三星内存编号命名揭秘!

三星内存编号揭秘(一)

三星DDR内存颗粒的编号共分为四段数字或字母,19个部分组成。请看下面的三星内存编号示意图,图中有A、B、CDE和F为四段数字或字母,而19部分则是指包含在A、B、CDE和F四段数字或字母组成的编号,主要对内存规格进行说明。下面,就给大家分别解释。


首先来解释一下四段号码的大概含义。

A部分我想不用解释了吧,标明的是生产企业的名称——SAMSUNG。

B部分说明的是该内存模组的生产日期,以三个阿拉伯数字的形式表现。其中第一个阿拉伯数字表明,生产的年份,后面两位数字表明是在该年的第XX周生产的。例如,上图中的446就该表示该模组是在04年的第46周生产的。如果三位数字是532,则表明该内存模组是05年第32周生产的。

C部分说明的是该内存的封装类型,由一个英文字母表示。该部分将分别以T、U、N、V、G、Z几个字母来代表不同的封装类型。其中T代表是TSOP2封装,U表示TOSP2(Lead-Free)封装,N表示sTSOP2封装,V表示sTOSP2(Lead-Free)封装,G表示FBGA封装,Z表示FBGA(Lead-Free)封装。

D部分说明是该内存模组的工作温度与功耗,由一个英文字母表示。该部分将以C和L两个字母来表示该内存颗粒的不同工作温度与功耗。其中C表示该内存模组为大众商用型内存,普通功耗,工作温度在0 °C~70 °C之间;L表示该内存模组也属于大众商业型,但却是低功耗,工作温度也在0 °C~70 °C之间。这部分标注为L的模组,在笔记本内存中比较常见。

E部分说明的是该内存模组的频率和各项延迟(即CL-tRCD-tRP),由两个英文字母或数字组成。该部分分别以A0、B0、A2、B3和CC这五个字母/数字组合来代表不同频率和延迟的DDR内存模组。其中,A0代表该模组的工作做频率为DDR-200(100MHz),延迟为2-2-2;B0代表DDR 266(133MHz),延迟为2.5-3-3;A2代表DDRDDR 266(133MHz),延迟为2-3-3;B3代表DDR333(166MHz),延迟为2.5-3-3;CC代表DDR400(200MHz),延迟为3-3-3。

F部分实际上是由8个小部分组成的,分别表示该内存模组的类型、容量、位宽、接口类型、工作电压等等内容。详细分解请看下一页。

三星内存编号揭秘(二)应该说F部分是 三星 内存编号中传达内容最多的。由8个小部分构成,下面就来详细分解一下这8个小部分所代表的内容。 

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K

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X

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XX

X

X

X

为了方便大家更好的理解编号中的含义,大家可以将表中标明的1-8个部分根据图中的内存编号对号入座。

第1部分用“K”表示的是内存,只要是三星内存,这部分永远都是“K”。

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K

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XX

X

X

X

第2部分表示内存的类别,由一个数字或者字母组成。“4”表示的是DRAM;

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K

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X

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XX

X

X

X

第3部分表示的是 内存的子类别,由字母“T”或“H”组成。“T”代表的是DDR2 内存,“H”代表的是DDR 内存。    

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XX

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X

X

第4部分表示的是内存的容量,由两个数字或者字母组成。根据容量的不同,该部分会出现“28”、“51”、“1G、“2G”、“4G”这5个组合,其中“28”代表128MB,“51”代表512MB,“1G”代表1GB,“2G”代表2GB,“4G”代表4GB。

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K

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XX

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X

X

第5部分表示的是内存颗粒的位宽,由两连个数字组成。根据颗粒位宽不同,该部分会出现“04”、“08”和“16”三个组合。其中“4”表示是该颗粒只有4bit位宽,“08”表示该颗粒有8bit位宽,“16”则表示有16bit位宽。

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XX

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X

X

第6部分代表的是逻辑bank数,由一个数字组成。3表示4 bank,4表示8 bank。    

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X

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XX

X

X

X

第7部分代表的是接口类型与工作电压,由一个数字或字母组成。“8”表示接口类型为SSTL_2,工作电压为2.5V;“Q”表示接口类型为SSTL,工作电压为1.8V。

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XX

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第8部分代表产品的版本,由一个字母组成,并且,该处的字母在字母表中的位置越靠后,说明该内存颗粒的版本越新。到目前为止,三星内存颗粒一共有9个版本,分别以“M、A、B、C、D、E、F、G、H”9个字母表示,其中M代表第1版产品,而A-H则依次代表第2-9版。

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根据以上我们对三星内存编号的了解,我们就能够知道图一中的内存颗粒的相关信息:256MB容量,8bit位宽,4bank,SSTL_2接口,2.5V工作电压,第六版,生产与05年第16周,TOSP2封装,大众商用型,普通功耗,工作温度在0 °C~70 °C之间,工作频率为200MHz(DDR400),延迟为3-3-3。


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