latch-up和Antenna-effect

1.latch-up

  闩锁效应是指在CMOS晶片中,在电源VDD和GND之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT互相影响而产生一低阻抗通路,它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。

  防止的方法:基极上掺杂,降低BJT的电流增益。使电流增益小于1

        避免S和G的正向偏压

  参考:https://blog.csdn.net/luckywang1103/article/details/12909635

 

2.Antenna effect

   在芯片生产过程中,暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体,就象是一根根天线,会收集电荷(如等离子刻蚀产生的带电粒子)导致电位升高。天线越长,收集的电荷也就越多,电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅,那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿,使电路失效,这种现象我们称之为“天线效应”。

 

 

        

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