惠普将在2013年推出替代闪存的忆阻器芯片

惠普和海力士(Hynix)正在忆阻器基础上开发的新内存技术。忆阻器是具有记忆功能的非线性电阻器。 在国际电子论坛上，惠普实验室资深研究员Stan Williams表示，该公司计划在一年半时间内向市场推出闪存芯片（Flash）的替代芯片，以及固态硬盘（SSD）的替代存储器。他说，可能到2014年，或者到2015年，惠普将有DRAM的竞争产品，接下的一步是去替代SRAM。他声称，新芯片的每比特交换能量比Flash改进了两个数量级。