状态寄存器之前,首先要打开写使能。打开写使能的方法也很简单,发送命令0x06即可。
4、 4、 写数据
拉低片选,发送命令0x02,表示写操作。发送3个字节的地址。因为选用的flash芯片大小为2M,地址范围为0x00_0000 – 0x1f_ffff。所以需要24位表示地址。因此要发送3个字节来表征写入的地址。
三个地址发送完毕后,就开始发送要写入的数据。
数据写完毕后,拉高片选即可。
在写数据完成后,要读取flash芯片的状态寄存器,判断器件状态。
读取状态寄存器,所用命令为0x05,第二个SPI周期即为读取的状态寄存器值,可以一直读取该状态寄存器的值。
当读到状态寄存器的值为0x00后,表示器件完成写操作。
5、 5、扇区擦除
使用命令0x20对扇区进行擦除。
擦除是从写入扇区地址开始到扇区结束地址之间的内容擦除。即如果写入擦除的地址是0x00_0010,那么就会将0x00_0010 – 0x00_0FFF(一个扇区大小是4k)之间的内存区域擦除为0xff。
6、
6、块擦除
和扇区擦除一样,只是发的命令为0xd8,擦除的最大大小是64KB。
7、 7、芯片擦除
擦除整个芯片,发送命令0xc7。
8、 8、 读数据
FLASH的读数据有三种方式:
第一种是普通读方式:
先拉低片选信号CS,再发送命令0X03,发送读取数据的地址,3个字节。后面每个SPI周期,就是读取的数据。
第二种是快速读方式(fast read):
先拉低片选信号CS,再发送命令0X0b,发送读取数据的地址,3个字节。发送一个dummy的SPI周期,后面每个SPI周期,就是读取的数据。
快速读方式,要等待5个SPI周期后,才开始读取有效信息。而普通读模式下,只需等待4个SPI周期后,就可以读取有效信息了。
第三种是快速双通道读方式(fast read dual output)
拉低片选CS,发送命令0x3b,发送读取数据的地址,3个字节。发送一个dummy的SPI周期,后面每个SPI周期,就是读取的数据。
从时序图。看出这种读方式下,MOSI和MISO都参与了读数据的传输。所以在这种模式下,一个SPI可以读取两个字节。
第一个字节 第二个字节
MISO (1D7, 1D5, 1D3, 1D2) (2D7, 2D5, 2D3, 2D2)
MOSI (1D6, 1D4, 1D2, 1D0) (2D6, 2D4, 2D2, 2D0)
下面通过波形图比较一下三种读取数据方式:
普通read读取的波形图。第一个有效数据在第5个SPI处,值为0x69, 第二个有效数据在第6个SPI处,值为0x20。
Fast read读取的波形图。第一个有效数据在第6个SPI处,值为0x69,第二个有效数据在第7个SPI处,值为0x20。
Fast read dual读取的波形图。MOSI和MISO同时参与数据的读取。第一个有效数据和第二个有效数据在第6个SPI处。
MISO 0 1 1 0 0 1 0 0 ( 1D7, 1D5, 1D3, 1D1) ( 2D7, 2D5, 2D3, 2D1)
MOSI 1 0 0 1 0 0 0 0 (1D6, 1D4, 1D2, 1D0) (2D6, 2D4, 2D2, 2D0)
组合得到第一个数据 01 10 10 01 0x69
组合得到第二个数据 00 10 00 00 0x20
从抓取的波形图,来学习SPI驱动外部的FLASH,是可以很直观的看到数据传输的过程,从而对SPI协议及外部的FLASH驱动有更深的了解。
可以下载pdf,查看清晰波形图片信息。