N沟开漏（open-drain）和推挽输出（push-pull）

open-drain and push-pull

具有开漏(OD)输出的器件是指内部输出和地之间有个N沟道的MOSFET（Q1），这些器件可以用于电平转换的应用。输出电压由Vcc'决定。Vcc'可以大于输入高电平电压VCC（up－translate）也可以低于输入高电平电压VCC（down－translate）。

开漏器件对于各种电压节点间的电平转换非常有用。

但是，这种电平转换的方法存在一些缺点。例如，当输出电平为低时，N沟道三极管是导通的，这样在Vcc'和GND之间有一个持续的电流流过上拉电阻R和三极管Q1。这会影响整个系统的功耗。采用较大值的上拉电阻可以减小电流。但是，但是大的阻值会使输出信号的上升时间变慢。

开漏输出器件的优点如下：
● 可以用于各种电压节点的Up-translate和down－translate转换
● 可以将多个开漏输出的Pin脚，连接到一条线上，形成“与逻辑”关系,即“线与”功能，任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。

● 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。

 

具有推挽(push-pull)输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET，当Q1导通、Q2截止时输出高电平；而当Q1截止导通、Q2导通时输出低电平；即可以吸电流，也可以贯电流；

但是缺点是，一条总线上只能有一个push-pull输出的器件；