低导通电阻、汽车级STD20NF06LAG，STO47N60M6、STO33N60M6、STO36N60M6 600V MDmesh™ M6 功率MOSFET

1、STD20NF06LAG 汽车级N沟道60V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET

STripFET VI™功率MOSFET是采用ST专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术，可实现高效率和低RDS(on) ，满足各种汽车和工业开关应用的需求，如电机控制、UPS、直流/直流转换器、感应加热蒸发器和太阳能。它们具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。

特征

RDS(on)* Qg行业基准
非常低的导通电阻RDS(on)
高雪崩耐受性
低栅极驱动功率损耗
非常低的开关栅极电荷

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：13 nC @ 5 V
Vgs（最大值）：±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：660 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：60W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TO-252（DPAK）
封装/外壳：TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

低导通电阻、汽车级STD20NF06LAG，STO47N60M6、STO33N60M6、STO36N60M6 600V MDmesh™ M6 功率MOSFET —— 明佳达

2、600V MDmesh™ M6 MOSFET

MDmesh™ M6 MOSFET将低栅极电荷 (Qg) 和经过优化的电容曲线相结合，设计用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率。该超级结MDmesh™ M6系列具有可提高功率密度的极高效率，以及可在高频下的低栅极电荷。M6系列MOSFET的击穿电压范围为600V至700V。它们提供多种封装选项，包括无引线TO (TO-LL) 封装解决方案，可实现高效的热管理。该器件包括各种工作电压，适用于工业应用，包括充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。

技术参数

1、STO47N60M6 MOSFET N-CH 600V 36A TOLL
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：52.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2340 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：255W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TOLL（HV）
封装/外壳：8-PowerSFN

2、STO33N60M6 MOSFET N-CH 600V 25A TOLL
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：33.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1515 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：230W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TOLL（HV）
封装/外壳：8-PowerSFN

3、STO36N60M6 N-channel 600 V, 85 mOhm typ.,
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：44.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1960 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：230W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：TOLL（HV）
封装/外壳：8-PowerSFN

特点

经过优化的阈值电压，用于软开关
良好的开关行为，用于硬开关和软开关
极高的效率性能，可提高功率密度
低栅极电荷，可在高频下工作
电容曲线和阈值电压经过优化，用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率
广泛的产品组合

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