STM32CUBEIDE（16）----内部Flash读写
STM32CUBEIDE（16）----内部Flash读写
- 概述
- 视频教学
- csdn课程
- 硬件准备
- 配置时钟树
- 串口重定向
- FLASH定义
-
- 低密度
- 中密度
-
- 高密度
- 变量定义
- 演示效果
- 最后
概述
本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是STM32F103RBT6，128K大小的Flash。
最近在弄ST和GD的课程，需要GD样片的可以加群申请：6_15061293 。
视频教学
https://www.bilibili.com/video/BV19d4y1Y7Px/
STM32CUBEIDE（16）----内部Flash读写
csdn课程
课程更加详细。
https://download.csdn.net/course/detail/35611
硬件准备
使用STM32CUBEMX生成例程，这里使用NUCLEO-F103RB开发板
查看原理图，PA2和PA3设置为开发板的串口。
配置串口。
查看原理图，PA8设置为PWM输出管脚，PA0设置为定时器输入捕获管脚。
配置时钟树
配置时钟为64M。
串口重定向
在main.c中，添加头文件，若不添加会出现 identifier “FILE” is undefined报错。
/* USER CODE BEGIN Includes */
#include "stdio.h"
/* USER CODE END Includes */
函数声明和串口重定向：
/* USER CODE BEGIN PFP */
/* retarget the C library printf function to the USART */
int fputc(int ch, FILE *f)
{
HAL_UART_Transmit(&huart2 , (uint8_t *)&ch, 1, 0xFFFF);
return ch;
}
/* USER CODE END PFP */
FLASH定义
对于STM32F103，有低、钟、高密度的FLASH类型。
低密度
中密度
高密度
对于STM32F103RB,FLASH大小为128KB，固为中密度的Flash。
变量定义
/* USER CODE BEGIN 0 */
uint32_t WriteFlashData[3] = {0x11111111,0x22222222,0x33333333};//数据
uint32_t addr = 0x0801FC00;
/* USER CODE END 0 */
如果要对FLASH进行写入数据，需要执行以下四步：
- 解锁FLASH
- 擦除FLASH
- 写入FLASH
- 锁住FLASH
擦除只能是按页或者整块擦除。
STM32F103RBT6的Flash容量是128KB,所以只有128页，每页1KB。
我们可以写入到页127中，即0x0801FC00-0x0801FFFF中。
由于单片机是32位，故连续写入多个uint32_t的数据时，地址应该依次增加4。
/* USER CODE BEGIN 4 */
/*FLASH写入程序*/
void WriteFlashTest(uint32_t L,uint32_t Data[],uint32_t addr)
{
uint32_t i=0;
/* 1/4解锁FLASH*/
HAL_FLASH_Unlock();
/* 2/4擦除FLASH*/
/*初始化FLASH_EraseInitTypeDef*/
/*擦除方式页擦除FLASH_TYPEERASE_PAGES，块擦除FLASH_TYPEERASE_MASSERASE*/
/*擦除页数*/
/*擦除地址*/
FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
FlashSet.PageAddress = addr;
FlashSet.NbPages = 1;
/*设置PageError，调用擦除函数*/
uint32_t PageError = 0;
HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);
/* 3/4对FLASH烧写*/
for(i=0;i<L;i++)
{
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr+4*i, Data[i]);
}
/* 4/4锁住FLASH*/
HAL_FLASH_Lock();
}
/*FLASH读取打印程序*/
void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t addr)
{
uint32_t i=0;
for(i=0;i<L;i++)
{
printf("\naddr is:0x%x, data is:0x%x", addr+i*4, *(__IO uint32_t*)(addr+i*4));
}
}
/* USER CODE END 4 */
主程序
/* USER CODE BEGIN WHILE */
while (1)
{
/* USER CODE END WHILE */
/* USER CODE BEGIN 3 */
WriteFlashTest(3,WriteFlashData,addr);
PrintFlashTest(3,addr);
HAL_Delay(5000);
}
/* USER CODE END 3 */
演示效果
通过STM32CUBEIDE查看地址也可以看到，值正确写入。
最后
以上的代码会在Q群里分享。QQ群：615061293。
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