栅极电荷

电容容量换算电池容量，以及RTC持续时间计算

依据公式1：Q=I*t公式2：Q=C*U其中：Q：电荷量（库仑）I：电流（安培）t：时间（秒）C：电容量（法拉）U：电压（伏特）推导：I(A)*t(s)=C(F)*U(V)变形：I(uA)/1000000
MengXP·2023-11-14 18:41

FAN73832MX 350mA-650mA 高压600V 能驱动MOSFET和IGBT 半桥栅极驱动IC

FAN73832MX是一款半桥、栅极驱动IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达+600V。
Hailey深力科·2023-11-14 11:11

MOSFET和IGBT栅极驱动器TLP250H(D4-TP1,F)电路的基本原理

TLP250H是IGBT和功率MOSFET栅极驱动的理想
Hailey深力科·2023-11-14 11:40

电子防潮柜如何进行防静电保护？

静电是指物体表面带有正电荷或负电荷，由于电荷不流动而产生的电现象。当物体与其他物体摩擦或分离时，电子会从一个物体转移到另一个物体，导致其中一个物体带有正电荷，另一个物体带有负电荷。
Rmwcf·2023-11-13 17:08

半导体电导率受哪些因素影响？如何正确测量半导体电导率？

半导体电导率是指导电流在单位时间和单位电压下通过物质的能力，用来描述电荷流动的难易程度。电导率用符号σ表示，单位是西门子/米(S/m)。电导率是电阻率(ρ)的导数，因此计算公式为：σ=1/ρ。
纳米软件Namisoft·2023-11-13 17:27

普通物理中易被忽视的知识与常见结论--3

：劈尖干涉布儒斯特角电磁学毕奥萨伐尔定律极化在介质的微观结构中，电子不能做超越原子尺寸的自由移动，不具有导电性在外加电场的作用下，分子的电结构会有微弱形变从而出现类似于电偶极子聚集的行为被极化的物质的电荷的总束缚量为零但微观电荷的重新分布会产生一个
River Chandler·2023-11-13 14:40

常用物理量与SI词头

基本物理常量与SI词头基本物理常量物理量值单位常用组合物理量物理量值单位波尔半径精细结构常数电子康普顿波长玻尔磁子原子量与原子核量电子物理量值单位电子静止质量电子磁矩元电荷经典电子半径质子物理量值单位质子静止质量质子磁矩核磁子中子物理量值单位中子静止质量单位转换能量单位转换因数
River Chandler·2023-11-13 14:35

60V、低 IQ、双通道LTC3892MPUH-2、LTC3892HUH-2、LTC3892IUH-2、LTC3892IUH两相同步降压型 DC/DC 控制器

栅极驱动电压可设置在5V至10V的范围内，以允许使用逻辑或标准电平FET并较大限度地提升效率。上管栅极驱动器中的内部开关免除了增设外部自举二极管的需要。
Mandy_明佳达电子·2023-11-13 08:20

简单理解二极管

不管P极和N极使用什么材料作的，只需要记住P极提供正电荷
EniacCheng·2023-11-13 05:31

AlGaN/GaN HFET 五参数模型

来源：IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES（15年）摘要—我们引入了AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）漏极电流Id（Vgs，Vds）的解析表达式，该表达式是其栅极和漏极电压的函数
幻象空间的十三楼·2023-11-12 14:14

NAND FLASH 原理

.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml闪存保存数据的原理:与DRAM以电容作为存储元件不同，闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极
服务器技术研究·2023-11-12 11:09

如何利用MOS管设计一个LED亮度可调电路

首先大家可以看下下面的MOS管亮度可调的演示视频如何利用MOS管设计一个LED亮度可调电路这个电路大致电路图如下MOS管的栅极放了一个电容，当按按键1的时候，电源通过R1给电容充电，，MOS管栅极的电压慢慢增大
小鱼教你模数电·2023-11-11 22:59

电路设计_MOS管在电源控制中的应用

MOS是通过控制栅极和源极之间的电压差（Vgs）来实现导通和截止的。下图是N沟道MOS管。Vgs
万象君_1024·2023-11-11 22:58

MOS管的工作原理以及设计理念

如图下是MOS的结构图，栅极代号是“G”，作用是控制脚，它在结构上表现在电容的一极，氧化物对应电容的介质，在NMOS半导体P结相当于电容的另一极，在PMOS半导体N结相当于电
逐梦之程·2023-11-11 22:56

【电工基础】

简介1.2电路作用1.3电路模型1.4电流定义1.5电压定义1.6电动势1.7电阻元件1.7.1电阻元件定义1.7.2电阻原件的特性1.7.31.7.41.81.91.1034511.1简介电源外部，正电荷移动的方向是由电源正极向电源负极方向
光芒Shine·2023-11-11 17:52

应用在测量电介质的厚度、物位中的电容传感芯片

电介质的带电粒子是被原子、分子的内力或分子间的力紧密束缚着，因此这些粒子的电荷为束缚电荷。在外电场作用下，这些电荷也只能在微观范围内移动，产生极化。
nanfeng775a·2023-11-11 01:23

计算机做电池模拟,探讨锂电领域常用模拟计算方法

由于实验过程存在误差，微观尺度方面，如SEI膜的生长机制、电极材料中离子的扩散动力学特性、电极材料充放电过程中结构的演变、电位与结构的关系、空间电荷层分布等问题不能直观得出结论，实验手段并不能给出明确的理论解释
zy2752639565·2023-11-10 18:27

硬件基础元器件【1.电阻篇】

文章目录1电阻1.1电阻的作用1.2电阻选型要点1.3电阻的主要使用场景1.3.1上、下拉电阻上下拉电阻作用阻值选择原则1.3.2MOS管栅极驱动电阻1.3.3电源反馈电阻1.3.4晶振并联电阻1.3.50
卯木丶·2023-11-10 18:25

研究亥姆霍兹线圈轴线磁场分布（3）

【实验原理】磁场起源于电荷的运动，通常用磁感应强度B(包括方向和大小)表述磁场性质，其大小与介质性质有关，而且是空间位置的函数。
na_ge_nan_ren_·2023-11-10 16:17

研究亥姆霍兹线圈轴线磁场分布

【实验原理】磁场起源于电荷的运动，通常用磁感应强度B(包括方向和大小)表述磁场性质，其大小与介质性质有关，而且是空间位置的函数。
na_ge_nan_ren_·2023-11-10 16:16

纯干货：差分电荷密度 | VASP零基础实用教程

接下来我们将通过三章教程来讲解一下电荷方面的计算教程。本章教程先来讲解一下如何计算差分电荷密度。
朱老师讲VASP·2023-11-10 02:40

纯干货：电子局域函数 | VASP零基础实用教程

上一篇教程我们讲解了差分电荷密度的含义以及其计算和处理方法，大家根据教程里面的例子多加练习，如果有疑问可以通过邮件联系我。
朱老师讲VASP·2023-11-10 02:10

open drain和push pull

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，常用做开关元件；G：gate栅极，S：source源极；D：drain漏极；  工作原理：NMOS的
ForDream321·2023-11-09 20:46

半导体测试 | 半导体器件可靠性怎么测试？测试方法有哪些？

半导体可靠性测试项目1.外观检查2.高温反向偏压3.高温栅极偏压4.热冲击5.振动6.机械冲击7.无偏高加速应力试验8.高压釜试验9.高加速应力试验10.高温高湿反向偏压11.高温存
纳米软件Namisoft·2023-11-09 18:48

GaN HEMT 电容的分析建模，包括寄生元件

AnalyticalModelingofCapacitancesforGaNHEMTs,IncludingParasiticComponents来源：IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES（14年）摘要：本文提出了一种基于表面势的终端电荷和电容模型
幻象空间的十三楼·2023-11-09 15:13

【电子元器件原理】

电子元器件原理1二极管2三极管3NMOSPMOS4上下拉电阻51二极管P级：纯硅中掺入少许的硼(最外层有3个电子)，就反而少了1个电子，而形成一个空穴，这样就形成P型半导体(少了1个带负电荷的原子，可视为多了
光芒Shine·2023-11-08 13:29

电感基础复盘

获得电荷为充电，反之为放电。隔离直流电不能通过电容器，⽽交流电能通过电容器。充电时直流电相当于导通，当充满电时，无电荷流入，相当与断开。
孔镜观栏·2023-11-08 11:48

gamma跃迁

伽马跃迁gamma辐射的多极性经典的电磁辐射：由两个电量相等符号相反的电荷的偶极子作简诣振动两个偶极子组成的系统（四极子）产生四极辐射两个四极子组成的系统（八极子）产生八极辐射原子核多极辐射gamma跃迁遵守宇称守恒定律
River Chandler·2023-11-08 08:41

半导体器件中的背栅

目录MOSFET结构背栅背栅与栅极背栅是用来控制sub极的吗MOSFET结构背栅结构通常用于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等半导体器件。这种结构可以帮助控制器件的阈值电压和提高器件性能。
幻象空间的十三楼·2023-11-08 00:44

无线通信技术概览

电荷的定向移动产生电流，电荷本身产生电场。电流是移动的电场。静止的电荷产生静止的电场，运动的电荷产生运动的电场。变化的电场一定产生磁场。
路溪非溪·2023-11-06 23:55

“第六十天”

SRAM和DRAM：DRAM：动态RAM（随机存期存储器），是使用栅极电容存储信息的；SRAM：静态RAM，是使用双稳态触发器存储信息的。
人间乄惊鸿客·2023-11-06 09:05

氮化镓功率HEMT的表征与建模

IEEETRANSACTIONSONINDUSTRYAPPLICATIONS)GaNhigh-electron-mobilitytransistor(HEMT)GaN高电子迁移率晶体管  该模型包括一个电压相关电流源Ids、两个电压相关电容Cgd和Cds、一个电压无关栅极
幻象空间的十三楼·2023-11-04 07:16

手机相机要看哪些参数？厂商是如何利用的？

感光元件，即图像传感器，分为CCD（电荷耦合）和CMOS（互补金属氧化物半导体）两种技术，由于CCD成本高，感光面积大，一般用在数码相机中，而在手机上采用的感光元件都是CMOS技术，成本和功耗较低，因此又称作
科技怪大咖·2023-11-02 21:02

MS39233三个半桥驱动器可兼容TMC6300

并且内置电荷泵来提供内部功率NMOS所需的栅驱动电压。MS39233可以提供最高2.8A的峰值电流，其功率电源供电范围从1.8V到10V，模拟电源供电范围从1.8V到6V。
XjtDZ·2023-11-02 13:18

稳恒电路直观理解0

图v0图v1图v2图v3图v4自由正电荷s，定向移动过程中，在任何一位置处受力都是平衡的，即s所受总合力为0，即s处于匀速运动：直导体中匀速直线运动、拐弯处匀速圆周运动起初t0时刻,s的势能是最高的E0
ziix·2023-11-02 12:21

AD7606/AD7616使ZYNQ在能源电力领域如虎添翼，可实现16/32/64通道AD同步采样

AD7606片上集成模拟输入箝位保护、二阶抗混叠滤波器、跟踪保持放大器、16位电荷再分配逐次逼近
Tronlong创龙·2023-11-02 05:03

卤族元素

一、卤族元素之间的异同点卤素中的各个元素位于同一族，因此最外层电子都为七个，周期递增，核电荷数、电子层数、原子
GJRRRRR·2023-11-02 03:52

二氧化铈纳米棒 Cerium Oxide Nanorods 氧化铈纳米棒

二氧化铈纳米棒（西）产品名称：二氧化铈纳米棒（安）英文名称：CeriumOxideNanorods（瑞）成分：氧化铈纳米棒、乙醇（禧）浓度：0.1mg/mL（生）包装：2.5ml5ml10ml（物）浓度、粒径、电荷等可根据需求规格定制颜色
ruixi_·2023-11-01 23:32

的概念产生于计算机芯片,是指采用光导原位合成或微量点样等方法,,微阵列芯片...

将大量生物大分子比如核酸片段、多肽分子甚至组织切片、细胞等生物样品有序地固化于支持物(如玻片、尼龙膜等载体)的表面，组成密集二维分子排列，然后与已标记的待测生物样品中靶分子反应，通过特定的仪器，比如激光共聚焦扫描仪或电荷偶联摄影像机对反应信号的强度进行快速
雷宗扬·2023-11-01 21:33

多肽抗原制备FAQ

而肽的序列往往代表了母本蛋白的序列，为了与母本蛋白更为接近，肽末端往往需要封闭，即N端乙酰化和C端酰胺化，这些修饰会减少多肽的总电荷，降低多肽的溶解度，也可以使肽模拟它在母本蛋白中α氨基和羧基的原始状态
卡梅德生物·2023-11-01 21:57

电子管是什么？

一、电子管的构造电子管通常由灯丝、阴极、控制栅极、阳极和外壳等部分组成。灯丝是电子管的加热器，它通常由一个螺旋状的钨丝组成，通电后会产生热量，使阴极受热并释放出自由电子。
淘晶驰AK·2023-11-01 10:55

接触式静电压测量仪的用途和操作方法

接触式静电压测量仪是一种用于测量静电电荷的仪器，主要用于工业生产和科学研究领域。它可以测量静电电压、静电场强、静电电荷等参数，对于静电控制和环境监测等方面具有重要的作用。
VESD_2004·2023-10-31 17:54

怎么用万用表检测场效应管的好坏？

场效应管（AO4435）带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S（源极）。
Sofie_6804·2023-10-31 16:34

三极管和场效应管测量

若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
夏天来了85·2023-10-31 13:00

matlab画一个点电荷电场线,matlab画点电荷电场线

实验一利用Matlab模拟点电荷的电场分布一、实验目的:1.熟悉点电荷的电场分布情况;2.学会使用Matlab绘图二、实验原理MATLAB输入命令的方式有两种,一种就是在命令窗口中直接输入简单的语句,这种方式适应于命令比较简单
大雄行为锻炼·2023-10-31 08:58

【无标题】

一、电路符号MOS管分为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）三极，在图中S极有两条线，D极只有一条线。1.1NMOS和PMOS下图中，左侧是PMOS，右侧是NMOS。箭头向外是P，朝内是N。
余生皆假期-·2023-10-31 02:41

NOR Flash 和 NAND Flash

闪存的存储原理基于氧化硅介电体，通过在介电体表面加电压从而吸收或释放电荷，从而实现信息的记录与擦除。在日常生活中，闪存
一只天蝎·2023-10-30 14:00

怎么理解电流超前电压、电压超前电流？

当我们在这两个金属电极间施加一些电压的时候，电极就会就会储存到电荷。因此，我们所说的电容功能就是储存电能，电容器就属于
huaqianzkh·2023-10-30 12:13

SRAM和DRAM的优缺点对比

SRAM和DRAM的优缺点对比存储方式不同，DRAM一位数据存储在一个电容器中，根据电容的电荷量判断状态，SRAM一位数据需要六个MOS管主要用途不同，SRAM因为其速度比较块一般用作Cache，而DRAM
Hydrion-Qlz·2023-10-30 06:58

FOC系列（二）----继续学习DRV8301芯片

一、程序框图  跟随上篇博客咱们继续往下看，下面是芯片内部的程序框图：1.1BUCK电路1.2内部各电源1.3SPI通信、栅极驱动器和时序控制器1.4MOSFET驱动电路1.5电流采样放大电路  数据手册只是给出了这一部分框图
致虚守静~归根复命·2023-10-28 14:33
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