目前针对Cortex-M3的开发示例大都以MDK的工程来提供,所以MDK更适合Cortex-M3的开发才对,难到几万元的RVDS其开发表现不如万元左右的MDK开发工具吗,实际情况又如何呢?
开发板:EM-STM3210E 和 EM-STM3210E-EVAL
CPU:STM32F103ZE
目标源码:Microsoft .Net Micro Framework v4.0 for Cortex-M3
一、编译
编译模式 |
Debug |
Release |
RTM |
|
MDK |
RAM |
正常 |
异常 |
异常 |
FLASH |
正常 |
异常 |
异常 |
|
RVDS |
RAM |
异常 |
正常 |
异常 |
FLASH |
异常 |
异常 |
异常 |
所谓异常,其实问题很简单,就是CRC计算的代码出了问题,相关代码如下:
UINT32 SUPPORT_ComputeCRC( const void* rgBlock ,int nLength , UINT32 crc)
{
const UINT8* ptr = (const UINT8*)rgBlock;
while(nLength-- > 0)
{
crc = c_CRCTable[ ((crc >> 24) ^ (*ptr++)) & 0xFF ] ^ (crc << 8);
}
return crc;
}
在出现异常的版本中,代码运行到crc = c_CRCTable[ ((crc >> 24) ^ (*ptr++)) & 0xFF ] ^ (crc << 8);时,程序即出现异常,并且是rgBlock地址在外扩SRAM或片内FLASH时才出现这个问题,有时执行多个循环才会出现这种情况(为了锁定和捕捉该错误,花了我许久的时间才定位到此处)。STM32F103ZE包含CRC计算功能,但是以4个字节为计算单位,所以不太适用。
从以上表现来看,MDK和RVDS的编译结果还是有比较大的区别的,所以建议嵌入式开发者要多测试几款工具,才能真正定位自己的问题。
二、调试
由于目前EM-STM3210E 和 EM-STM3210E-EVAL开发板并没有提供一款直接初始化片外SRAM的软件,所以要调试RAM版本的程序,MDK或RVDS都需要编写调试脚本(如何编写调试脚本?请参见:)
用MDK调试Cortex-M3和调试ARM9或ARM7平台一样,直接调试即可。但是用RVDS调试却有不同,为了能正常调试,还是费了不少周折的。
在用RVDS调试Cortex-M3时,要确保上图所示的 [State]中的“t”为“T”。
有意思的是,这个选项和BOOT的启动选项有很大关系,如果设为“系统启动”模式,则上图的“t”自动为“T”,可以直接进行调试,其它两种模式“用户启动”和“RAM启动”都默认为“t”,需要手动切换为“T”。
此外RVDS显示的指令地址有些问题(最低位并不为1),而MDK却一切正常。
三、其它
ARM开发板,其中基于STM32F103ZE CPU的开发板有三款
从我目前的调试经验来看,如果调试基于ARM7或ARM9的开发板,RVDS还是非常强大的,不过如果要调试基于Cortex-M3的开发板(特别是STM32系列),我倒是建议采用MDK来进行调试,不仅价格便宜,综合表现也不错。
最近一段时间,.Net Micro Framework for Cortex-M3除了USB驱动移植成功外,还开发了一个轻量级TinyGUI,在低内存的Cortex-M3开发板上有不俗的表现,我在后续的博文中会进行相关的介绍。