傻白入门芯片设计，史上最最最全DRAM介绍（十二）

目录

1、DRAM单元阵列

1.1、DRAM基本单元

1.2、cell阵列

1.3、cell阵列的读取

1.4、DRAM刷新

2、DRAM芯片的读写

2.1、必须的周围逻辑

2.2、完整的读过程（重点）

2.3、完整的写过程

2.4、时间消耗和行缓存

3、DRAM系统层次

3.1、bank划分

3.2、存储芯片/chip

3.3、rank和DIMM

4、burst猝发模式

5、bank并行和内存交错

6、小结

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如果你是一个EECS专业的学生或领域内从业者，你一定经常听到别人谈论DRAM、内存和DDR——学数字电路和计算机组成的时候绕不过DRAM，讨论电脑性能的时候离不开内存，围观领域内公司发布新产品时，总是看到产品使用了所谓的xx通道DDR4/DDR5技术。那么，DRAM、内存、DDR到底是什么？

内存为CPU缓存来自外存的数据，CPU通过总线与内存交互

本文接下来会从问题出发，主要探讨DRAM的应用（用作内存）、基本结构（晶体管+电容）、读写原理（重点）、系统层次（bank、chip、rank、内存条和DDR）和CPU访问DRAM时的加速方法（猝发和交错，也是重点），有助于解开初学者的一些疑惑。

如果读者在阅读文章时感到困难，那么请试着继续往下读，文章内容是渐进的，前面避而不谈的内容很可能在后面被讨论到。

1、DRAM单元阵列

DRAM，全称为Dynamic Random Access Memory，中文名是“动态随机存取存储器”。所谓“动态”是和“静态”相对应的，芯片世界里还有一种SRAM静态随机存取存储器的存在。

六晶体管SRAM

笼统地说，DRAM的结构比SRAM更简单，面积占用更小，适合制作大容量的存储芯片；而SRAM结构复杂一些，一般使用六个晶体管，面积消耗大，但是读写速度快，而且因为SRAM只用到晶体管，所以在工艺上和逻辑芯片相兼容，我们可以在逻辑芯片上直接集成SRAM。

因为DRAM结构简单、面积消耗小，所以一般用DRAM制作逻辑芯片外的大容量存储芯片，比如内存芯片。如果学过计算机组成或微机原理的相关内容，大家一定知道内存芯片和CPU是分离的，CPU通过总线访问内存芯片，从内存芯片中读取数据，而这个内存芯片就是用DRAM制成的。

1.1、DRAM基本单元

所谓DRAM，是指图一所示的一个电路，为了和DRAM芯片相区分，本文把图一的电路称作一个cell。图中的CMOS晶体管涉及到数字电路的知识。简单来说，CMOS晶体管是一个电子开关，当给晶体管最上面的一端（称作栅极）加上电压或是取消电压，晶体管两端就可以流过电流。cell中的小电容是存储信息的关键，小电容可以存储电荷，现在规定当电容存有电荷，cell存储比特信息“1”；当电容不存有电荷，存储比特信息“0”.

图一：DRAM基本单元

当要读取cell的存储值，首先打开电子开关（即晶体管），然后根据电容的充放电信息获得存储值。如果cell保存“1”，即电容存有电荷，那么当打开开关，电容就会放电；如果cell保存“0”，即电容不保存电荷，那么打开开关之后电容不会放电。

当要向cell中写入值，仍然先打开电子开关，然后在电子开关的另一侧施加电压。如果要写入“1”，则施加高电压，此时电流会通过晶体管向电容充电；如果要写“0”，则让电子开关另一端接地。施加电压一段时间后即可断开开关，此时cell已经保存好写入值，因为电容很小，所以施加电压的时间会很短。

1.2、cell阵列

一个cell只能存储一比特信息，即“0”和“1”，为了存储大量信息，我们必须构建起cell阵列。cell阵列的视觉图如图二。读者可能看不清图二中的小字，图二左侧的小字是“word line”，即字线；上面的小字是“bit line”，即位线。

图二：cell阵列

详细看看这个阵列是如何组织的。可以看到每行cell的晶体管的栅极都是连在一起的，即都连在字线上，这意味着给字线施加电压，字线对应的一行cell都会被打开。当一行cell被打开，cell电容就会向位线充放电，一行中的每个cell都与一条位线直接相连，读取位线的电压变化，即可知道cell的存储信息。

位线之所以叫位线，是因为在读取信息时，每一根线上的电压波动都代表一位比特信息，一根线代表一位，所以叫做位线；

字线之所以叫字线，是因为给这根线通电，一行cell都会被打开，在计算机里八位等于一个字节，多个字节等于一个字，因此多个cell组合起来就是多个字，因为这根线可以打开多个字，所以叫字线。

1.3、cell阵列的读取

cell的读取依靠小电容充放电，电容充放电导致位线产生电压波动，通过读取位线电压波动即可获取信息。小电容充放电所产生的电压波动是很微弱的，充放电所造成的电压波动的时间也是很短的，因此很难直接读取充放电信息，为此cell阵列的读取使用到了“sense amplifier”，即读出放大器。

读出放大器可以捕捉到微弱的电压波动，并根据电压波动的情况在本地还原出cell的电容电压，而且放大器内还有锁存器，可以把还原出来的电容电压值保存起来，这样一来cell保存的信息就从cell电容转移到了放大器本地。

图三：cell阵列连接读出放大器

每条位线都要接到一个放大器中，效果图如图三。在读取cell行（之后也称作单元行）前，需要把每根位线都precharge（预充电）到电容电压/供电电压最大值的一半，如果供电电压是3V，那么就预充电到1.5V。预充电完毕后打开字线，单元行中每个cell电容或是向位线放电，或是由位线充电。放电者位线电压上升一点，充电者位线电压下降一点。放大器可以捕捉位线上的电压波动，继而在本地还原、暂存对应cell电压。

有的读者可能好奇放大器是如何捕捉微弱电压波动并还原cell电容电压的，实际上放大器涉及到模拟电路的知识，因为模拟电路不是本文的重点，所以这里不会展开。不过有一件事很重要：在DRAM芯片中，读出放大器把cell阵列分成了两半。

分成两半的效果图如图四。为什么要把cell阵列分成两半？因为一个放大器需要同时接入两根位线。为什么一个放大器要接两根位线？因为放大器在捕捉、放大其中一条位线的电压波动时需要另一条位线的帮助。DRAM芯片用到的放大器是“差分感测放大器”，它在识别信号波动时需要用一个基准和待测线作“比较”，此时接到放大器上的两条位线的其中一条就是所谓的基准，这条基准线经过预充电之后，其电压恒等于供电电压的一半。

图四：放大器把cell阵列分成两半

到这里我们清楚了cell阵列的读取，但是还有一个问题：在读取单元行时，读取行的cell电容经过充/放电之后，原本的信息就丢失了，即原来有的电荷现在放掉了，而原来没有电荷的现在却有了电荷。这种会造成信息丢失的读取行为称为“破坏性读出”。

破坏性读出是不行的，因此在读取单元行之后我们还要恢复单元行的信息。如何恢复？在读取时，放大器还原并暂存了单元行每个cell的电容电压，因此可以在输出完毕之后再把这些暂存电压写回原单元行。

具体做法是在读出数据之后，根据放大器锁存的值，把各条位线拉到供电电压或接到地，然后cell电容就会根据位线电压进行充电或放电，当cell电容充放电结束，就可以断开字线，断开字线也就宣告本次DRAM读取结束。

1.4、DRAM刷新

DRAM叫做动态随机存储器，“动态”从何而来？前面说过，cell电容的电容值很小，存储电荷不多，无论是充电还是放电都很快，而先进CMOS工艺有“电流泄漏”问题，因此即使不打开字线，cell电容也会缓慢损失电荷，久而久之信息就丢失了。解决这个问题的办法是“刷新”电容，即根据电容的旧值重新向cell写入数据。因为要经常动态地刷新电容，所以DRAM叫做动态随机存储器。

“电流泄漏”是指即使晶体管没有打开，晶体管仍然可以通过极小的电流

刷新电容如何实现的？在谈论“破坏性读出”时说过放大器可以还原并暂存cell信息，并把暂存的信息写回到cell电容，因此刷新电容也可以借助放大器。具体做法是对于每个单元行，每过一段时间就自主地进行读取，等放大器暂存好信息后就立刻写回。关于单元行的刷新时机也很有讲究，一般每64ms内就要对cell阵列进行一次全面刷新，有关“刷新”的更多内容这里不展开，有兴趣的朋友可以查看计算机组成的相关内容。

2、DRAM芯片的读写

第一节讨论过cell阵列的读取，在实际应用中，不会直接把一整行数据全部读出，因为一整行数据太多，真实世界中我们往往只需要其中一个比特位，因此这一节主要谈谈实际DRAM芯片中单个比特的读写过程。

2.1、必须的周围逻辑

为实现单个比特的读写，必须为cell阵列配备一系列周围逻辑电路。图五是一个简单的示范。读者可能看不清里面的文字，cell阵列左边的绿色标记模块是“字线译码模块”，下面的蓝色模块是“读出放大器”，读出放大器下面的模块是“多到一选择器”和“一到多分配器”的集合，最左边的蓝色模块依次是“行地址缓存”、“列地址缓存”。

图五：cell阵列+周围逻辑

为找到二维阵列中的某一个单元，必须给出该单元的行号/行地址和列号/列地址，行地址缓存保存从地址总线上获取的行号，列地址缓存保存从地址总线上获取的列号。

其中，行地址会送往“字线译码模块”。字线译码模块是一个译码器，可以把短行号译码成长的独热码，独热码会开启一条字线，并打开该字线对应的单元行。

独热码是一串只有1位是1，其余全是0的二进制码字

单元行开启后，放大器捕捉位线上的电压波动，从而还原、暂存数据到放大器本地。

之后放大器把暂存的数据送到选择器，同时列地址也会被送到选择器，选择器根据列地址把数据中的某一位送到输出线。

输出数据之后，还要把单元行数据写回。

在图五的示范中，行地址和列地址是分别用两组总线送到DRAM芯片上的，这意味着DRAM芯片要为行地址和列地址准备两组输入口/pin口。而cell阵列越大，地址的位数就越多，当cell阵列很大时，准备两组输入口的代价十分昂贵，因此现代DRAM芯片让行地址和列地址共用一组总线，其效果图如图六。

图六行、列地址线各有三条，但它们对外只需要三个pin口，外界到DRAM芯片的三根地址线直接接到“时序控制模块”上，这个模块会选择性地把地址送到行地址缓存或是列地址缓存。在实际操作时，可以先给DRAM芯片输入行地址，然后再输入列地址。

图六：行、列地址共用地址线

想要把地址选择性地送到地址缓存中，还需要一些控制线，即RAS（row address select）和CAS（colum address select），这两个控制信号指出当前地址线上的地址是行地址还是列地址。另外，为了向DRAM芯片写入数据，还需要“写使能”信号（WE，write enable）。把控制线和写使能加入芯片，效果图如图七。

图七

既然说到了写使能，那我们是如何往DRAM芯片写入数据的呢？写入数据时，首先输入行号，打开目标单元行，把单元行数据缓存到放大器本地；然后输入列地址和写入数据，一到多分配器根据列地址把写入数据写入到放大器中，然后放大器把本地缓存写到单元行；写完后关闭单元行字线。

2.2、完整的读过程（重点）

上面乱糟糟地这里说一通，那里说一通，可能读者还是不很清楚DRAM芯片是如何读写数据的，因此这里做一个完整过程的梳理。

在读取DRAM芯片单个比特数据时：

1、读取前，首先给各条位线预充电（也称为precharge），即把位线电压拉高到供电电压的一半，拉高到一半的目的是和cell电容电压形成电压差，从而在打开单元行时产生电压波动，注意，预充电完成后，就可以断开位线与预充电电源的连接，此时位线处于悬空态，电压仍然保持为供电电压的一半；

2、开始读取，首先在地址总线上输入行地址，稍后立刻置“行地址选通”（即RAS）有效，置RAS有效后，DRAM芯片就把行地址缓存下来；

3、缓存好行地址之后，就把行地址送入译码模块，译码模块把行地址译码成独热码，独热码的每一位都接到对应的字线，理所当然的，独热码会把其中一条字线的电压值拉高；

4、拉高的字线所对应的单元行被打开，即单元行的晶体管导通，单元行的各个cell电容和位线连通。如果cell保存比特信息1，即cell电容的电压等于供电电压，此时cell电容电压高于位线电压，电容放电，位线的电压稍稍上升；如果cell保存比特信息0，即cell电容的电压等于地电压，即0电压，此时位线电压高于cell电容电压，位线向cell电容充电，位线电压稍稍下降；

5、放大器捕捉位线上的微弱电压波动，通过“差分感测”在本地生成并暂存cell电容电压。举个例子，如果cell电容等于供电电压，那么位线电压稍稍上升，放大器比较此位线和另一条基准线的电压，通过模拟电路的反馈来放大两者的电压差，最终在本地生成一个等于供电电压的输出电压，并用锁存器把输出电压锁存下来。同理，如果cell电容电压等于0，放大器最终生成等于0的输出电压，并用锁存器把0电压锁存下来；

6、放大器锁存好行数据之后，把行数据送往多到一选择器；

7、多到一选择器根据列地址，把单元行中的某一位送到输出线；

8、输出之后，还需要把放大器的数据写回到单元行，即根据放大器的锁存值把位线拉高到供电电压或是0电压，位线向cell电容充放电，充放电结束之后，就可以关闭字线；

9、写回数据并关闭字线之后，连接位线和预充电电源，给位线预充电到供电电压的一半，为下一次读写做好准备。

请注意，上面的过程没有提到列地址哪里来的，实际上，在行地址被缓存下来之后，外界会把地址线上的地址从行地址转换成列地址，转换成列地址之后外界会置“列地址选通”有效，然后DRAM会把列地址缓存起来，等到第6步放大器送数据过来时，列地址缓存就把列地址送到多到一选择器，参与输出比特的选择。更清楚地说，列地址的缓存发生在第2步之后、第7步之前。

图八、图九是DRAM芯片读过程的简略信号时序图，不完全一样，但都是正确的读过程，通过结合时序图和上面的文字，相信大家能更好地理解DRAM读的过程。其中第一张图中色块和色块的边界代表时钟的有效边沿，相信有数字电路基础的朋友很容易get到这一点。注意，RAS和CAS头上有一条横线，这代表它们是低电平有效信号。

图八：DRAM芯片读过程

图九：DRAM芯片读过程

2.3、完整的写过程

写过程和读过程有很多相似之处：

1、位线预充电到供电电压的一半；

2、输入、缓存行地址，译码行地址，开通单元行，开通单元行后位线产生电压波动，放大器捕捉电压波动并还原、暂存行数据到本地；

3、输入、缓存列地址，与此同时置写使能有效，并在Data Buffer存进写入比特，注意，Data Buffer在读取DRAM时用来暂存输出比特，而在写DRAM时则用来暂存写入比特；

4、把写入比特送到一到多分配器，分配器根据列地址把写入比特送到对应的放大器中，放大器根据写入比特改写本地暂存值；

5、放大器根据暂存的电压值刷新单元行，刷新完毕后断开单元行的字线；

6、刷新完毕后，重新给位线预充电，为下一次读写做好准备。

图十是一张写过程的信号时序图（最好用电脑查看），结合文字和图，可以更好地理解这个过程。

图十：DRAM芯片写过程

2.4、时间消耗和行缓存

前面解读了DRAM读写一个比特的完整流程，现在我们来聊聊读写过程的时间花费。

总的来说，读取一个比特的总体流程是：获得行号，译码行号，开启单元行，放大位线电压波动并暂存数据到放大器，获得列号并根据列号选择一位进行输出，写回数据，关闭字线，重新预充电。

而写一个比特的总体流程是：获得行号，译码行号，开启单元行，放大位线电压波动并暂存数据到放大器，获得列号并输入写入数据，根据列号把写入数据送到放大器并改写暂存值，写回数据，关闭字线，重新预充电。

在以上两个流程中，时间花费的大头是“开启单元行”、“放大电压波动并暂存数据”。

“开启单元行”之所以花费时间，是因为行地址译码器需要拉高一条字线，然后用这一条字线拉高单元行上所有晶体管的栅极电压，而拉高这么多的栅极电压很耗时间。为什么？现在我们可以把这些栅极抽象成一个一个电容，如果大家学过电路分析，就知道拉高电容的电压是需要时间的，电容越大，所需时间越长，而单元行上的栅极可以整体抽象成一个很大的电容，DRAM读写就是用一根字线给这个很大的电容充电，因此时间消耗很大。如果cell阵列设计的不合理，即单元行上的cell数量太多，那么“开启单元行”会变得很昂贵。

放大器放大电压波动并暂存数据也很消耗时间，因为放大器大部分是模拟电路，工作速度不快。

通过上面的分析，我们可以推导出一个结论：在读写DRAM时，最好不要频繁地开启新单元行和使用放大器。可是怎样才能避免这么做呢？上面的读写过程不是包含有这两步操作吗？

解密的关键在于放大器的缓存区。我们前面总在说数据会被缓存到放大器本地，用术语来说，这个本地缓存叫做row buffer，即“行缓存”。前面说的读写过程都是针对一个比特的，读写一个比特需要把一行数据全部读下来，并在操作完毕之后写回单元行，这么做就相当于每次读写操作都要经历“开启单元行、放大、读数写数、写回”的全流程，这太浪费时间，为节省时间我们应当尽可能多地利用这一行数据，具体方法就是不要每读写完一个比特就把row buffer里的数据写回，而是先保持row buffer数据，等待后续指令，如果后续指令还要读写这一行的数据，那么就可以直接操作row buffer，而不需要开启单元行并抓取数据。下面两张图依次是“读一个比特就写回”和“保持row buffer并连续读一行中的多个比特”的时序图，显然第二个办法效率更高。

传统读模式的时序图

应用row buffer的读时序

了解到上面一段的内容之后，自然而然得出总结：在允许row buffer长时间保持行数据的情况下，如果读写请求发生在row buffer保存的单元行中（这种情况称为“行命中”），那么DRAM的读写速度会很快，因为DRAM可以直接操作row buffer，而不需要读取新的单元行；而如果读写请求发生在row buffer之外的单元行中（这种情况称为“行缺失”），那么DRAM就要把row buffer写回并读取新的单元行，这样做速度会很慢。

3、DRAM系统层次

第二大节简单说明了如何读写cell阵列中的一个比特，并简单讨论了读写时间和row buffer的话题。读者在阅读的时候可能会想到一个问题，即CPU在读写数据的时候都是面向“字”的，而一个cell阵列一次只能读取一个比特，那现实世界中的存储芯片实际上是如何向CPU提供字的呢。本节会解答这个问题。

3.1、bank划分

一个cell阵列一次可以提供一个比特，那么多个cell阵列就可以一次提供多个比特。假如CPU一次读写8个比特，那么我们就可以用8个cell阵列。查找cell阵列中的一个单元需要有其行号和列号，那CPU是否需要给8个cell阵列提供8组地址呢？不需要，8个cell阵列可以共享一组行地址和列地址。共享行、列地址的一组cell阵列被称作一个bank，下图展示了一个含有8个cell阵列的bank。它们共用行地址、列地址和地址选通、写使能，每个阵列提供一条输出线，8个阵列最终组成8根输出线，可以输出8个比特。

8阵列bank

3.2、存储芯片/chip

一个8阵列bank一次读写8个比特，一颗存储芯片上一般含有多个bank，下图是一颗含有8个bank的存储芯片的示意图。芯片每次读写都只针对一个bank，因此读写地址必须包含一个bank号，bank号用于开启目标bank，目标bank之外的bank是不工作的。

含有8个bank的存储芯片

3.3、rank和DIMM

拆过电脑的朋友知道电脑用的内存芯片都嵌在一个电路板上，把这个电路板插入内存插槽后，就可增加电脑内存。电路板加板上的芯片，这就是所谓的内存条，也称为DIMM条（全称Dual-Inline-Memory-Modules，中文名叫双列直插式存储模块）。内存条通过“内存通道”连接到内存控制器，一组可以被一个内存通道同时访问的芯片称作一个rank。一个rank中的每个芯片都共用内存通道提供的地址线、控制线和数据线，同时每个芯片都提供一组输出线，这些输出线组合起来就是内存条的输出线。

下图是一个包含8颗芯片的DIMM条。这8颗芯片被一个内存通道同时访问，所以它们合称为一个rank。有的DIMM条有两面，即两面都有内存芯片，这种DIMM条拥有两个rank。

含8颗存储芯片的DIMM条

假设上图中的每个芯片都包含8个bank，每个bank都包含8个阵列，那么这条内存条就可以一次读写8×8=64比特，其中第一个8是指每个芯片输出8位，第二个8是指这个rank总共有8颗芯片，因为这8颗芯片被同一个内存通道访问，所以其被访问的bank和bank内的行地址、列地址都是完全一致的。下图是一个描述这个过程的简图：显然，我们在读写8颗芯片同一个bank同一个位置的cell，注意，图中没有显示不在工作状态的bank。

对一个rank读写，即同时读写rank内8个存储芯片内的同一位置的bank

电脑有时候可以插入多个内存条，多个内存条有助于提升电脑的内存容量，但是未必能提高电脑的速度。电脑的速度受“内存通道”数限制，如果电脑有四个插槽，却只有一个内存通道，那么CPU仍然只能一次访问一个rank；但如果电脑有四个插槽的同时还有四个内存通道，那么CPU就可以一次访问四个rank，很显然，四并行访问明显比串行访问快，假设每个rank可以输出64比特，那么四通道就可以一次访问4×64=256比特，而单通道只能访问64比特。

平常听到的所谓x通道内存就是指电脑有x个内存通道，很显然，这个x越大越好，不过仅有通道也不够，还得为通道提供rank，即为电脑插上足够多的内存条。我们可以打开电脑的“任务管理器”查看自己电脑的内存插槽数，下面是我的电脑的内存情况，图中显示我的电脑有两个插槽，但是只插了一个DIMM条。

任务管理器，显示我有两个内存插槽

在网上下载CPU-Z软件即可查看自己电脑的内存通道数，下面是我的电脑的参数图，图中显示我的电脑只有一个内存通道（悲）。

CPU-Z软件，显示我有一个内存通道

有仔细看图的小伙伴可能发现一个问题，即任务管理器里面的内存频率是2600+MHz，而CPU-Z却显示内存频率只有1300+MHz，这是怎么回事？原因是我们现在的电脑都使用所谓的DDR内存，DDR内存可以同时在时钟上升沿和下降沿读写数据，因此DDR的工作频率其实是内存频率的两倍。

4、burst猝发模式

第三大节说明了CPU如何向内存条中的一个rank读写64比特，而如果读者对现代处理器有更多的了解，即了解cache的话，就会想到CPU在访问内存单个字的时候，不仅需要访问这个字，还需要把这个字所在的缓存行全部搬进cache中，因此内存不仅要一次提供一个字，还要提供一个缓存行（cache line）。

缓存行一般比较大，比如8个64比特，因此实际上内存要一次提供8×64=512比特数据。但如果按照第三节的模式访问内存，那么一次只能提取出64比特，即提取一个字，这并不满足缓存行的要求，为此，我们提出对内存使用“猝发模式”。

首先明确一点，缓存行内的各个字在内存上是紧邻的。有了这个基础，我们就可以灵活地使用cell阵列中的行缓存（row buffer）。第二节说到单元行进入放大器的行缓存之后，并不会在读写一个比特后立刻写回cell阵列，而是待在行缓存里等待下一个读写命令，如果下一个读写命令仍然发生在该单元行，那就可以直接操作row buffer。

在猝发模式里，我们更进一步，每当我们读取cell阵列中的一个比特，我们不仅把这个比特送到输出缓存中，而且紧接着把这个比特所在缓存行的各个比特都送到输出缓存，这样就完成了一次“猝发”，即把目标比特周围的多个比特连续地读出。

5、bank并行和内存交错

在第二大节中我们比较详细地聊了在一个cell阵列中读取数据的过程（对应下面5个步骤的第3步），而CPU在访问内存时，还需要一些别的操作。总的来说，CPU访存大概要经过5个步骤：

1、CPU发送指令给内存控制器；

2、内存控制器解析指令，并把“解析到的控制信息”发送到控制总线；

3、bank接收控制信息，并读取数据；

4、内存芯片把读取出的数据放到数据总线；

5、内存控制器收取数据，并将其交给CPU。

如果CPU连续访问同一bank，那么CPU、内存控制器、总线和bank就必须串行操作。可想而知，串行操作会让访存效率下降。

注意，这里我认为CPU不可以在一个bank工作时再给它发送新的指令，如果CPU连续不断地给一个bank发送指令，那么很可能前一个指令还没完成，后一个指令就改变了bank内的row buffer、列地址缓存或输出缓冲，这样是不行的。

有的朋友可能对1、2、4、5步的时间消耗和因此造成的效率下降不以为然，为了说明问题，下面以“总线延迟”为例：

众所周知，光速是3×10^8m/s，而高性能CPU的频率可达3GHz，即3×10^9Hz，那么在CPU的一个时钟周期内，光可以运动10cm。“But electricity travels about fifth as far as light in sillicon”，即“但是电在硅中的传播距离大约是光的五分之一”，内容参考自Stephen Jones GTC 2021的7min24s起，这里的 electricity 的释义令人困惑，但是Stephen总结道：“而在电子线路中 electricity 的运动则更加受限，经过测量，在电子线路中 electricity 在一个CPU时钟周期内只能运动20mm左右。”而CPU和内存芯片之间的距离远不止20mm，因此数据在总线上移动需要花费多个CPU时钟周期。

上面的计算说明，在CPU访存的5个步骤中，第2、第4步是要花很多时间的，而没有详细讨论的第1、第5步大概率比这两步还要慢。因此让CPU、内存控制器、总线和bank串行操作是不明智的。实际上，我们完全可以在一个bank进行第3步时，让CPU、内存控制器、总线去操作新的bank，以此隐藏起它们的工作时间，从而营造起一种CPU、内存控制器和总线不需要消耗时间的假象。上面这种做法实际上实现了“bank间并行”。

所谓在“bank间并行”就是让一个chip内的不同bank并行工作，让它们各干各的。为此CPU要连续、依次向不同的bank发送读取指令，这样在同一时间很多bank都在工作，第一个bank可能在输出，第二个bank可能在放大电压，第三个bank可能在开启单元行。当第一个bank猝发输出完毕，第二个bank刚好可以输出；当第二个bank猝发输出完毕，第三个bank刚好可以输出.......通过这样让“bank读取”和“CPU、内存控制器、总线工作”在时间上相互重叠的方式，我们可以成功地把CPU、内存控制器和总线的工作时间隐藏起来，从而打造出一种CPU无延迟访问内存、多个bank连续、依次“泵”出数据的理想情况。这种通过“bank间并行”实现“连续泵出数据”的方法，就是所谓的“内存交错”。

注意到，内存交错不仅隐藏了CPU、内存控制器和总线的工作时间，还隐藏了对单个bank而言row缺失所造成的多余访问时间（所谓“多余”是相对“row 命中”情况而言的），关于这个问题的更多内容，可以参考为什么banking能提高memory throughput。

下图是一个示范：上面的时序图是不使用内存交错时CPU接收数据的时序，下面的时序图是使用内存交错时CPU接收数据的时序。很容易看到在第一种串行方法里，数据总线的利用率是很低的，而内存交错方法则可以让各个bank连续泵出数据。

不适用内存交错的CPU访存、使用内存交错的CPU访存

6、小结

到这里为止，文章的内容就结束了，回顾一下，本文主要讨论了DRAM基本单元的结构、基本单元的读写原理、普通DRAM芯片的读写过程、读写时间消耗、row buffer、DRAM系统层次、猝发模式和内存交错等内容。

通过阅读本文，读者可以建立起对DRAM芯片的基本认识，了解CPU访存时存储芯片内部的动作，也有可能受到本文启发，发掘出自己对高性能内存系统的兴趣（×）。另外，读者还可以看看自己电脑的内存插槽数和内存通道数，更好地了解自己电脑的性能。咳咳。