认识内存颗粒编号含义

 认识内存的性能参数一般方法是读取SPD芯片中的信息,但由于SPD信息需要在开机状态下查看,而且有一些不法商家也会刷写SPD芯片中的信息来欺骗消费者。因此,认识内存更好的办法是识别内存颗粒的编号,当然不能是被打磨过的。通过查看颗粒编号的含义,可以更好地识别内存是否为正品。下面我们以市面上最常见的HY内存颗粒为例简单介绍内存颗粒编号的含义。

上图HY内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43
这串编号是由14组数字组成的,这14组数字代表着14组不同的重要参数,分别如下:

•“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。

•“5D”是内存芯片类型为DDR,57则为SD类型。

•“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

•“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)

•“8”是内存条芯片结构,代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)

•“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)

•“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)

•“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)

•能源消耗,空白代表普通;L代表低功耗型,该内存条的能源消耗代码为空,因此为普通型。

•封装类型用“T”表示,即TSOP封装。(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA)

•封装堆栈,空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC),上述内存为空白,代表是普通封装堆栈。

•封装原料,空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。

•“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400,3-3-3;D4=DDR400,3-4-4;J=DDR333;M=DDR333,2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)

•工作温度,一般被省略。I=工业常温(-40~85度);E=扩展温度(-25~85度)

因此,通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到,这是一款DDR SDRAM内存,容量为256MB,采用TSOP封装,速度为DDR400。

由上面各个编号可以看出,其中最重要的是第13个编号,它明确的告诉我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J”,而又运行在DDR400的频率下,那么这款内存很可能是被超频使用,超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣,而且其寿命也会受到影响。

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