一只青木呀
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闪存工作原理

前言

1、闪存类型

闪存有两种分类，NAND型闪存主要用于存储
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2、MOS的特性

MOS管的三个引脚分别是Gate（G）、Source（S）和Drain（D）。Gate（G）引脚是晶闸管的控制引脚，通过控制Gate（G）引脚的电压来控制晶闸管的导通和关断；Source（S）引脚是晶闸管的输入引脚，通过Source（S）引脚可以输入电流；Drain（D）引脚是晶闸管的输出引脚，通过Drain（D）引脚可以输出电流。

给栅极高电平，就导通
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给栅极低电平，就截止
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在MOS管的基础上加入浮栅层和隧穿层就变成浮栅晶体管（存储一位数据的基本单位）
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3、浮栅晶体管写操作（逻辑0）

当给栅极施加较高的高电平（较高的高电平才能让电子穿过隧穿层），电子到浮栅层就被绝缘层阻碍了

当给栅极低电平时，这时隧穿层就相当于绝缘层，这样电子就被存储起来了，这时隧穿层有电子表示逻辑0
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4、浮栅晶体管写操作（逻辑1）

这时给衬底较高的高电平时，电子就会从隧穿层被吸引出来，这时隧穿层没电子表示逻辑1
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根据浮栅层有无电子就可以判断两种状态
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5、读操作

可以通过判断浮栅层当前有无电子，来读取当前的状态

现在给栅极低电平，电子就会被吸引形成沟道（因为低电平不能让隧穿层导通，所以等价于绝缘层）

因为形成了沟道，D极和S极就有电流了，在这回路中加一个电流表来检测是否有电流
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如果浮栅层里有电子的话，由于同性相斥，即使给栅极通电，电子也不会被吸引上来形成沟道

既然没沟道的话，那就没有回路，就检测不到有电流
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Nand Flash闪存读写以页为单位，擦除以块为最小单位

可以看出两个浮栅晶体管共用一个N沟道，连接的是同一块衬底（因为衬底都是同一块，所以以块为单位）
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当要给某一个晶体管写入逻辑0时，给该行较高的高电平（比如20V），给该列低电平（不形成回路，也就不阻碍电子流向浮栅层）
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当给某一个晶体管写入逻辑1时，还是给该行较高的电平（比如20V），给该列高电平（形成回路，阻碍电子流向浮栅层）
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    1、varchar(5)可以存储多少个汉字，多少个字母数字？ 　　相信有好多人应该跟我一样，对这个已经很熟悉了，根据经验我们能很快的做出决定，比如说用varchar(200)去存储url等等，但是，即使你用了很多次也很熟悉了，也有可能对上面的问题做出错误的回答。 　　这个问题我查了好多资料，有的人说是可以存储5个字符，2.5个汉字（每个汉字占用两个字节的话），有的人说这个要区分版本，5.0
  • zoj 3827 Information Entropy(水题) 阿尔萨斯 format
    题目链接：zoj 3827 Information Entropy 题目大意：三种底，计算和。 解题思路：调用库函数就可以直接算了，不过要注意Pi = 0的时候，不过它题目里居然也讲了。。。limp→0+plogb(p)=0，因为p是logp的高阶。 #include <cstdio> #include <cstring> #include <cmath&
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