NORFLASH市场或迎阶段性反弹 DDR4X取代DDR3成主流

NORFLASH是一种非易失闪存技术，由Intel1988年创建。NORFLASH历经了几年下行周期，现已迎来新一轮上涨周期，NORFLASH市场或迎阶段性反弹。

大数据催化存储器发展

市场调研机构IDC预计，到2020年，全球数据总量将达到40ZB。而存储器作为数据的基石，市场规模也随之不断扩大。

在目前市场上，DRAM、FLASH是存储器产业的主要构成部分。FLASH可进一步分为NORFLASH以及NANDFLASH。NORFLASH主要用来存储代码及部分数据，是手机、PC、DVD、TV、USBKey、机顶盒、物联网设备等代码闪存应用领域的首选。

存储器行业属于周期性行业，从历史表现上看，存储器行业总是处于交替出现的涨跌循环之中。存储器行业周期特征明显主要源于供给量和需求量的增减交替。供不应求的状况出现，存储器价格开始反弹。

NORFLASH供不应求

NORFLASH芯片具备随机存储、可靠性强、读取速度快、芯片内执行代码等特性，在中低容量应用时具备性能上的优势，是中低容量闪存芯片市场的主要产品。

虽然NORFLASH市场规模在逐步被蚕食，但是终端电子产品因内部指令执行、系统数据交换等功能需要，必需配备相应容量的代码存储器，NORFLASH尚不可能被完全替代，仍存在机会。

在供应吃紧、需求激增的情况下，NOR FLASH多年来首次涨价，首季平均涨幅已达 10％，TrendForce估计还将出现每季至少5％的涨幅，涨势有望持续到年底。判断NOR FLASH市场已迎来阶段性的反弹周期。

DDR4X取代DDR3

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，为优化智能手机的操作系统流畅度，厂商不断升级行动式内存版本。

在三星、SK海力士及美光集团三大原厂的纳米制程转进及智能手机主流AP（应用处理器）的搭载需求下，LPDDR4X的产出比重持续增加，出货数量在第二季开始将超越LPDDR4，且由于LPDDR4及LPDDR4X已呈同价趋势，两者和LPDDR3的价差都小于5％，也加速LPDDR4系列（含LPDDR4X）的导入速度，预估全年度LPDDR4系列将达到5成以上的市占率，正式取代LPDDR3成为2017年行动式内存的搭载主流。

DRAMeXchange表示，在移动终端及消费性电子产品蓬勃发展下，行动式内存已不单应用在智能手机上，也普遍用于超薄笔记本电脑（Ultra Book）、物联网相关的穿戴式装置、高画质电视、电动车等，而就总需求数量来看，仍以智能手机的应用为大宗。

DRAMeXchange指出，LPDDR4较LPDDR3在运行效能上虽有所提升，但耗电问题（Power Consumption）仍属各大品牌商最急于改善的项目。因此，三大行动式内存供货商如三星、SK海力士、美光集团都陆续于2016下半年推出改善耗电表现的LPDDR4X以因应市场需求。根据各供货商提供的比较数据来看，LPDDR4X和LPPDDR3相比，在单体上约有40％～50％省电表现，较LPDDR4也有10％～20％的表现。

基本上，LPDDR4和LPDDR4X在制程上相同，仅在封装上的Power Pin（电源引脚）设计及测试规格上略有出入。简言之，LPDDR4X可视为LPDDR4加严检验的省电优化版本。另外，和行动式内存息息相关的AP方面，在2017年的产品规划上也清一色的以LPDDR4X为中高端的搭配主流，如高通的骁龙835、骁龙660，联发科的P20、P30。

从制程技术及供应时程的角度来看，三星以领头羊之姿率先于2016年第四季推出18纳米制程的LPDDR4X，而SK海力士也随后推出21纳米制程的产品。两家在初期都先以分离式（Discrete）大容量的4GB、6GB为主，锁定高端旗舰机型，而今年第二季搭载LPDDR4X的eMCP才会推出。美光集团则于2017年第一季跟进，推出20纳米的分离式LPDDR4X，也规划第二季推出对应的eMCP。