nand flash的读写操作

在使用nand flash之前需要对其进行必要的配置，主要有这几件事要做：

1.根据date sheet在NFCONF寄存器中设置读、写的时间参数（TACLS、TWRPH0、TWRPH1）

2.在NFCONT控制寄存器中使能nand flash控制器并片选（如需置1，先将所需的位bic,再置1）

3.进行复位（复位主要操作有：选中芯片，清除RnB，发出复位命令，等待，取消选中）

复位时序图如下：

开发板上的nand flash的结构图如下：

每页有2k的存储空间，其右面的64B为OOB(out of bank)，用来存储校验码，控制寄存器会自动忽视每页最后的64B字节空间，A0~A11为每页上的列地址，A12~A30为页地址，NFADDR寄存器虽是32位寄存器，但其8~31位为保留位，所以其每次传送可8位有效数据

因为每块nand flash有512k容量，其引脚数很少，所以其引脚为复位操作

nand flash的读操作时序图如下：

读操作主要有以下步骤：

1.选中芯片（NFCONT寄存器第1位）

2.清除RnB（NFSTAT寄存器第4位）

3.发出命令0x00（NFCMMD寄存器）

4.发出列地址（2次）(NFADDR)

5.发出页（行）地址（3次）(NFADDR)

6.发出命令0x30（NFCMMD寄存器）

7.等待RnB（NFSTAT寄存器第0位）

8.读数据（NFDATA寄存器）

9.取消片选（NFCONT寄存器第1位）

对nand flash进行写操作前需先对块进行擦除，时序图如下：

若擦除成功则NFDATA寄存器返回0，失败返回1

操作如下：

1.选中芯片（NFCONT寄存器第1位）

2.清除RnB（NFSTAT寄存器第4位）

3.发出命令0x60（NFCMMD寄存器）

4.发出页（行）地址（3次）(NFADDR)

5.发出命令0xd0（NFCMMD寄存器）

6.等待RnB（NFSTAT寄存器第0位）

7.发出命令0x70（NFCMMD寄存器）

8.读取擦除结果（NFDATA寄存器）

9.取消片选（NFCONT寄存器第1位）

写操作时序图如下：

主要有以下步骤：

1.选中芯片（NFCONT寄存器第1位）

2.清除RnB（NFSTAT寄存器第4位）

3.发出命令0x80（NFCMMD寄存器）

4.发出列地址（2次）(NFADDR)

5.发出页（行）地址（3次）(NFADDR)

6.写入数据（NFDATA寄存器）

7.发出命令0x10（NFCMMD寄存器）

8.等待RnB（NFSTAT寄存器第0位）

9.发出命令0x70（NFCMMD寄存器）

10.读取写入结果（NFDATA寄存器）

11.取消片选（NFCONT寄存器第1位）