第三章 存储器系统 ♥

考点1:存储器的层次、类型及特点

1.存储器: cache、内存、外存

        内存——存放当前运行的程序和数据。

特点：快,容量小,随机存取, CPU可直接访问。-

通常由半导体存储器构成-   [基本原件]

RAM,ROM     [型号]

外存——存放能当前使用的程序和数据。-

        特点：慢，容量大，顺序存取/块存取。需调入内存后CPU才能访问。-

        通常由磁、光存储器构成，也可以由半导体存储器构成-\

        磁盘、磁带、CD-ROM、DVD-ROM、固态盘

2,半导体存储器的分类: RAM、 ROM

        SRAM特点：

        (1)只要不断电,就不会丢失信息;

        (2)相对DRAM,存取速度更快。

        (3)由触发器构成,集成度较低,功耗大,造价成本高。

        (4)一般用作高速缓冲存储器(cache)。

        DRAM的特点主要：

         (1)相对SRAM,存取速度慢；

        (2)由电容构成,集成度高、功耗小,成本低；

        (3)适合制作大规模和大容量的内存;

        (4)由于电容漏电,数据不能长久保存,需要专门的动态刷新电路,定期给电容补充电荷,即刷新。

RAM的3个特性

   (1)可读可写,非破坏性读出,写入时覆盖原内容。

           2)随机存取,存取任一单元所需的时间相同。

            3)易失性(或挥发性)。当断电后,存储器中的内容立即消失。

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3,静态与动态存储器的构成及其特点,SRAM 6264、 DRAM 2164的引脚构成

 静态的WE 是读    OE是写  是分开的 

 

WE 既是读也是写   当是 低电平表示写  高电平 表示读 

增加了 RAS 和 CAS  行选线 和 列选线

EPROM的2764的引脚构成

 只读存储器 OE   CE 片选信号线

考点2:主存的容量

1. 概念：

        位：bit                   [32kx8 分解为  32x1024x8  =32kb   32是字数  8是位数]

        字节：Byte

        字：word                     32kx16 [16]  

        存储元  0/1

        存储单元： 8个b 二进制位 

        存储单元字节编址：

        存储单元字 编址：

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mov AL.[2000H]    #读一个字节  
    AL=12H
MOV AX,[2000H]
    AX=3412H

88/86存储空间的分配

8086 是 20位 地址线   访问  1MB

I/O空间的分配

 2.容量与地址范围关系

 (1) 88/86主存容量1MB

:(2) 中断向量表的1KB:

(3) 1/0接口或主存段的容量64KB:

（4） 6264芯片容量：

                        8kx8=  8kb

                2164:64kx1=

                2732: 4kx8

3.芯片容量、地址线、数据线

(1) SRAM 6116有3条控制线，它们是（        D )

A. OE、 MREQ、 WE

B. MREQ, CS、 WE

C. OE、 CS、 MREQ

D. OE, CS, WE

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SRAM 6264的引脚：

DRAM 2164的引脚：

EPROM 2732的引脚：

考点3：地址译码方法

1. 译码：

        将输入的一组二进制编码变换为一个特定的控制信号，即：将输入的一组高位地址信号通过变换,产生一个有效的控制信号,用于选中某一个存储器芯片,从而确定该存储器芯片在内存中的地址范围。

2. 译码器

三个输入端 C B A 

三个使能端

CE片选信号

|  A  |  B  |  C  |  D0  |  D1  |  D2  |  D3  |  D4  |  D5  |  D6  |  D7  |
| --- | --- | --- | ---  | ---  | ---  | ---  | ---  | ---  | ---  | ---  |
|  0  |  0  |  0  |  1   |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |
|  0  |  0  |  1  |  0   |  1   |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |
|  0  |  1  |  0  |  0   |  0   |  1   |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |
|  0  |  1  |  1  |  0   |  0   |  0   |  1   |  0   |  0   |  0   |  0   |
|  1  |  0  |  0  |  0   |  0   |  0   |  0   |  1   |  0   |  0   |  0   |
|  1  |  0  |  1  |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |  1   |  0   |  0   |
|  1  |  1  |  0  |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |  1   |  0   |
|  1  |  1  |  1  |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |  0   |  1   |

---

3. 部分译码

将SRAM 6264芯片与系统连接,使其地址范围为: 38000H-39FFFH和78000H-79FFFH.

选择使用74LS138译码器构成译码电路

6464     8kx8   =2^13x8     13根片内地址线

未用译码器,门电路的部分译码 

 

 全译码

        用全部的高位地址信号作为译码信号,使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。