S32K116调试记录（4）Flash（FlexRam）调试
需求：
1. 需要一块能够掉电存储ID信息的分区，用于识别，类似于EEPROM
2. 这块区域要和程序逻辑分区分开
1. 基本概念
FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了
现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据
2. S32K116 flash介绍
（1）各分区介绍
（2）FlexRam
FlexRam可以作为EEPROM使用，可作为存储id区域
3. Flash调试
（1）debug flash时出现刷成砖的情况
解决刷砖方法
方法a： Jflash可以连上但S32DS无法debug
SWD接口无需reset线
a.使用Jflash 擦除扇区“Erase Sectors”
b.直接使用二进制文件烧写 点击“.Program”
注意： 如果以上解锁不了，可使用Jlink命令行模式，
输入unlock kinetis进行解锁
方法b： Jflahs连不上
需要SWD接口接上reset线，这样就可以连上Jflash了
这个reset线是Jlink设备上的“RST”不是“TRST”
刷成砖原因
原因一：
使用FLASH_DRV_EraseAllBlock(&flashSSDConfig)接口导致
后续没有使用此接口
原因二：
/* Disable cache to ensure that all flash operations will take effect instantly,
* this is device dependent */
#ifndef FLASH_TARGET
#ifdef S32K11x_SERIES
MSCM->OCMDR[0u] |= MSCM_OCMDR_OCM1(0xFu);
MSCM->OCMDR[1u] |= MSCM_OCMDR_OCM1(0xFu);
MSCM->OCMDR[2u] |= MSCM_OCMDR_OCM1(0xFu);
#endif /* S32K11x_SERIES */
#endif /* FLASH_TARGET */
此段程序不能使用，否则全速跑（单步不会出问题）就会出现问题，变成砖
这个不太清楚是什么原因
（2）操作EEProm流程
FlexNVM相当于是作为管理flash的部分
a. 需将Flexram格式化作为EEprom，DFlash的一部分作为FlexNVM
/* Configure FlexRAM as EEPROM and FlexNVM as EEPROM backup region,
* DEFlashPartition will be failed if the IFR region isn't blank.
* Refer to the device document for valid EEPROM Data Size Code
* and FlexNVM Partition Code. For example on S32K116:
* - EEEDataSizeCode = 0x03u: EEPROM size = 2 Kbytes
* - DEPartitionCode = 0x03u: EEPROM backup size = 32 Kbytes */
ret = FLASH_DRV_DEFlashPartition(&flashSSDConfig, 0x03u, 0x03u, 0x0u, false, true);
DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);
/* Re-initialize the driver to update the new EEPROM configuration */
ret = FLASH_DRV_Init(&Flash1_InitConfig0, &flashSSDConfig);
DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);
/* Make FlexRAM available for EEPROM */
ret = FLASH_DRV_SetFlexRamFunction(&flashSSDConfig, EEE_ENABLE, 0x00u, NULL);
DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);
b. EEPROM 写操作
status_t FLASH_EEPROM_Write(uint32_t addr_offset,
uint32_t size,
const uint8_t * pData)
{
status_t ret;
uint32_t address;
address = flashSSDConfig.EERAMBase + addr_offset;
ret = FLASH_DRV_EEEWrite(&flashSSDConfig, address, size, pData);
DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);
return ret;
}
c. EEPROM 读操作
#define DATA_ADDRESS_DATA0 0x14000000
#define DATA_ADDRESS_DATA1 0x14000004
uint32_t *addr0=(uint32_t *)DATA_ADDRESS_DATA0;
uint32_t *addr1=(uint32_t *)DATA_ADDRESS_DATA1;
gSysFlashPara.FlashFlag = (uint8_t)*addr0;
gSysFlashPara.SubNodeId = (uint8_t)*addr1;