AMEYA360:罗姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET

 ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD保护和出色的散热性能,方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。

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  特性

  》650V E模式GaN FET

  》低导通电阻

  》高速开关

  》内置ESD保护

  》高度可靠的设计

  》帮助减少电源转换效率和尺寸

  》出色的散热性能

  》符合RoHS标准

  应用

  》高开关频率转换器

  》高密度转换器

  规范

  》GNP1070TC-Z

  》DFN8080K封装类型

  》连续漏极电流范围:7.3A至20A

  》脉冲漏极电流范围:24A至66A

  》漏源电压:650V

  》瞬态漏源电压:750V

  》栅源电压范围:-10VDC 至+6VDC

  》瞬态栅源电压:8.5V

  》+25℃时功耗:56W

  》栅极输入电阻:0.86Ω(典型值)

  》输入电容:200pF(典型值)

  》输出电容:50pF(典型值)

  》输出电荷:44nC

  》总栅极电荷:5.2nC(典型值)

  》典型接通延迟时间:5.9ns

  》典型上升时间:6.9ns

  》典型关闭延迟时间:8.0ns

  》典型下降时间:8.7ns

  》GNP1150TCA-Z

  》DFN8080AK封装样式

  》连续漏极电流范围:5A至11A

  》脉冲漏极电流范围:17A至35A

  》漏源电压:650V

  》瞬态漏源电压:750V

  》栅源电压范围:-10VDC 至+6VDC

  》瞬态栅源电压:8.5V

  》+25℃时功耗:62.5W

  》栅极输入电阻:2.6Ω(典型值)

  》输入电容:112pF(典型值)

  》输出电容:19pF(典型值)

  》输出电荷:18.5nC

  》典型总栅极电荷:2.7nC

  》典型接通延迟时间:4.7ns

  》典型上升时间:5.3ns

  》典型关闭延迟时间:6.2ns

  》典型下降时间:8.3ns

 

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