大家好，我是痞子衡，是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家介绍的是恩智浦i.MX RT1170 FlexSPI NOR启动时间。
痞子衡刚刚拿到i.MXRT1170 B0版本的芯片，迫不及待地在上面跑了一些A0版本上早已验证过的demo，功能一切正常，没有什么额外迁移工作。因为目前只有B0版本芯片，没有配套EVK，所以痞子衡是在RT1170内部Validation板上做测试的（RT主芯片以及Flash芯片全部放在Socket里的，非常方便更换），正好痞子衡最近整理工位，找到了非常多来自不同厂家的串行Flash样片，何不趁此时顺便测一下Serial NOR启动时间，毕竟Serial NOR是i.MXRT启动首选设备，启动时间肯定是大家比较感兴趣的。
关于i.MXRT1170启动时间，痞子衡之前在A0版本上测过 《SEMC NAND启动时间》，有了之前的测试基础，本篇文章就是照葫芦画瓢。不过由于Serial NOR的特殊性，本文会同时测XIP和Non-XIP时间，以及两种典型的Flash工作模式下（四线SDR，八线DDR）的时间，工作量要稍微大一些，让我们开始吧。
一、准备工作
1.1 知识储备
Serial NOR可以说是大家最熟悉的启动设备了，虽然这个设备可以支持两类App（XIP和Non-XIP）去启动，但大家用得最多的无疑是XIP App，因为XIP下App代码长度可以和Flash容量一样大，这对于复杂功能的应用很重要，但是编写XIP App代码也有一些需要注意的地方，比如在配置系统时钟（不能影响FlexSPI模块）或者擦写Flash时（不支持RWW的话需要拷贝到RAM里执行）有一些限制。
至于Non-XIP，相比XIP会多一个App拷贝过程，启动时间难免会变长。拷贝目标设备选择种类很多，可以是内部RAM（包含TCM和OCRAM），也可以是外部RAM（SDRAM或者HyperRAM）。如果是为了提高代码执行效率，通常会搬移到内部TCM里执行。当然也有搬移到外部SDRAM执行的，不过这种情况需要额外利用DCD功能来完成SEMC模块的初始化之后才能做搬移工作。
1.2 时间界定
关于时间终点，参考《SEMC NAND启动时间》 里的1.2节，方法保持一致。而关于时间起点，本次的测试选点做了一些优化，测NAND启动时为了图方便选在了最靠近POR引脚的电压转换器NC7SP125P5X的输入脚（Pin1）所在的Header上，但是我们知道任何一个被动电源器件都有转换时间，为了尽可能精确测量启动时间，我们应该消除这种误差，因此本次选点放在了NC7SP125P5X的输出脚（Pin4），这个脚与主芯片POR引脚是直连的。
为了让大家对电源器件转换时间有个深刻感受，痞子衡这次还特地量了一下Validation板上原始电源输入（5V Jack）到POR引脚上电的时间，这个时间足有210ms，根据电源电路设计以及器件选型的不同，这个时间是不同的，所以应该从启动时间里抛除出来。
1.3 制作应用程序
关于应用程序制作，依旧是参考《SEMC NAND启动时间》 里的1.3节，只有一个微小改进，就是把翻转GPIO的代码放在SystemInit()函数最前面，尽可能地靠近Reset_Handler。
void SystemInit (void) {
{
CLOCK_EnableClock(kCLOCK_Iomuxc);
gpio_pin_config_t led_config = {kGPIO_DigitalOutput, 0, kGPIO_NoIntmode};
IOMUXC_SetPinMux(IOMUXC_GPIO_AD_03_GPIO9_IO02, 0U);
GPIO_PinInit(GPIO9, 2, &led_config);
GPIO_PinWrite(GPIO9, 2, 1u);
}
// 关开门狗和SysTick
while (1);
// ...
}
1.4 下载应用程序
应用程序的下载需借助痞子衡开发的NXP-MCUBootUtility工具（v2.3版本及以上），本次痞子衡一共测试了两款Flash，针对不同的Flash，在下载时选择的模型不一样：
下面模型适用华邦W25Q256系列，配置成了四线、SDR、133MHz工作模式去启动：
下面模型适用旺宏MX25UM51345系列，配置成了八线、DDR、166MHz工作模式去启动：
1.5 示波器抓取信号
一切准备就绪，可以用示波器抓Serial NOR启动时间了。通道一监测原始5V电源输入信号，通道二监测芯片POR信号，通道三来监测Flash片选信号（FSPI1A_SS0_B），通道四监测LED GPIO信号。
二、开始测试
2.1 测试结果
在公布结果之前，痞子衡先带大家分析一下示波器抓取的启动时间波形，方便大家理解后续表格里的各项组成。
先来看大家相对陌生的Non-XIP启动的波形（MX25UM51345G，247KB App）。通道二连接POR引脚，电平拉高是启动计时的开始，启动后会先经历BootROM时间（CM7内核先执行ROM代码，做一些常规系统初始化，读取用户启动配置，然后配置好FlexSPI模块），底下再经历BootFlash时间（还是在ROM里执行，不过此时开始访问外部Flash，从Flash里读取FDCB、IVT、BootData以及搬移App，所以你会看到通道三（Flash的片选信号）上会有持续的波形变化，搬移完成之后便跳转到App里执行），最后你会看到通道四电平拉高了（App在执行）。
作为比较，再来看一下XIP启动的波形（MX25UM51345G，246KB App）。BootROM时间跟Non-XIP基本差不多，这是可以理解的，同样的ROM代码在执行，消耗的机器周期是不变的。BootFlash的时间明显缩短了，Flash片选的波形只有屈指可数的几次，这是因为ROM此时只需要读取FDCB、IVT、BootData，根据IVT里的链接地址信息得知App不需要搬移就直接跳转了。
分析完了启动时间组成，让我们看结果吧。痞子衡基于Flash工作模式、App长度、App执行地址的组合一共做了8个测试，结果如下表所示（注：表中结果都是在1.25M次/秒的采样率下所得）：
| Flash型号 Timing模式 |
App长度 (bytes) |
App执行位置 | BootROM时间 | BootFlash时间 | 总启动时间 |
|---|---|---|---|---|---|
| W25Q256J 4bit, SDR, 133MHz |
16390 | XIP | 6.926 ms | 1.611 ms | 8.537 ms |
| 17922 | ITCM | 6.939 ms | 2.203 ms | 9.142 ms | |
| 251910 | XIP | 6.920 ms | 1.612 ms | 8.532 ms | |
| 253442 | ITCM | 6.953 ms | 8.795 ms | 15.748 ms | |
| MX25UM51345G 8bit, DDR, 166MHz |
16390 | XIP | 6.942 ms | 1.618 ms | 8.560 ms |
| 17922 | ITCM | 6.944 ms | 2.312 ms | 9.256 ms | |
| 251910 | XIP | 6.916 ms | 1.647 ms | 8.563 ms | |
| 253442 | ITCM | 6.935 ms | 8.897 ms | 15.832 ms |
2.2 结果分析
从上面表格里的结果我们可以得到如下三个结论：
- 结论1：不管是哪种Flash连接，BootROM时间差不多是固定的，大概在6.9ms
- 结论2：XIP启动的情况下，BootFlash时间几乎也是固定的，跟App长度无关，大概在1.6ms
- 结论3：Non-XIP启动的情况下，BootFlash时间跟App长度成正比，但是跟Flash工作模式（速度）不是正比（甚至可以说关系不太大）
关于结论3里的BootFlash时间跟Flash工作模式（速度）不是正比这点有必要展开研究一下。痞子衡的测试结果是ROM从Flash拷贝247KB数据到ITCM，无论是从QSPI Flash拷贝还是从Octal Flash拷贝所花时间竟然几乎是一致的，这个看起来挺奇怪的，毕竟仅从Flash自身读访问速度而言，Octal Flash应该是QSPI Flash的五倍（8bit x 2 x 166MHz) / (4bit x 1 x 133MHz）。
为了解开谜题，痞子衡对时序图里CS信号做了进一步分析，下图是QSPI Flash的启动时序图，ROM拷贝247KB的数据耗时约7.833ms，每个CS周期是114.4us，扣除时序前期的空闲时间以及读Boot Header，拷贝App期间共有62个CS周期，那么每个CS周期实际拷贝了4KB数据，这代表ROM配置了FlexSPI prefetch buffer的长度为4KB（RT1170最大是4KB，RT1060最大是1KB）并且使能了Prefetch功能。从QSPI Flash本身速度理论计算，读4KB数据应该耗时 4KB / (4bit x 133MHz) = 61.59us，这与实际测量的CS信号的低电平时间是吻合的。再来看CS信号周期的高电平(idle)时间足有52.8us，为什么会有这么长的空闲时间？疑问先放在这里。
同样的方法再来分析一下Octal Flash的启动时序图。从Octal Flash本身速度理论计算，读4KB数据应该耗时 4KB / (8bit x 2 x 166MHz) = 12.33us，这与实际测量的CS信号的低电平时间依然是吻合的。结合上面分析的QSPI Flash CS低有效时间来看，两者确实是五倍的关系。但是此时的CS信号周期的高电平时间比QSPI Flash下的时间要更长，达到了100.47us，最终导致两种不同性能Flash下拷贝时间差不多。
分析到这里，我们已经找到了线索，ROM从Flash prefetch buffer里拷贝4KB数据到TCM固定耗时约112us，因此速度瓶颈不在Flash本身读速率，而在于搬移时的开销，那么是什么导致了这个固定开销？
因为ROM代码是个黑盒子，我们看不见，痞子衡为了找到这个系统开销，在Octal Flash Non-XIP启动的App里用memcpy做了同样的数据搬移。根据上面表格里的结果，我们知道ROM里搬移230KB数据需耗时6.576ms，经测试App里搬移230KB数据仅需3.265ms，ROM和App的区别主要是执行效率不一样（ROM默认配置的CPU主频是400MHz（注：最高可以配到696MHz），App配置的CPU主频是996MHz），所以CPU主频是影响固定开销的因素。
memcpy((void *)0x6000, (const void *)0x30002000, 230 * 1024);
因为Non-XIP App没有为FlexSPI映射地址开启cache，痞子衡特地开了cache再次做了测试，这次拷贝230KB数据仅需724us，这个值几乎已经逼近了理论计算值（230KB/4KB) x 12.33us = 708.9us，所以ROM是在没有使能cache下做的数据搬移，Cache是否使能也是影响固定开销的因素。
//#if defined(XIP_EXTERNAL_FLASH) && (XIP_EXTERNAL_FLASH == 1)
/* Region 7 setting: Memory with Normal type, not shareable, outer/inner write back. */
MPU->RBAR = ARM_MPU_RBAR(7, 0x30000000U);
MPU->RASR = ARM_MPU_RASR(0, ARM_MPU_AP_RO, 0, 0, 1, 1, 0, ARM_MPU_REGION_SIZE_16MB);
//#endif
这个发现也告诉我们使用memcpy()函数搬移Flash数据，是否使能cache对执行效率影响非常大。使能cache之后，做数据搬移时，CPU往TCM写数据与cache从Flash里预取数据可以更大程序的并行，并且cache的读都是burst操作，能加速搬移。而如果不使能cache，下一次的Flash读需要等待上一次CPU写完TCM才会开始，搬移时间会长。
至此，恩智浦i.MX RT1170 FlexSPI NOR启动时间痞子衡便介绍完毕了，掌声在哪里~~~
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