NVME存储介质区别分析

SLC（全称：Single-Level Cell）

又称为单层式储存 ，即每单元存储可1bit信息（1bit/cell）。一个萝卜一个坑的存储容量，这也意味着采用SLC颗粒的SSD容量注定不会太大，但除了这个“缺憾”之外，SLC的其他方面则要更加优于其他类型的闪存颗粒。

SLC的擦写寿命是5种颗粒中最长的，能够达到约10万次。另外SLC也是五种颗粒类型中读写速度最快、读写数据最精确、质量最好同时造价也是最贵的颗粒，目前基本上只用于企业级高端固态硬盘中，也有极少部分高端消费级SSD在使用。

MLC（英文全称：Multi-Level Cell）

又称为双层式储存 ，即每单元存储可2bit信息（2bit/cell）。两个萝卜一个坑的存储容量，只能说比SLC好一点，但成本相对于SLC要大大降低。

但MLC的擦写寿命要比SLC差不少，仅能够达到约1万次。且相较于SLC，MLC的读写速度、质量、精确度都次于SLC，成本也要远高于除SLC以外的其他颗粒，价格昂贵，目前多用于工业存储中，不过随着技术和消费水平的提升也有一些品牌会使用MLC到消费类产品上。

TLC（英文全称：Trinary-Level Cell）

又称为三层式储存 ，即每单元存储可3bit信息（3bit/cell）。到此可以看出这五种闪存颗粒每单元可存储的信息是层层递进的，都是在上一个的基础上+1bit信息，容量越来越大。

TLC是目前最常见到的闪存颗粒，应用非常广泛，其擦写寿命能够达到约1000次。虽然在数据上，TLC的读写速度、颗粒质量以及寿命都不及SLC和MLC，但其成本要低得多，如果作为日常使用其实能完全满足普通消费者的需求。目前TLC多用于市面上的中高端SSD中，比较受主流SSD的青睐。

QLC（英文全称：Quad-Level Cell）

又称为四层式储存 ，即每单元存储可4bit信息（4bit/cell）。其擦写寿命最短，仅能够达到150次，但存储密度最大、成本也最低，优势还是很明显的。目前主要被低端大容量的SSD使用，能够为大容量的SSD带来更长的使用寿命，足以供给一些消费者日常使用。

PLC（英文全称：Penta-level cell）

又称为五层式储存 ，即每单元存储可5bit信息（5bit/cell）。该闪存颗粒目前还没有正式产品发布。

可将闪存颗粒按照数据稳定性、速度以及价格排序为SLC＞MLC＞TLC＞QLC＞PLC，容量则相反SLC＜MLC＜TLC＜QLC＜PLC。