EVERSPIN

Everspin MRAM技术的可靠性

EverspinMRAM器件旨在结合非易失性存储器和RAM的最佳功能，为越来越多的电子系统提供“即时接通”功能和
宇芯电子·2020-06-02 15:03

医疗设备专用MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM

EverspinMR25H40-4MbSPI串行接口MRAM适用于医疗设备中的非易失存储器，例如在医用呼吸中，4Mb(MR25H40)的MRAM可用于存储操作软件程序变量。
英尚微电子·2020-06-01 12:20

应用于医疗设备中的并行接口MRAM-MR5A16A

Everspin并行输入/输出MRAM产品的简单异步静态随机存取存储器标准JEDEC接口和QSPI/SPI接口使设计易于实现，无需额外的组件或生态系统支持。
英尚微电子·2020-05-29 14:38

医用呼吸机Everspin MRAM应用笔记

EverspinTechnologies提供了一种独特的MRAM存储技术，它将为这类设备的电子系统设计带来好处。
英尚微电子·2020-05-28 14:04

Everspin MRAM串行SPI MR25H256ACDF

总览MR25H256是一个串行MRAM，具有使用串行外围设备接口的芯片选择（CS），串行输入（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四针接口在逻辑上将存储器阵列组织为32Kx8（SPI）总线。宇芯串行MRAM实现了当今SPIEEPROM和闪存组件通用的命令子集，从而允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的写入
宇芯电子·2020-04-27 14:17

新型存储器与传统存储器介质特性对比

目前新型存储器上受到广泛关注的新型存储器主要有相变存储器(PCM)，其中有以英特尔与美光联合研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM
宇芯电子·2020-04-24 16:21

医疗应用中的Everspin MRAM存储器

日本Nikkiso是工业，在其血液透析机中使用MRAM作为机器性能参数以及各个患者参数的数据日志，是航空航天和医疗设备市场的领导者，其工程师选择EVERSPIN4Mb和16MbMRAM产品是因为MRAM
英尚微电子·2020-04-24 13:57

MR25HxxxDF的2.0mm裸露底垫新封装已获Everspin批准生产

EVERSPIN的SPI产品系列中增加了具有2mm底部裸露焊盘的新型DFN8封装。这种新封装允许该器件既可用于JEDEC标准SOIC-8引脚又可用于DFN8PCB焊盘图案。
英尚微电子·2020-04-14 13:56

Everspin MRAM磁场抗扰度

everspinTechnologies，Inc.是设计，制造和商业销售分立和嵌入式MRAM存储器到市场和应用程序的全球领导者，在这些市场和应用程序中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。
宇芯电子·2020-04-10 16:49

Everspin MR2A16Axxx35可替换赛普拉斯CY14B104NA-BA

用Everspin的MR2A16Axxx35MRAM替换赛普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XInvSRAM用MRAM替换nvSRAM的一般注意事项每次使用MRAM进行写操作都会立即保持至少20
英尚微电子·2020-04-10 14:12

Everspin Serial MRAM存储芯片MR20H40CDF

MR20H40CDF是Everspin所生产的由4194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字。
英尚微电子·2020-04-09 15:59

专用于工业应用的Everspin MRAM

Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。
宇芯电子·2020-04-07 15:21

everspin生态系统和制造工艺创新

Everspin与GlobalFoundries有着悠久的合作历史，而且十多年来，通过不断改进，对其工厂进行微调优化。能迅速积累并将这些经验传授给GlobalFoundries。
英尚微电子·2020-03-23 11:51

为MRAM工艺打造的量测方案

美国EVERSPIN还提供了几种独立的MRAM产品，锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化、IoT、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。
英尚微电子·2020-03-18 14:09

为MRAM工艺打造的量测方案

美国EVERSPIN还提供了几种独立的MRAM产品，锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化、IoT、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。
英尚微电子·2020-03-18 14:56

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。
NETSOL·2020-02-19 14:00

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。
NETSOL·2020-02-19 14:00

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

everspin提供8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。
英尚微电子·2020-02-19 14:39

基于NAND闪存的SSD解决方案的STT-MRAM

作为克服现有基于NAND闪存的SSD的解决方案，Everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可通过提供高速非易失性存储来提高SSD的系统性能和可靠性。机上数据。
NETSOL·2020-02-09 21:00

基于NAND闪存的SSD解决方案的STT-MRAM

作为克服现有基于NAND闪存的SSD的解决方案，everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可通过提供高速非易失性存储来提高SSD的系统性能和可靠性。机上数据。
英尚微电子·2020-02-09 21:21

Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

图1.STT-MRAM的MJT细胞everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式STT-MRAM，它分为两个市场，嵌入式闪存替代和缓存。
NETSOL·2020-02-04 14:00

Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

图1.STT-MRAM的MJT细胞everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式STT-MRAM，它分为两个市场，嵌入式闪存替代和缓存。
NETSOL·2020-02-04 14:00

Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

图1.STT-MRAM的MJT细胞everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式STT-MRAM，它分为两个市场，嵌入式闪存替代和缓存。
英尚微电子·2020-02-04 13:47

Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

Everspin推出了STT-MRAM产品，该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体，它包含了对完整系统支持所需的独特功能。
NETSOL·2020-01-20 16:00

Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

Everspin推出了STT-MRAM产品，该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体，它包含了对完整系统支持所需的独特功能。
英尚微电子·2020-01-20 16:45

Everspin串口串行mram演示软件分析

Everspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。
NETSOL·2020-01-19 15:00

everspin非易失性存储器MR4A16B

Everspin科技公司表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。
NETSOL·2020-01-17 15:00

everspin非易失性存储器MR4A16B

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(IntegratedMagnetic)产品的领导厂商everspin公司16MbMRAM，进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。
英尚微电子·2020-01-17 15:31

everspin MRAM在汽车市场中的应用

在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。与当今的DFLASH相比，未来的汽车动力总成控制器可能需要更快，更加强大的非易失性和保活内存。在非易失性存储器中使用MRAM可以显着提高时间紧迫状态下的写入数据传输性能。MRAM设备可用的增加的内存存储空间还可以存储更多诊断数
英尚微电子·2020-01-14 11:56

企业SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM

随着企业固态驱动器（SSD）在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进，SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性，性能和添加重要的新功能的同时，还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备，下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构，这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护的
NETSOL·2020-01-13 11:00

企业SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM

随着企业固态驱动器（SSD）在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进，SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性，性能和添加重要的新功能的同时，还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备，下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构，这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护的
英尚微电子·2020-01-13 11:21

everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

Everspin自成立长期以来一直是MRAM产品开发的领导者，向市场展示了其28nm单机1GbSTT-MRAM芯片。
英尚微电子·2020-01-09 14:30

everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

Everspin自成立长期以来一直是MRAM产品开发的领导者，向市场展示了其28nm单机1GbSTT-MRAM芯片。
NETSOL·2020-01-08 14:00

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

为此，everspin的基于90nmCMOS技术的全功能64MbDDR3STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织，可支持1.6GigaTransfers/s（DDR3-1600）。
英尚微电子·2020-01-07 14:55

案例研究RAID控制器应用程序中的everspin mram

everspinMRAM是为LSICorporation（现在的AvagoTechnologies）RAID控制器卡上的日志存储器选择的存储器，该RAID卡具有6Gb/s和12Gb/sSAS存储连接。
英尚微电子·2020-01-07 14:52

案例研究RAID控制器应用程序中的everspin mram

everspinMRAM是为LSICorporation（现在的AvagoTechnologies）RAID控制器卡上的日志存储器选择的存储器，该RAID卡具有6Gb/s和12Gb/sSAS存储连接。
NETSOL·2020-01-06 13:00

案例研究RAID控制器应用程序中的everspin mram

everspinMRAM是为LSICorporation（现在的AvagoTechnologies）RAID控制器卡上的日志存储器选择的存储器，该RAID卡具有6Gb/s和12Gb/sSAS存储连接。
NETSOL·2020-01-06 13:00

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

为此，everspin开发了基于90nmCMOS技术的全功能64MbDDR3STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织，可支持1.6GigaTransfers/s（DDR3-1600）。
NETSOL·2020-01-06 13:00

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

为此，everspin开发了基于90nmCMOS技术的全功能64MbDDR3STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织，可支持1.6GigaTransfers/s（DDR3-1600）。
NETSOL·2020-01-06 13:00

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况，时间和温度而泄漏和击穿的相反，MRAM（磁性随机存取存储器）使用1个晶体管–1个磁性隧道结（MTJ）体系结构作为MTJ
NETSOL·2019-12-31 11:00

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途与电子电荷存储的数据可能会因使用情况，时间和温度而泄漏和击穿的相反，MRAM（磁性随机存取存储器）使用1个晶体管–1个磁性隧道结（MTJ）体系结构作为MTJ
英尚微电子·2019-12-31 11:24

everspin 4Mb串行SPI MRAM专用于智能电表

随着技术的进步，批量生产的静止式电表能以很低的成本获得强大的数据处理和存储能力，促使了小型用户电表的智能化水平得到大幅提升，静止式电表也逐步取代了传统的机电式电表。智能电表是基于现代通信技术、计算机技术、测量技术，对电能信息数据开展采集、分析、管理的先进计量装置。智能电表需要进行数据记录以进行能源管理和计费，并具有增强的可靠性，以便在恶劣环境下长期使用。另外需要长时间保留数据，以便公用事业公司可以
英尚微电子·2019-12-30 14:06

汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM

创建了集成了最新动力总成微控制器，everspinMRAMM
NETSOL·2019-12-27 15:00

汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM

创建了集成了最新动力总成微控制器，everspinMRAMM
英尚微电子·2019-12-27 15:28

航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器

实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成：3轴地磁传感器，通过3D封装系统技术制造的MPU芯片，制造的4MbitMRAM（磁性随机存取存储器）芯片由EverspinTechnologies和
NETSOL·2019-12-26 14:00

航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器

实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成：3轴地磁传感器，通过3D封装系统技术制造的MPU芯片，制造的4MbitMRAM（磁性随机存取存储器）芯片由EverspinTechnologies和
NETSOL·2019-12-26 14:00

航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器

实验性TAMU由使用领先技术制造的四种类型的设备组成：3轴地磁传感器，通过3D封装系统技术制造的MPU芯片，制造的4MbitMRAM（磁性随机存取存储器）芯片由EverspinTechnologies和
英尚微电子·2019-12-26 14:52

MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。
NETSOL·2019-12-24 17:00

MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。
NETSOL·2019-12-24 17:00

MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，由131,072个8位字组成。
英尚微电子·2019-12-24 16:59
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