变压器隔离式MOSFET

最近设计一款开关电源，采用变压器隔离式MOSFET驱动如图：

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结合对电源网论坛各位大神的帖子，链接如下
http://www.dianyuan.com/bbs/582407.html

• 其中D2，D3应该采取双向TVS管(瞬变电压抑制二极管)，起到保护MOSFET的功效（图上画的有误），

  • 我暂时对TVS管的理解是：比如双向24V的TVS管，会在正向或反向电压达到24V的瞬间，迅速导通，从而起到降压或稳压的效果

• R2，R4为并在栅极G和源极S之间的电阻，作用为让G极的电荷通过电阻释放

  • 实际情况下，MOS肯定有驱动电路的么，要么导通，要么关掉。问题就出在开机，或者关机的时候，最主要是开机的时候，此时你的驱动电路还没上电。但是输入上电了，由于驱动电路没有工作，G级的电荷无法被释放，就容易导致MOS导通击穿。

• R1，R2为MOSFET驱动电阻

  • 驱动电阻的作用，如果你的驱动走线很长，驱动电阻可以对走线电感和MOS结电容引起的震荡起阻尼作用。但是通常，现在的PCB走线都很紧凑，走线电感非常小。第二个，重要作用就是调解驱动器的驱动能力，调节开关速度。当然只能降低驱动能力，而不能提高

  • 如果R1，R2太大，那么驱动能力偏弱，如果R1,R2太小，那么EMI弱

• C0的作用是隔绝直流，通交流，为磁化的磁芯提供复位电压，防止磁芯磁饱，R0的作用防止占空比突然变化形成LC的震荡，因此加这个电阻进行缓解

• C0不够大会导致驱动信号最终不够平，驱动变压器的电感增加也有利于波形的平稳