存储器与CPU的连接

一、存储容量的扩展（前提知识）

（1）位扩展
位扩展是指增加存储字长，因为存储芯片的数据线位数与CPU的数据线位数不一定相等，此时就需要对存储芯片进行位扩展使得其数据线位数与CPU数据线位数一致。
如图，2片1K×４位的存储芯片可以组成１Ｋ×８位的存储器，$D_0$~$D_7$是连接CPU的数据线，其中一片芯片的数据线作为高四位 $D_7$~$D_4$，另一片的数据线作为低四位$D_3$~$D_0$ ，这样就组成一个１Ｋ×８位的存储器

（2）字扩展
字扩展是指增加存储器字的数量（存储单元 的个数），扩大存储器的容量。
如图，2片1K×8位的存储芯片可以组成2Ｋ×８位的存储器，将$A_{10}$作为片选信号，当$A_{10}$为低电平时，存储器的片选输入端$C{S}_0$(上划线搞不定)有效，选中左边的1K×8位的存储芯片，当$A_{10}$为高电平时，反向后$C{S}_1$有效，选中右边1K×8位的存储芯片

（3）字、位扩展
字、位扩展就是把上面讲的两样结合起来，既增加存储字的数量，又增加存储字长。

二、存储器与CPU的连接

步骤
1、地址线连接
2、数据线的连接
3、读写命令线的连接
4、片选信号的连接
5、合理选择存储芯片
6、考虑时序的配合、负载等（实际应用中考虑）
直接上例题讲解（最好结合高教第2版计算机组成原理来看）




第一步中$A_0$~$A_{10}$由全部是0变成了全部是1，可以确定系统程序区的地址线为11根，即存储字的数量为$2^{11}$=2K。
第四步中译码器的输出为$Y_4$、$Y_5$是因为译码器输入端C、B、A对应的$A_{13}$~$A_{10}$分别是100、101；用户程序区$A_{10}$必须为低电平才有效，故$A_{10}$、$Y_5$与门输出低电平选2片RAM。
注意： 访存控制信号MREQ必须为低电平才会有效。

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