【单片机】MCU内存管理

keil中查看内存使用情况

Code-Data,RO-Data,RW-Data,ZI-Data的含义

Code-Data：代码占用的flash大小

RO-Data：[read-only data],只读常量大小（const和#define）

RW-Data：[read write data],初始化了的变量大小

ZI-Data：[zero initialized data],没有初始化的变量,零初始化的可读写变量

Total RW Size (RW Data + ZI Data)：总共占用的RAM大小

Total ROM Size (Code + RO Data + RW Data)：总共占用的flash大小

写flash断电保存数据的注意事项

因为程序和用户想要单片机记忆的数据都存放在flash上，因此要注意读写flash的部分不能影响到程序区域。

原则上：因为程序可能要不断拓展，所以优先用后面的扇区进行读写；比如我用的这款MCU,每个扇区的大小为1KB，一共62个扇区，则可以这样定义起始位置：

理论上：flash的起始地址是0x0800 0000，程序占的总空间是Total ROM Size = 36940，因此，可以从

hex (0x0800 0000 + 36940) = 0x0800 904C 之后就可以读写flash了

FAQ

Q：这里RW-data为什么既占用flash，又占用ram呢？

A：这是因为RAM是随机存取存储器（random access memory），也就是手机上经常说的运行内存，RAM是易失性存储，断电会丢失数据。所以已初始化的数据会存储在Flash中，上电会从FLASH搬移至RAM中。

Q：为什么ROM Size不包括ZI Data？

A：这是因为已经初始化的数据，在掉电后需要保存初始值，以便上电运行后重载，因此存在rom中。而ZI Data数据都是0，上电运行后直接清零即可，包含进去反而浪费存储空间。

Q：ROM, FLASH和RAM的区别？

A：

• RAM是随机存取存储器（random access memory），效率较ROM高，断电丢失数据。
• ROM是只读存储器(Read Only Memory)，它是一种只能读出事先所存的数据的固态半导体存储器。ROM中所存数据稳定，一旦存储数据就再也无法将之改变或者删除，断电后所存数据也不会消失。其结构简单，因而常用于存储各种固化程序和数据。
• Flash（FLASH EEPROM）又称闪存。它是EEPROM的一种。它结合了ROM和RAM的长处。不仅具备电子可擦除可编辑（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据。它于EEPROM的最大区别是，FLASH按扇区（block）操作，而EEPROM按照字节操作。FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因此适合用于做程序存储器。

裸机程序的组成

标准c与stm32程序内存组成对比图