晶体管FDS86106的资料

制造商编号:FDS86106

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 3.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 83 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 3 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 5 W

配置: Single

商标名: PowerTrench

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.75 mm 

长度: 4.9 mm 

系列: FDS86106 

晶体管类型: 1 N-Channel 

类型: N-Channel Power Trench MOSFET 

宽度: 3.9 mm 

商标: ON Semiconductor / Fairchild 

正向跨导 - 最小值: 6 S 

下降时间: 10 ns 

产品类型: MOSFET 

上升时间: 10 ns 

工厂包装数量: 2500 

子类别: MOSFETs 

典型关闭延迟时间: 15 ns 

典型接通延迟时间: 10 ns 

单位重量: 130 mg

你可能感兴趣的:(晶体管FDS86106的资料)