1-8 内存的概念、分类、初始化方法

详细的实验代码请查看这里：

一、  分类

      主要分为：DRAM——小电容充电，需要不断刷新数据，速度慢；SRAM——不需要刷新，速度快名单功耗大，成本高（stepping stone为4K的SRAM）

      DRAM分为：SDRAM（Synchronous Dynamic Radom Access Memery）同步随机存储器。

                              同步：工作需要同步时钟，用于命令和数据的发送

                              动态：不断对电容进行刷新

                              随机：不是线性存储，而是通过地址读写

    DDR（Double Data Rate SDRAM）双倍速同步动态随机存储器，除了在时钟脉冲的上升沿传输数据，还可以在下降沿传输，速度是SDRAM的两倍。

二、  内存的内部结构

    1.  数据存放在每个格，读写时先指定行地址，再指定列地址，内存芯片一般被分割为4个L-BANK（Logic_Bank）。

    2.  寻址信息包括：L_Bank  选择信号、行地址以及列地址

    3.  内存容量计算方法：一个芯片 = 4 X 单元格数 X 格的大小

        如：HY57V561620(L): 4 Bank X 4M  X 16bit = 32 MB

三、  关于S3C2440的内存地址空间（可参考24