NMOS和PMOS区别
一直以为PMOS是Vgs>Vt就导通，原来正好相反。PMOS是Vgs小于Vt（阈值电压）时，导通！
转载资料：
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
http://www.52rd.com/bbs/Archive_Thread.asp?SID=108410&TID=2
请问手机充电电路为什么都用PMOS管？不知道相比于Nmos来讲PMOS的优点在哪里，好像说是什么栅极驱动的问题，不过我不明白具体的原理，哪位好心人能给点解答，我实在在网上搜不到了，谢谢了……！
banyan Post at 2007-12-18 8:29:23
低电平使能，很方便
cforever Post at 2007-12-18 9:42:36
低电平很好理解，只是我不清楚在USB或充电器插上一瞬间，由于VG在PMU内部是通过电阻下拉接地的。通过VGS肯定满足让PMOS导通的条件，这时瞬时充电电压和电流不是很高吗？这是怎么控制的呢？
ccforever Post at 2007-12-18 9:57:52
呵呵，怎么我在这个论坛上提了几个问题都只有一两个人会教我哦，上次问耳机MIC的输入变成伪差分的优点和原理，也没有愿意帮我……呵呵
zdbz Post at 2007-12-28 14:31:34
这个主要是POMS和NMOS的制作工艺决定的
PMOS有一个很重要的优点，就是导通时候的低阻抗，这个对于要求过大电流的场合很适用
根本与使能电平无关[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
PMOS有一个很重要的优点，就是导通时候的低阻抗，这个对于要求过大电流的场合很适用
根本与使能电平无关[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
hintman Post at 2008-1-3 15:17:35
MOSFET在充电电路中都是用在High Side的通路控制，NMOS导通时需要门极驱动电平高于源极(S)，导通时D-S电位视为一致，如果用NMOS做通路控制，需要驱动电压高于输入电源电压(这样要求驱动电路内部有升压电路产生高于输入电源电压的供电给驱动电路)，如果用PMOS做通路控制，就没有这个问题，驱动起来更方便。[br]<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>
matthews_liu Post at 2008-1-4 20:53:10
控制端的电压最大才3.0V 若要保证MOSFET 导通,则必须采用P-MOSFET
zdbz Post at 2008-1-5 14:38:10
6楼所说的很对，我原以为只是因为导通电组，回头看了一下NMOS参数，发现NMOS门极电压也很重要。
NMOS 导通条件 一般是D-->S,需要Vgs>Vt(导通门限电压，正值)，如果Vds<Vgs-Vt NMOS就处于 三极管区
如果Vds>Vgs-Vt NMOS就处于 饱和区
PMOS 导通条件 一般是S-->D,需要Vgs<Vt(导通门限电压，负值)..........................
NMOS 导通条件 一般是D-->S,需要Vgs>Vt(导通门限电压，正值)，如果Vds<Vgs-Vt NMOS就处于 三极管区
如果Vds>Vgs-Vt NMOS就处于 饱和区
PMOS 导通条件 一般是S-->D,需要Vgs<Vt(导通门限电压，负值)..........................
tiankai Post at 2009-12-11 16:08:12
这个主要是POMS和NMOS的制作工艺决定的
PMOS有一个很重要的优点，就是导通时候的低阻抗，这个对于要求过大电流的场合很适用
根本与使能电平无关
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这个说法不准确吧，RDS按说 是NMOS 的更低吧。。。
PMOS有一个很重要的优点，就是导通时候的低阻抗，这个对于要求过大电流的场合很适用
根本与使能电平无关
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这个说法不准确吧，RDS按说 是NMOS 的更低吧。。。
boyin757 Post at 2009-12-12 20:42:55
PMOS管导通电阻较NMOS管大，NMOS管的导通电压大
sunightms Post at 2009-12-12 21:47:27
充电MOS的源极一般接charger的正极，电压高，如果使用Nmos，必须保证栅极的电压高于源极才能导通，比较难实现，所以用Pmos
LINX Post at 2009-12-24 15:11:31
[QUOTE][B]以下是引用[i]hintman[/i]在2008-1-3 15:17:35的发言：[/B]
MOSFET在充电电路中都是用在High Side的通路控制，NMOS导通时需要门极驱动电平高于源极(S)，导通时D-S电位视为一致，如果用NMOS做通路控制，需要驱动电压高于输入电源电压(这样要求驱动电路内部有升压电路产生高于输入电源电压的供电给驱动电路)，如果用PMOS做通路控制，就没有这个问题，驱动起来更方便。
<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>[/QUOTE]
这个应该是正解，学习了！[em01]
MOSFET在充电电路中都是用在High Side的通路控制，NMOS导通时需要门极驱动电平高于源极(S)，导通时D-S电位视为一致，如果用NMOS做通路控制，需要驱动电压高于输入电源电压(这样要求驱动电路内部有升压电路产生高于输入电源电压的供电给驱动电路)，如果用PMOS做通路控制，就没有这个问题，驱动起来更方便。
<p align=right><font color=red>+1 RD币</font></p>[/QUOTE]
这个应该是正解，学习了！[em01]