第三代半导体SiC 专业术语及指标解释

SiC ：      化合物半导体材料，第三代半导体材料代表，主要用于功率半导体领域
GaN ：    化合物半导体材料，第三代半导体材料代表，主要用于高频射频领域
GaAs：   化合物半导体材料，第二代半导体材料代表，主要用于射频和光领域
InP：       磷化钢，化合物半导体材料，第二代半导体材料代表，主要用于光通信领域
禁带宽度：在能带结构中能态密度为零的能量区间，常用来表示价带和导带之间的能量范围。禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。只有当价电子跃迁到导带 (即本征激发) 而产生出自由电子和自由空穴后，才能够导电。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。第三代半导体因具有宽禁带的特征，又称宽禁带半导体
热导率：        物质导热能力的量度，又称导热系数
击穿场强：     电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电场强度称为击穿电场强度
电子迁移率：电子在电场作用下移动的平均速度
饱和电子漂移速度： 电子漂移速率达到一定范围后，不再随着电场作用而继续增加的极限值
品格失配：        由于衬底和外延层的晶格常数不同而产生的失配现象
微管：        SiC 晶片的一种缺陷，是晶片中沿轴向延伸且径向尺寸在一微米至十几微米的中空管道
PVT：        Physical Vapor Transport，物理气相传输法，一种常见的 Sic 晶体生长方法
CVD：        Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积法，一种晶体和外延生长方法
MOSFET ：Metal-0xide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物场效应晶体管，种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管;
IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型品体管，一种复合全控型电压驱动创道硬科技式功率半导体器件，是能源变换与传输的核心器件
SBD：Schottky Barrier Diode，肖特基势垒二极管，利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的一种热载流子二极管，也被称为金属一半导体(接触) 二极管或表面势垒二极管
HEMT：High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管
LDMOs： Laterallv-Diffused Metal-Oxide Semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体，常用于射频功率电路
PCU        动力控制单元 (PCU)
VLSI：      Very Large Scale Integration，超大规模集成电路