STM32之FLASH读写

 

 

stm32内部flash主要用于存储代码，应用程序就是通过下载器sh烧录到内部flash的，flash掉电不会丢失，芯片ch重新商店内核从flash中加载代码运行的。还可以在运行过程中对flash进行读写操作。

区域	名称	块地址	大小
主存储器	页 0	0x0800 0000 - 0x0800 07FF	2 Kbytes
	页 1	0x0800 0800 - 0x0800 0FFF	2 Kbytes
	页 2	0x0800 1000 - 0x0801 17FF	2 Kbytes
	页 3	0x0800 1800 - 0x0801 FFFF	2 Kbytes
	.	.	.
	.	.	.
	.	.	.
	页 255	0x0807 F800 - 0x0807 FFFF	2 Kbytes
系统存储区		0x1FFF F000 - 0x1FFF F7FF	2 Kbytes
选项字节		0x1FFF F800 - 0x1FFF F80F	16 bytes

对内部 FLASH 的写入过程
1. 解锁
由于内部 FLASH 空间主要存储的是应用程序，是非常关键的数据，为了防止误操作修改了这些内容，芯片复位后默认会给控制寄存器 FLASH_CR 上锁，这个时候不允许设置FLASH 的控制寄存器，从而不能修改 FLASH 中的内容。
所以对 FLASH 写入数据前，需要先给它解锁。解锁的操作步骤如下：
(1) 往 FPEC 键寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY1 = 0x45670123
(2) 再往 FPEC 键寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB
2. 页擦除
在写入新的数据前，需要先擦除存储区域， STM32 提供了页（扇区）擦除指令和整个FLASH 擦除(批量擦除)的指令，批量擦除指令仅针对主存储区。
页擦除的过程如下：
(1) 检查 FLASH_SR 寄存器中的“忙碌寄存器位 BSY”，以确认当前未执行任何Flash 操作；
(2) 在 FLASH_CR 寄存器中，将“激活页擦除寄存器位 PER ”置 1，
(3) 用 FLASH_AR 寄存器选择要擦除的页；
(4) 将 FLASH_CR 寄存器中的“开始擦除寄存器位 STRT ”置 1，开始擦除；
(5) 等待 BSY 位被清零时，表示擦除完成。
3. 写入数据
擦除完毕后即可写入数据，写入数据的过程并不是仅仅使用指针向地址赋值，赋值前还还需要配置一系列的寄存器，步骤如下：
(1) 检查 FLASH_SR 中的 BSY 位，以确认当前未执行任何其它的内部 Flash 操作；
(2) 将 FLASH_CR 寄存器中的 “激活编程寄存器位 PG” 置 1；
(3) 向指定的 FLASH 存储器地址执行数据写入操作， 每次只能以 16 位的方式写入；
(4) 等待 BSY 位被清零时，表示写入完成。
 

可以在map中看到使用情况

Unused ranges:（未使用的空间）

     From                To                        Size

         ----                --                           ----
  0x800'a620         0x803'ffff               0x3'59e0
  0x2000'6ac4       0x2000'6ac7         0x4
  0x2000'fac8        0x2000'ffff             0x538

 

(1) 调用 FLASH_Unlock 解锁；
(2) 根据起始地址及结束地址计算要擦除多少页；
(3) 调用 FLASH_ClearFlag 清除各种标志位；
(4) 使用循环调用 FLASH_ErasePage 擦除页， 每次擦除一页；
(5) 使用循环调用 FLASH_ProgramWord 函数向起始地址至结束地址的存储区域都写入变量 “Data” 存储的数值数值；
(6) 调用 FLASH_Lock 上锁；
(7) 使用指针读取写入的数据内容并校验。

写入数据

/* 解锁 */
FLASH_Unlock();
/* 计算要擦除多少页 */
NbrOfPage = (WRITE_END_ADDR - WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;
/* 清空所有标志位 */
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR |
FLASH_FLAG_WRPRTERR);
/* 按页擦除*/
for (EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) &&
(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++) {
FLASHStatus = FLASH_ErasePage(WRITE_START_ADDR +
(FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
}
/* 向内部 FLASH 写入数据 */
Address = WRITE_START_ADDR;
while ((Address < WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)) {
FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(Address, Data);
Address = Address + 4;
}
FLASH_Lock();

读取数据

/* 检查写入的数据是否正确 */
Address = WRITE_START_ADDR;
while ((Address < WRITE_END_ADDR) && (MemoryProgramStatus != FAILED)) {
if ((*(__IO uint32_t*) Address) != Data) {
MemoryProgramStatus = FAILED;
}
Address += 4;
}
return MemoryProgramStatus;
}