AlGaN/GaN HEMT 富Si的双层SiN钝化层

AlGaN/GaN HEMT 富Si的双层SiN钝化层总结

1 SiN钝化层介绍

AlGaN/GaN HEMT器件的电流崩塌效应影响其可靠性，因此解决该问题是此类器件近些年的重点。电流崩塌效应主要由缺陷导致，包括表面和势垒层上的缺陷。

改善电流崩塌效应目前在工艺上主要通过场版和钝化层，场版可以有效改善虚栅效应，钝化层则有效改善表面缺陷情况。本文提出的Si-rich SiN钝化层即是对钝化层的改进。

2 双层SiN钝化层结构

以下是几类钝化层结构实验设计对比设置

@Huang Tongde¹

• Chip1: 50-nm in-situ SiNx
• Chip2: 59-nm ex-situ SiNx by PECVD with NH3 plasma pre-treatment at 300C
• Chip3: bilayer LPCVD SiNx, Si rich(10nm, DSC:NH3 flow 220:30,820C), SiNx(DSC:NH3 flow 180:50,57nm)

@Liu Jielong²

• Chip1: 正常SiN层（120nm，2%SH4:NH3=100:2 sccm；N=1.9）
• Chip2: Si-rich SiN双层结构（20nm Si-rich layer，2%SH4：NH3=450:2 sccm+100nm s