S3C2440的内存管理

1、

1.1 、SRAM：

读取速度快，直接输入地址就可以读取或者写入数据，价格贵以及行地址还有列地址，为防止数据丢失还有不断地刷新。价格便宜。本实验SDRAM的CL时间是3clocks

寄存器：在SC2440存储管理寄存器中UB/LB指的是数据掩码信号，在本书的编程当中不使用

网卡以及NAND FLASH 是RAM LIKE芯片，这是由于网卡以及FLASH的接口是SRAM的。

在本实验板中只有BANK6和BANK7可以另接SDRAM的接口，当然这个接口也可以接ROM与SRAM芯片。

编程实验：arm-linux-ld -Ttext 0x30000000 asm.o source.o -o name_elf
其中asm.o与source.o不可以交换位置，编译的时候是按照所排列的顺序进行代码段的排列的。另外，在复制代码到客户区的时候如果把0地址内存4K填充为0 的时候会出现代码无法运行的情况。

由于存储芯片位宽为16位，一次可以进行两个字节的读取。但是，通常操作系统里最小寻址单位是1字节，因此内存控制器必须要保证可以访问内存里每一个字节。UDQM ，LDQM分别代表16位数据的高，低字节读取信号，当读取数据时，LDQM /UDQM分别用来控制16位数据中高低字节能否被读取，当LDQM /UDQM为低电平时，对应的高/低字节就可以被读取，如果LDQM /UDQM为高电平时，对应的高/低字节就不能被读取。当向内存里写入数据时，LDQM /UDQM控制数据能否被写入，当LDQM /UDQM为低电平时，对应的高/低字节就可以被写入，如果LDQM /UDQM为高电平时，对应的高/低字节就不能被写入。通过对LDQM /UDQM信号的控制可以控制对两个存储芯片存储数据，由于两个存储单元的地址线是通用的，他们都能接收到CPU发出的地址信号，但是，发给两个存储单元的LDQM /UDQM信号是不同的，以此来区分一个字的高低字节。

1.2 MMU

使用方法：

1.2.1： 写一级页表段描述符，段描述符按规定写，地址参照《嵌入式ARM完全开发手册》进行设置，指向编写的段的物理地址，指定所属域，权限
1.2.2： 清除整个cache的区块以及写缓冲区和预取缓冲区，因为在更新时候虚拟地址与物理地址不照应，所以要先清理，以免造成使用错误
1.2.3：CP15 C3指定段所属域的访问权限为管理员 administrator
1.2.4： 清除ICache，Dcache，TLB，writebuff
1.2.5： CP15 C2指定写入的那个位置为一级页表
1.2.6： CP15 C1设置启动MMU(小端，LOW or HIGH address, fault checking(对齐检查))
MMU代码： http://download.csdn.net/detail/u013904227/9252201

拷贝数据的时候不能使用数组由大到小的方法，比如从内存到SDRAM的时候需要按照地址增长的顺序进行代码的拷贝，否则代码运行失败。
在MMU初始化之后再进行的地址访问都是以虚拟地址的方式进行访问的，如果在使用物理地址，那么访问到的内存就不一定是原来的物理内存了。
指令格式： MCR P15，0，rd，Cn，Cm，n
基本知识: 所有的汇编指令都是这样的格式，只不过有的指令省略了中间的部分位，32位系统指令都是32位的，选取其中某些位作为指令选项，可以
猜测，机器码就是汇编指令32位译制过去的，若看机器码可以找寻到不同指令的固定不变的某些位

2、S3C2440的地址分布

2.1、S3C2440的硬件管脚
addr脚范围：addr0~addr26，共27位，由于S3C2440的外设地址直接寻址范围为0x00000000~0x08000000，加上头部的片选即可达到寻址地址为0x00000000~0x40000000，所以不需要addr27以及以后的引脚即可达到寻址外设的要求，并不是S3C2440中只有27位地址线

2.2、程序加载过程

在系统上电时，若选择NAND Flash启动，则把NAND Flash的片内数据拷贝4K到S3C2440的芯片内SRAM中，并将NAND Flash的0地址映射到芯片内0地址，之后的如4096地址索引到的数据是NAND Flash中4096地址处的数据。由此可以推及，由NOR Flash启动的时候，由于NOR Flash的起始地址本来就是0，也由此可以得出代码实际上就是从NOR Flash中开始运行的，在4096之后的地址实际上也是NOR Flash中的地址，索引数据的时候也是索引到NOR Flash中的数据。综合来看，由于NAND Flash没有地址线，所以不存在所谓的相对于S3C2440来说的物理地址，NAND Flash启动时将NOR Flash的0x00000000~0x08000000地址映射为NAND Flash的地址，也即此时NAND Flash相当于NOR Flash启动时的NOR Flash。并且由于NAND Flash不存在地址线，所以也就不能够在NAND Flash中直接运行程序，而是通过将NAND Flash中的数据加载到其他可以运行成的内存单元中去运行

PS：片内SRAM的地址为0x40000000~0x48000000，NAND Flash启动的时候代码运行实际上是从物理地址为0x40000000处开始运行的，而NOR Flash启动的时候片内SRAM的地址还是0x40000000，此时片内SRAM地址没有被映射