SLC MLC

      SLC 和MLC分别是是Single Layer Cell 单层单元和Multi-Level Cell多层单元的缩写,SLC的特点是成本高、容量小、速度快,而MLC的特点是容量大成本低,但是速度慢。MLC的每个单元是2bit的,相对SLC来说整整多了一倍。不过,由于每个MLC存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。

存储单元分为两类:SLC(Single Level Cell 单层单元)和MLC(Multi-Level Cell多层单元)。此外,SLC闪存的优点是复写次数高达100000次,比MLC闪存高10倍,我们再来看看SLC技术,存取原理上SLC架构是0和1两个充电值,即每Cell只能存取1bit数据,有点儿类似于开关电路,虽然简单但却 非常稳定。如同电脑的CPU部件一样,要想在一定体积里容纳更多的晶体管数,就必须提高生产工艺水平,减小单晶体管体积。目前SLC技术受限于低硅效率问 题,要想大幅度提高制程技术就必须采用更先进的流程强化技术,这就意味着厂商必须更换现有的生产设备,投入大不说而且还是个无底洞。而MLC架构可以一次 储存4个以上的充电值,因此拥有比较好的存储密度,再加上可利用现有的生产设备来提高产品容量,厂商即享有生产成本上的优势同时产品良率又得到了保证,自 然比SLC架构更受欢迎。

我们来做一下技术参数上的对比:

1:存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入,而SLC架构可承受约10万次,是MLC的10倍。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响,但绝非像写入那样严重。

2:读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区,所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控制芯片下完成的,闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据 的读取、擦除或是重新写入的速度。

3:功耗。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据,故只有高和低2种电平状态,使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存 放多个bit,即电平至少要被分为4档(存放2bit),所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。英特尔新推出的65纳米MLC写入速 度较以前产品提升了二倍,而工作电压仅为1.8V,并且凭借低功耗和深层关机模式,其电池使用时间也得到了延长。

4:出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状态,这种技术能提供快速的程序编程与读取,只有开和关两种状态,非常稳定,就算其中一个Cell损坏,对整体的性能也不会有影响。在一次读写中MLC有四种状态(以每Cell存取2bit为例), 这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压,读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。它已经不再是简单的开关电路,而是要控制 四种不同的状态,这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求,而且一旦出现错误,就会导致2倍及以上的数据损坏,所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更 高的要求。

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