【分立器件】紧凑型、高能效设计的 NVMFD5C470NT1G、NVMFD6H846NLT1G、NVMFS6H864NLWFT1G、NVMFS6H864NLT1G 汽车用功率MOSFET

器件选型：

1、NVMFD5C470NT1G 功率 MOSFET 40 V，36 A，11.4 mΩ，双 N 沟道，逻辑电平

技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 N-通道（双）
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.7A（Ta），36A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.7 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：420pF @ 25V
功率 - 最大值：3.1W（Ta），28W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
基本产品编号：NVMFD5

应用：

• 螺线管驱动器
• 低端/高端驱动器

2、NVMFD6H846NLT1G 功率 MOSFET 80 V, 15 mΩ 31 A，双 N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 N-通道（双）
FET 功能：-
漏源电压（Vdss）：80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9，4A（Ta），31A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 21µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：17nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：900pF @ 40V
功率 - 最大值：3，2W（Ta），34W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
基本产品编号：NVMFD6

3、NVMFS6H864NLWFT1G 功率 MOSFET 80 V, 29 m Ω, 22 A 单 N 沟道

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Ta），22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：431 pF @ 40 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），33W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装：5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
基本产品编号：NVMFS6

4、NVMFS6H864NLT1G MOSFET - Power, 单 N-通道, 80 V, 29 m Ω, 22 A

FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Ta），22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：431 pF @ 40 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），33W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q101
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线
基本产品编号：NVMFS6

NVMFD6H846N、NVMFS6H864N 应用：

• 反向电池保护
• 电源开关（高端驱动器、低端驱动器、H桥等）
• 开关电源

【分立器件】紧凑型、高能效设计的 NVMFD5C470NT1G、NVMFD6H846NLT1G、NVMFS6H864NLWFT1G、NVMFS6H864NLT1G 汽车用功率MOSFET —— 明佳达

介绍：

这些N通道MOSFET分立器件是适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

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