NOR Flash 和 NAND Flash

闪存技术

• 闪存技术是一种固态电子存储介质，它广泛应用于移动设备、数码相机等电子产品中。
• 闪存使用了非挥发性的闪存记忆器件，使得数据可以长期保存即使在断电情况下。
• 闪存技术具有相对较高的读取速度和写入速度，在消耗低功率电源的同时确保了高速读写、数据安全和稳定性。
• 闪存的存储原理基于氧化硅介电体，通过在介电体表面加电压从而吸收或释放电荷，从而实现信息的记录与擦除。
• 在日常生活中，闪存技术被广泛运用于各种电子设备中，如USB闪存盘【U盘通常是NAND Flash存储器】、SSD硬盘、数码相机、智能手机等，以提供可靠稳定的数据存储解决方案。

二者区别

NOR Flash 和 NAND Flash 是两种常见的闪存技术，它们有以下区别：

1. 读取速度：NOR Flash 比 NAND Flash 读取速度快。
2. 写入速度：NAND Flash 比 NOR Flash 写入速度快。
3. 擦除速度：NAND Flash 擦除速度比 NOR Flash 快。
4. 存储密度：NAND Flash 的存储密度比 NOR Flash 高。
5. 接口：NOR Flash 通常有直接的 SRAM 接口，而 NAND Flash 通常需要通过 I/O 接口进行访问。

使用场景

NOR Flash 更适合用于需要快速读取和直接访问的应用，例如启动代码和操作系统存储。
NAND Flash 更适合用于需要大量数据存储和频繁写入/擦除的应用，例如文件存储和数据备份。