硬件基础之BJT晶体管

 BJT晶体管01-器件构成

一、技术理论

1.定义

        根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,即构成BJT晶体管。

        BJT是双极结型晶体管(Bipolar Junction TransistorBJT)的缩写,又常称为双载子晶体管。它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件,有PNP和NPN两种组合结构。

2.晶体管类型

①NPN三极管

       如下图,NPN型三极管,由三块半导体构成,其中两块N型和一块P型半导体组成,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧。

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三个区的特点:

基   区——P型半导体,很薄且杂质浓度很低,引出基极b;

发射区——N型半导体,杂质浓度很高,自由电子很多,引出发射极e;

集电极——N型半导体,杂质浓度很低,但面积大,引出集电极c 

        NPN三极管的特性与三个区域的上述特点紧密相关,理解NPN三极管的前提是充分理解PN结。

②PNP三极管

       如下图,PNP型三极管,由三块半导体构成,其中两块P型和一块N型半导体组成,N型半导体在中间,两块P型半导体在两侧。

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 三个区的特点:

基   区——N型半导体,很薄且杂质浓度很低,引出基极b;

发射区——P型半导体,杂质浓度很高,空穴很多,引出发射极e;

集电区——P型半导体,杂质浓度很低,但面积很大,引出集电极c

二、BJT晶体管工作原理

以讲解NPN三极管

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1.工作原理图(电流方向跟电子方向是相反的)

①发射结加正向电压,扩散运动形成发射电流 I_{e} 

        由于发射结加正向电压,又因为发射区的杂质浓度高,自由电子很多,所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区,形成发射极电流 I_{e} 

②扩散到基区的自由电子与空穴复合形成基极电流 I_{b}

        由于基区很薄,杂质浓度很低,所以扩散到基区的自由电子只有极少部分与空穴符合,形成微弱的基极I_{b}

③集电结加反向电压,漂移运动形成集电极电流 I_{c}

        由于集电结加反向电压且结面积很大,基区的非平衡少子(主要为发射极扩散过来的,未与空穴复合的大量自由电子)在外电场的作用下越过集电结达到集电区,形成漂移电流I_{c}

 2.电流放大倍数

便于理解,定性分析:

     发射极扩散出的自由电子,一部分与基极的空穴复合,一部分漂移至集电区,因此: I_{e}=I_{b}+I_{c}

        此外,对于掺杂浓度确定的晶体管,发射极扩散出的自由电子与基极的空穴数量都是固定的,而且有一定的比例关系,我们可以定义为晶体管的放大倍数 β,则

 I_{e}=\beta *I_{b} 

 如此,得出以下的公式:

>> \beta * I_{b}=I_{b}+I_{c}

>> \beta =1+\frac{I_{c}}{I_{b}}

由于 \frac{I_{c}}{I_{b}}>>1

得 \beta =\frac{I_{c}}{I_{b}} (电流放大倍数)

        晶体管的输入输出特性曲线描述各电极之间电压、电流的关系,便于对晶体管的性能、参数电路的分析计算。

3.输入特性曲线

        输入特性曲线描述管压降 U_{ce} 一定的情况下,基极电路 I_{b} 与发射结压降 U_{be} 之间的函数关系,即:

I_{b}=f(U_{be}),U_{ce}=常数

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 分析:

U_{ce}=0V,曲线类似于PN结的伏安特性曲线;

U_{ce} 增大时,曲线将右移,因为发射结扩散至其基区的自由电子部分漂移至集电极,使得 I_{b} 减小,获得同样的 I_{b},需要增大  U_{be}

4.输出特性曲线

        输出特性曲线描述基区电流 I_{b} 一定的情况下,集电极电流 I_{c} 与管压降 U_{ce} 之间的函数关系,即:

I_{c}=f(U_{ce}),I_{b}=常数 

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         对每一个确定的I_{b},都有一条曲线,所以输出特性是一族曲线。对于某一条曲线,当 U_{ce} 从0逐渐增大时,集电极电场随之增强,收集基区非平衡少子的能力逐渐增强,因此 I_{c} 也逐渐增大。但是,当U_{ce}增大到一定数值时,集电极的电量足以将基区的非平衡少子的绝大部分收集到集电区来,U_{ce}再增大,收集能力已经不能明显提高,曲线几乎平行于横轴,此时 I_{c} 几乎仅仅决定于I_{b},表现出放大特性。

从输出特性曲线看,晶体管有三个工作区间(决定其作用)

①截止区

发射结电压小于开启电压集电结反向偏置,即 U_{be}<U_{on}且 U_{ce}>U_{be} 。此时

 I_{b}\approx0,I_{c}\approx0

②放大区

发射结电压大于开启电压集电结反向偏置,即 U_{be}>U_{on}且 U_{ce}>U_{be} 。此时

I_{c} 仅仅取决于 I_{b} , I_{c}=\beta *I_{b}

③饱和区

发射结电压大于开启电压且集电结正向偏置,即 U_{be}>U_{on}且 U_{ce}<U_{be} 。此时 I_{c}不仅仅与I_{b}

有关,而且随 U_{ce}的增大而增大,I_{c}<\beta *I_{b}

 5.简要介绍PNP三极管原理

        PNP晶体管与NPN晶体管的工作原理基本类似,区别是PNP晶体管靠空穴导电,电流方向不同,应用电路也不同。

        简要介绍PNP的工作原理图:

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三、NPN三极管放大电路

        其实,NPN三极管放大电路简要了解就好,项目中基本不用,因为晶体管的放大系数不稳定,受温度影响较大。应用电路通常需要确定的放大倍数且不受环境影响,需要引入反馈环路,输入部分的抗干扰能力要求也高,集成运放满足这个要求。

仿真电路:

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四、晶体管用作信号开关

        实际应用时,晶体管常用作开关使用(开关损耗要足够小),放大电路使用集成运放

        此时,晶体管工作在截止区饱和区

        截止区,I_{c}=0,此时功率 P=I_{c}*U_{ce} 很小

        饱和区,U_{ce} 深度饱和电压很小,功率 P=I_{c}*U_{ce} 相对也很小

1.NPN三极管用于信号开关

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 2.PNP三极管用于信号开关

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五、光电三极管

1.定义

        光电三极管依据光照的强度来控制集电极电流的大小,其功能等效为一只光电二极管与一只晶体管的相连,并引出集电极与发射极,如下图:

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 2.光耦运用

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 与上面反相:

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以下可作为开关使用:(反相器)

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 3.补充光电二极管

        光电二极管依据 光照的强度 来控制PN结,与普通二极管一样,具有单向导电性。

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三、项目实战

        BJT晶体管是流控型器件,小电流控制大电流,与MOS管不同的是,晶体管的驱动电流 I_{b} 很小,对驱动源的要求很低,通常,单片机的IO口可以直接驱动。

        BJT晶体管工作在饱和区时,尽管 U_{ce} 很小,如果 I_{c} 很大,发热还是较大,所以,常用作小功率器件驱动与大功率MOS管的前级驱动。

1.驱动蜂鸣器

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        说明:BUZ为高电平,蜂鸣器工作。

2.与PMOS组成电源开关

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 3.图腾柱驱动电路(主要用来驱动比较大的负载)

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         过程:

        在PWM输入一个高电平的信号,Q4导通,U_{CE} 为0.1V,则 Q3 就截止。而U8的NMOS管是存在寄生电容的。之后再通过R3电阻,通过Q2,再通过Q4,所以R3为限流电阻来保护Q2和Q4(而其阻值根据电压以及频率来决定)。而R6的作用是形成双向放电,便于U8去截止,从而U8是断开的。

        在PWM输入一个低电平的信号,Q4截止,R5就是12V了,从而Q2截止,Q3导通,发射极12V。充电后通过R3,当大于开启电压后,U8就导通了,从而形成低电平导通高电平截止的效果。

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        所以,BJT晶体管是驱动电路常用的开关型器件,应用时应该让其工作在截止区与深度饱和区。

下面这篇的BJT技术讲得挺好的:

什么是BJT?BJT的功能及作用? - 电子常识 - 电子发烧友网 (elecfans.com)

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