FLASH 擦写时间比较

【Nand flash的一些典型(typical)特性】 

 

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1.页擦除时间是200us，有些慢的有800us。 （528）

2.块擦除时间是2ms.                                         （528*32）

 

看了24c512的手册，一个page才128个byte，512/8bit=64k byte总共个500个page，想写满64k得写500个page，手册中貌似写一个page都要花10mS，估计得用5-10S才能写满....

而spi flash（一个page 256个byte），搽除、写64k 搞出来测得 <3s，这个速度满足我的需求。

请问有没有满足以下条件的存储器
1、与24c02引脚、接口兼容，
2、读写速度可以媲美spi flash

 

虽然现在的芯片速度提升了，但是IIC 读写速度还是没法和SPI比的。
标准IIC的速度（24Cxx）是1 MHz (5V), 400 kHz (2.7V) and 100 kHz (1.8V) Compatibility
而SPI的速度是10 MHz (1k~256k), 20 MHz (512k~1M),
至于写入时间，都是5mS，512k的每次块写也都是128字节，这个没什么区别；但SPI的512k以上的有扇区擦除和芯片擦除供了，对于不需写完全部数据的会快很多。

至于铁电，FM24V05 和FM24V10 是I2C 接口的；FM25V05 (512Kb) 和FM25V10 (1Mb)是 串口SPI的；
FM24V05 和FM24V10 支持3.4 MHz的I2C总线速度，可以无延迟 (NoDelay) 写入，也就不需要每写入128字节就等待5mS了，速度当然就快多了。

另：4楼的提醒是对的，存储器大多都是按照位来标记型号的，要8位才是一个字节哦~

 

E²的写入时间远长于I2C的通讯时间。楼主，你要快，我看你上铁电或者NAND FLASH好了，SPI FLASH写起来是快，擦起来就够你受的了。

                                                                                              C8051F020

                                                                                               STM912

                                                                                                 STM32