【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解

本文主要介绍了 沁恒蓝牙芯片 CH58x 的 DataFlash 分区以及读写操作以及原理

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【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解

  • 1. flash 分区管理
  • 2. DataFlash 详解
    • 2.1 读写 dataflash 图解
    • 2.2 写 dataflash 过程
    • 2.3 flash中 bit的读写行为
    • 2.4 如何知道一个空间有没有写入过数据?
    • 2.5 库函数 api 接口详解
  • 3. 若只写几个字节,怎么操作比较合适?

1. flash 分区管理

参考博文:
【沁恒蓝牙mesh】CH58x flash分区与数据存储管理

【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解_第1张图片

2. DataFlash 详解

2.1 读写 dataflash 图解

MCU 中的 Flash 中专门用于存储数据的区域叫做 DataFlash

  • page : 写入 Dataflash 的最小单位,ch582最小该单位为 1字节
  • Sector :擦除 Dataflash 的最小单位,ch582最小该单位为 256 字节

【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解_第2张图片

2.2 写 dataflash 过程

  • 先擦除该位置所在的 sector
  • 然后往该 page中写入数据

【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解_第3张图片

2.3 flash中 bit的读写行为

  • 数据 bit 为0的区域,在擦除后变为1
  • 数据 bit 为1的区域,允许被写成0
  • 数据 bit 为0的区域,不允许写操作,需先擦除,再写才做

【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解_第4张图片

2.4 如何知道一个空间有没有写入过数据?

读取该地址的数据,若为0xff 则认为该地址没有被写入过数据

【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解_第5张图片

2.5 库函数 api 接口详解

//读取数据
//传入的地址是相对地址,0对应dataflash的起始地址
EEPROM_READ(StartAddr,Buffer,Length)
 
//擦除数据
//这里的length 是字节,但是实际的擦除是按照256字节高位对齐,比如传入257字节,实际是擦除了512字节.
//擦除后的区域,使用EEPROM_READ读出来默认是0xff,使用指针方式绝对地址读取,非0xff
//传入的地址是相对地址,0对应dataflash的起始地址
EEPROM_ERASE(StartAddr,Length)
 
//写入数据
//这里的buffer是需要写入的指针数据,不需要进行4字节对齐,数据长度是1的倍数,数据需要在RAM里面
//传入的地址是相对地址,0对应dataflash的起始地址
EEPROM_WRITE(StartAddr,Buffer,Length)

3. 若只写几个字节,怎么操作比较合适?

问题:如果我只想写几个 byte ,每次写之前就要擦除一整个 sector,效率比较低,不方便。如何解决?

dataflash划分为两个逻辑分区, logical sector1logical sector2
【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解_第6张图片
使用之前,先擦除分区1,然后才能在分区1写操作
【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解_第7张图片

,为了提高flash 的寿命可以:擦除分区1后,接下来擦除分区2,不要连续擦除分区1,然后在分区2进行操作,使用完分区2后们再次回到分区1使用,循环使用

【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解_第8张图片
【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解_第9张图片

【沁恒蓝牙mesh】CH58x DataFlash 详解_第10张图片

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