latch-up和Antenna-effect

1.latch-up

　　闩锁效应是指在CMOS晶片中，在电源VDD和GND之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT互相影响而产生一低阻抗通路，它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。

　　防止的方法：基极上掺杂，降低BJT的电流增益。使电流增益小于1

　　　　　　　　避免S和G的正向偏压

　　参考：https://blog.csdn.net/luckywang1103/article/details/12909635

 

2.Antenna effect

 　　在芯片生产过程中，暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是一根根天线，会收集电荷（如等离子刻蚀产生的带电粒子）导致电位升高。天线越长，收集的电荷也就越多，电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅，那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿，使电路失效，这种现象我们称之为“天线效应”。