性能相关的闪存特性

一、多Plane操作

上章提到若干个Plane组成Die或者叫LUN,即一个Die上有多个Plane
每次进行写操作时，控制器先将数据写入页缓存中，等同一个Die上另一个Plane也写数据的时候，再同时写入，原来单独操作一个Plane的时间变成了可以同时做两个Plane或更多，时间更省，速度更快，效率更高
对于读取时也是一样的原理，可以节省更多时间

多Plane操作限制：只有在读写落在每个Plane上的闪存页的编号都一致时才能使用，所以它只适合写入操作或者顺序读操作，随机读取不起作用。

二、缓存读写操作

之间的结构示意图上有看到，每个Plane里有自己的页缓存和闪存缓存，他们是用来缓存即将写入或者读取的闪存页数据的。其操作图如下：

问题：
有页缓存，闪存缓存，大小大概多大呢？假如我的缓存足够大的情况下，我一直在读同一个位置的数据，且这个数据大小不超过缓存页大小，是否一直就是缓存页的数据在直接回给Host，那么就永远也触发不到read disturb? （实际应用应该很难有这样的场景）
写也一样，写同一个位置一直写，但是数据大小不超过缓存页，是否一直不会下刷至闪存介质内？
那假设这个缓存太大，数据多？是否遇到异常断电的时候，数据也是如RAM一样丢失了?还是它依然存在？

三、异步Plane操作

异步Plane操作是指用户在随机读取同一个Die的时候，不需要等钱一个Plane随机读操作完成就可以把下一个随机读命令发给别的Plane.(这个需要NAND支持)