RAM/DDR/ROM/FLASH/EMMC

初入职场的小白，对于内存、运存、闪存一头雾水（硬件坑，感觉自己好坑~），今天终于花了一些的时间搞懂了这些，所以今天跟小白们做个分享，不足之处请指正！

先站个队吧：

队一：RAM、DDR；

队二：ROM、FLASH、EMMC；

至于为什么这么站队，我接下来会娓娓道来：

RAM和DDR就是我们经常说的内存，手机内存现在都是4G，好一点的旗舰机可以做到6G，当然我说的是andriod机啦，那这里所说的内存即RAM和DDR。

RAM：Random Access Memory 随机存储器，又分为：SDRM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）

    SRAM：静态的RAM速度非常之快，可以说静态RAM是目前存储最快的设备了，性能这么好，用脚想想就知道很贵，所以一般SRAM只用在对存储性能要求很苛刻的地方了，比如CPU的一级缓冲和二级缓冲；

    DRAM：动态随机存储是我们这些做硬件设计的攻城狮们最常见的一种存储了，DRAM发展到今天，已经经历了5代了，每一代都会在性能方面有很大的提升，主要是在工作频率和节能方面。

    SDRAM：同步动态随机存储器，内存工作需要同步时钟，内部指令的发送和数据的传输都是以此时钟为基准；存储序列需要不断的刷新来保证存储的数据不丢失；数据不是线性一次存储的，而是自由指定地址进行数据的读写。这是第一代DRAM。SDRAM使用的是单端时钟信号。

    DDR：准确的将应该叫DDR SDRAM，双倍速率同步动态随机存储器，什么叫双倍速率呢？就是说DDR采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟，DDR在时钟的上升沿和下降沿均可进行数据的传输，所以内存的速率是SDRAM的2倍，相同的时间内运行速率更快，用户体验上升了一个台阶。举个栗子：DDR333，其工作频率为333/2=166MHZ，也就是说时钟的频率为166MHZ，但是由于DDR可以两边同时传输数据，所以对于DDR而言，其运行时钟为333MHZ。可能这边有点绕哈，看不懂的不要管后面这部分，只需要知道DDR333它的时钟频率为166MHZ就OK了，也就是说DDR333内存所能达到的最高工作频率为166MHZ。

   自从DDR出现之后，后面它妈就又给它生了很多的弟弟，DDR2、DDR3、DDR4就相继降临了，当然后面出生的性能比前面的就强大很多了，具体表现就是：1、时钟频率提高了，也就是所跑起来更快了，数据传输速率更快了；2.更加节能了，DDR的工作电压为2.5V，DDR2为1.8V，DDR3为1.5V，DDR4为1.2V。

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上面就是内存，接下来跟大家讲闪存，闪存的概念和硬盘差不多，就是存储数据，并且机子掉电之后存储的东西不会丢失，那ROM、FLASH和EMMC就是这种东西。

ROM：ROM又可以分为PROM（可编程ROM）、EPROM（可编程可擦除ROM）、EEPROM（电可编程可擦除ROM），感兴趣的童鞋可以自己去问度娘这些都有什么区别，其实也不用问度娘，直接从名字上就知道区别了。因为ROM整体写入时间较长，写入慢，集成度又不高，于是后面就被FLASH给替代掉了。

所以FLASH是结合了ROM和RAM的有点，不仅具备EEPROM的性能，不会丢失数据，并且可以较快速的读取数据。

这里FLASH又可以分为NOR FLASH和NAND FLASH，由于篇幅的原因，我将会在后面的博客中跟大家分享，哈哈哈哈~~~~~

EMMC：其实EMMC的出现是为了减少研发成本，加快机子上市时间而出现的。为什么？学过半导体的人都知道摩尔定律吧，现在IC发展这么快，那NAND FLASH更新换代也不用讲了，所以对于手机、机顶盒灯产品来说，对于每一次产品的研发，都要重新选型NAND FLASH，并且为了适应发展的潮流，每次选的NAND FLASH较之前版本肯定是变了不止一点，所以又要考虑各种兼容性和管理等问题，这样会大大加大研发的工作量和时间，最要命的是推迟产品的上市时间，一下可以少卖几个亿，想想真是亏大了。所以就出现了EMMC这种类似于闪存的东西，EMMC是将所有的存储器和管理NAND FLASH的控制芯片都放在一颗MCP上，而EMMC具有更快速、可升级的优点，手机、机顶盒灯厂商可以直接买来一颗EMMC放在自己的产品上使用就OK了，也没有那些繁琐的兼容性等问题，研发大佬们用起来感觉很不错！

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一句话：RAM、DDR为内存，掉电信息就没了，ROM、FLASH、EMMC为闪存，掉电信息还可以保存。

以上，希望可以帮助一些人理解。若有不足之处，或者哪里有错误还望各位路过的大佬多多指点~~~

日积月累，未来可期！