二极管与三极管与场效应管

（1）晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示。二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。所以有隔离作用：

                                        

如上的三个二极管D2D3D4，由于单向导电性，供电只能从左往右而不能从右往左，当MAIN_5V供电成功后，不致于电流回贯到5V_VSB即外接电源上，造成影响。

（2）晶体三极管是内部含有PN结，并且具有电流放大能力的器件。通过晶体管的控制作用，使集电极电流有更大的变化，它的变量在集电极电阻上产生大的电压变量，从而实现电压放大。它分NPN型和PNP型两种类型。晶体管放大器是一种三端电路，其中必有一个端是输入和输出的共同“接”端，如果这个共“接”端接于发射极的，称为共射电路；接于集电极的，称为共集电路；接于基极的，称为共基电路。

      三极管电路的输入、输出电阻：输入电阻为放大器对信号源所呈现的负载效应，或由放大器输入端向放大器看进去的等效电阻，Ｒｉ＝Ｕｉ／Ｉｉ。 输出电阻为将放大器的输出端等效为具有内阻的电压源，则电压源的内阻即为放大器的输出电阻，或由放大器输出端向放大器看进去的等效电阻，Ｒｏ＝Ｕｏ／Ｉｏ。

    

（3）场效应管的分类：场效应管分结型（JFET）、绝缘栅型(MOS，是FET的一种)两大类；按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。如下图：

                                                                                        

        场效应晶体管的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，用栅源极电压控制漏极电流，属于电压控制型器件；具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中，场效应管可以用作电子开关。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。用在电路图的标示如下：

                                                                            

         场效应管与晶体管的比较：
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管（因为其内阻极大）；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。